数据的校验方法、电子设备和存储介质技术

本发明专利技术涉及计算机技术领域，公开了一种数据的校验方法、电子设备和存储介质。该数据的校验方法应用于校验电路，包括：接收中央处理器发出的校验信号，对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果；接收中央处理器休眠结束后发出的校验信号，对SRAM中的数据再次进行校验并得到第二校验结果；第一校验结果和第二校验结果供中央处理器在第二校验结果等于第一校验结果时确定SRAM中的数据正确。中央处理器能够控制硬件校验电路对SRAM中的数据进行校验，便捷地实现了对SRAM中的数据进行校验，同时使得对SRAM中数据进行校验不再受限于中央处理器的处理性能，有效提升了对SRAM中数据进行校验的速度。了对SRAM中数据进行校验的速度。了对SRAM中数据进行校验的速度。

【技术实现步骤摘要】
数据的校验方法、电子设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及计算机
，尤其是涉及一种数据的校验方法、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，简称“SRAM”)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。为了避免SRAM丢失数据导致数据传输或处理过程中出现错误，需要对SRAM中存储的数据的正确性进行校验。
[0003]然而，本专利技术的专利技术人发现：现如今对SRAM中存储的数据进行校验的技术难度比较大，且十分依赖于中央处理器的处理能力。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施方式的目的在于提供一种数据的校验方法、电子设备和存储介质，用以使得对SRAM中数据进行校验不再受限于中央处理器的处理性能。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术的实施方式提供了一种应用于中央处理器的数据的校验方法，包括：发出校验信号，控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果；进行休眠，并在休眠结束后发出校验信号，控制校验电路对所述SRAM中的数据再次进行校验并得到第二校验结果；若所述第二校验结果等于所述第一校验结果，则确定所述SRAM中的数据正确。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术的实施方式还提供了一种应用于校验电路的数据的校验方法，包括：接收中央处理器发出的校验信号，对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果；接收所述中央处理器休眠结束后发出的校验信号，对所述SRAM中的数据再次进行校验并得到第二校验结果；所述第一校验结果和所述第二校验结果供所述中央处理器在所述第二校验结果等于所述第一校验结果时确定所述SRAM中的数据正确。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术的实施方式还提供了一种电子设备，包括：中央处理器和校验电路；其中，所述中央处理器用于执行上述的数据的校验方法；所述校验电路用于执行上述的数据的校验方法。
[0008]为了实现上述目的，本专利技术的实施方式还提供了一种存储有计算机程序的计算机可读存储介质，计算机程序被处理器执行时实现上述的数据的校验方法。
[0009]在本专利技术的实施方式中，中央处理器首先发出校验信号，控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果。进而进行休眠，并在休眠结束后发出校验信号，控制校验电路对所述SRAM中的数据再次进行校验并得到第二校验结果。进一步地，若所述第二校验结果等于所述第一校验结果，则说明校验电路进行第二次校验时，SRAM中的数据相比进行第一次校验时没有发生变化，因此确定所述SRAM中的数据正确。利用本实施方式提供的数据的校验方法，能够利用硬件校验电路对SRAM中的数据进行校
验，便捷地实现了对SRAM中的数据进行校验，同时使得对SRAM中数据进行校验不再受限于中央处理器的处理性能，能够有效提升对SRAM中数据进行校验的速度。
[0010]在至少一个实施例中，在所述控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果后，还包括：响应于中断信号，使所述校验电路停止进行所述校验。
[0011]在至少一个实施例中，所述第一校验结果被所述校验电路存储在芯片内。将中央处理器休眠之前得到的第一校验结果存储在特定的存储介质芯片内，能够在进行后续比较第一校验结果和第二校验结果的步骤时便捷地获取第一校验结果。
[0012]在至少一个实施例中，所述若所述第二校验结果等于所述第一校验结果，则确定所述SRAM中的数据正确包括：比较所述AON中存储的第一校验结果和所述第二校验结果。能够在芯片内便捷地获取存储的第一校验结果并与第二校验结果进行比较，进而能够以简单快捷的方式实现确定SRAM中数据的正确性。
附图说明
[0013]一个或多个实施方式通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施方式的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0014]图1是根据本专利技术一实施方式中的应用于中央处理器的数据的校验方法的流程示意图；
[0015]图2是根据本专利技术一实施方式中的比较校验结果的流程示意图；
[0016]图3是根据本专利技术一实施方式中的应用于校验电路的数据的校验方法的流程示意图。
具体实施方式
[0017]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
[0018]在本专利技术的描述中，需要理解的是，本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0019]需要说明的是，在本专利技术中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“若干”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0020]本专利技术的一实施方式涉及一种数据的校验方法，应用于中央处理器。在本实施方式中，该数据的校验方法包括：发出校验信号，控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果；进行休眠，并在休眠结束后发出校验信号，控制校验
电路对所述SRAM中的数据再次进行校验并得到第二校验结果；若所述第二校验结果等于所述第一校验结果，则确定所述SRAM中的数据正确。
[0021]下面对本实施例中的数据的校验方法的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解本方案的实现细节，并非实施本方案的必须。具体流程如图1所示，可包括如下步骤：
[0022]步骤101，发出校验信号，控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果。
[0023]在本步骤中，中央处理器向校验电路发出校验信号，该校验信号能够控制校验电路对SRAM中的数据进行校验。校验电路对SRAM中的数据进行校验的结果即为本步骤中涉及的第一校验结果。
[0024]需要说明的是，本实施方式中不对校验电路的具体结构进行限制，实际上本实施方式涉及的校验电路可以是能够用于实现相应技术效果的任何电路结构。
[0025]在一个例子中，在步骤101所包括的所述控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果后，还可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据的校验方法，其特征在于，应用于中央处理器，包括：发出校验信号，控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果；进行休眠，并在休眠结束后发出校验信号，控制校验电路对所述SRAM中的数据再次进行校验并得到第二校验结果；若所述第二校验结果等于所述第一校验结果，则确定所述SRAM中的数据正确。2.根据权利要求1所述的数据的校验方法，其特征在于，在所述控制校验电路对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果后，还包括：响应于中断信号，使所述校验电路停止进行所述校验。3.根据权利要求2所述的数据的校验方法，其特征在于，所述第一校验结果被所述校验电路存储在芯片内。4.根据权利要求3所述的数据的校验方法，其特征在于，所述若所述第二校验结果等于所述第一校验结果，则确定所述SRAM中的数据正确包括：比较所述芯片内存储的第一校验结果和所述第二校验结果。5.一种数据的校验方法，其特征在于，应用于校验电路，包括：接收中央处理器发出的校验信号，对静态随机存取存储器SRAM中的数据进行校验并得到第一校验结果；接收所述中央处理器休眠结束后发出的校验信号，对所述SRAM中的数据再次进行校验并得到第二校验...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖桂军，
申请(专利权)人：奉加微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：