低噪放大器及降低噪声的方法技术

本发明专利技术实施方式提供一种低噪放大器及降低噪声的方法，低噪放大器包括：第一MOS管、第二MOS管、耦合变压器；耦合变压器至少包括第一输入线圈、第二输入线圈和输出线圈；第一输入线圈与输出线圈间的匝数比为第二输入线圈与输出线圈间的匝数比的N倍，且耦合方向相反；第一MOS管的源极连接第二MOS管的栅极，用于接收输入信号；第一MOS管的漏极连接第一输入线圈，第二MOS管的漏极连接第二输入线圈；其中，第二MOS管的有效跨导为第一MOS管的有效跨导的n倍，且N/n的比值满足预设范围。通过两个MOS管器件及耦合变压器的设计，对输入信号进行放大，对噪声信号按预设比例相互抵消，从而获取较高的信噪比；且结构简单，并不需要较高的成本。

Low noise amplifier and the method of reducing noise

【技术实现步骤摘要】
低噪放大器及降低噪声的方法
本专利技术涉及信号传输领域，特别涉及一种低噪放大器及降低噪声的方法。
技术介绍
通信信号的传输与人们的生活息息相关，而噪声是对通信信号传输影响较大的一个因素，因此如何降低噪声，如何减少降低噪声所消耗的成本，一直是当下研究的热门。然而，专利技术人发现目前用于超宽带信号降噪的器件结构复杂，成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施方式提供一种低噪放大器及降低噪声的方法，通过两个MOS管器件及耦合变压器的设计，对输入信号进行放大，对噪声信号按预设比例相互抵消，从而获取较高的信噪比；且结构简单，并不需要较高的成本。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种低噪放大器，包括：第一MOS管、第二MOS管、耦合变压器；耦合变压器至少包括第一输入线圈、第二输入线圈和输出线圈；第一输入线圈与输出线圈间的匝数比为第二输入线圈与输出线圈间的匝数比的N倍，且耦合方向相反；第一MOS管的源极连接第二MOS管的栅极，用于接收输入信号；第一MOS管的漏极连接第一输入线圈，第二MOS管的漏极连接第二输入线圈本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低噪放大器，其特征在于，包括：/n第一MOS管、第二MOS管、耦合变压器；/n所述耦合变压器至少包括第一输入线圈、第二输入线圈和输出线圈；/n所述第一输入线圈与所述输出线圈间的匝数比为所述第二输入线圈与所述输出线圈间的匝数比的N倍，且耦合方向相反；/n所述第一MOS管的源极连接所述第二MOS管的栅极，用于接收输入信号；/n所述第一MOS管的漏极连接所述第一输入线圈，所述第二MOS管的漏极连接所述第二输入线圈；其中，所述第二MOS管的有效跨导为所述第一MOS管的有效跨导的n倍，且N/n的比值满足预设范围。/n

【技术特征摘要】
1.一种低噪放大器，其特征在于，包括：
第一MOS管、第二MOS管、耦合变压器；
所述耦合变压器至少包括第一输入线圈、第二输入线圈和输出线圈；
所述第一输入线圈与所述输出线圈间的匝数比为所述第二输入线圈与所述输出线圈间的匝数比的N倍，且耦合方向相反；
所述第一MOS管的源极连接所述第二MOS管的栅极，用于接收输入信号；
所述第一MOS管的漏极连接所述第一输入线圈，所述第二MOS管的漏极连接所述第二输入线圈；其中，所述第二MOS管的有效跨导为所述第一MOS管的有效跨导的n倍，且N/n的比值满足预设范围。


2.根据权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述N/n的比值满足预设范围，具体包括：所述N/n的比值等于1。


3.根据权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述输出线圈包括：第一输出端和第二输出端；
所述第一输出端连接差分放大器的其中一个输入端，所述第二输出端连接所述差分放大器的另一输入端；
所述第一输出端用于输出所述第一输入线圈在所述输出线圈产生的感应电流；所述第二输出端用于输出所述第二输入线圈在所述输出线圈产生的感应电流。


4.根据权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述耦合变压器包括：第一耦合变压器和第二耦合变压器；
所述第一输入线圈为所述第一耦合变压器的输入线圈，所述第二输入线圈为所述第二耦合变压器的输入线圈，所述第一耦合变压器的输出线圈与所述第二耦合变压...

【专利技术属性】
技术研发人员：张刚，黄鹏炜，
申请(专利权)人：奉加微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31