具有静电放电保护功能的输出电路制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片的输出电路，用来进行静电放电保护，该输出电路包含一第一金氧半场效应管及一第一电阻。该第一金氧半场效应管包含一第一端、一基极端及一栅极端，该第一端耦接于该半导体芯片的一输出垫片。该第一电阻耦接于该第一金氧半场效应管的该基极端及一第一电源供应端之间。

Output circuit with ESD protection function

【技术实现步骤摘要】
具有静电放电保护功能的输出电路原申请案的申请日是2017年2月24日，原申请案的申请号是201710104268.3，且原申请案的专利技术名称是“具有静电放电保护功能的输出电路”。
本专利技术涉及一种半导体芯片的输出电路，尤其涉及一种位于半导体芯片中，具有静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)保护功能的输出电路。
技术介绍
随着半导体工艺技术的演进，电路组件的尺寸缩减到微米以下的等级，使得半导体芯片的效率及速度大幅提升，然而，由于组件尺寸的缩小，可靠度问题的重要性也随之而提升。其中，静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)为最重要的可靠度问题之一。在外界存在的静电量相同的情形下，由于先进工艺的电路组件具有较小尺寸，对静电放电的耐受能力较差。因此，先进工艺的电路组件更容易受到静电放电的影响而损坏。为解决芯片输出端的静电放电问题，可将一限流电阻设置在信号输出路径并串联于该输出端。当静电放电到达时，此限流电阻可阻隔静电放电电流或降低流入芯片内部电路的静电放电电流大小。然而，在芯片正常运本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种位于一源极驱动装置的一半导体芯片中的输出电路，用来进行静电放电保护，该源极驱动装置用来驱动一显示面板，该输出电路包含：/n一输出缓冲器；/n一输出垫片；/n一开关器，耦接于该输出缓冲器及该输出垫片之间，其中，用来驱动该显示面板的数据电压从该输出缓冲器通过该开关器而传送到该输出垫片，该开关器包含一第一金氧半场效应管，该第一金氧半场效应管包含一第一端、一基极端及一栅极端，且该第一端耦接于该输出垫片；以及/n一第一电阻，耦接于该第一金氧半场效应管的该基极端及一第一电源供应端之间。/n

【技术特征摘要】
20160503 US 62/331,408;20161214 US 15/378,0671.一种位于一源极驱动装置的一半导体芯片中的输出电路，用来进行静电放电保护，该源极驱动装置用来驱动一显示面板，该输出电路包含：
一输出缓冲器；
一输出垫片；
一开关器，耦接于该输出缓冲器及该输出垫片之间，其中，用来驱动该显示面板的数据电压从该输出缓冲器通过该开关器而传送到该输出垫片，该开关器包含一第一金氧半场效应管，该第一金氧半场效应管包含一第一端、一基极端及一栅极端，且该第一端耦接于该输出垫片；以及
一第一电阻，耦接于该第一金氧半场效应管的该基极端及一第一电源供应端之间。


2.如权利要求1所述的输出电路，其特征在于，还包含：
一第一提拉电路，耦接于该第一金氧半场效应管的该栅极端及一第一系统电源供应端，用来控制该第一金氧半场效应管的该栅极端的一电压电平。


3.如权利要求1所述的输出电路，其特征在于，还包含一第二电阻，耦接于该输出垫片及该第一金氧半场效应管的该第一端之间。


4.如权利要求1所述的输出电路，其特征在于，该开关器还包含：
一第二金氧半场效应管，包含一第一端、一基极端及一栅极端，该第二金氧半场效应管的该第一端耦接于该输出垫片；以及
一第二电阻，耦接于该第二金氧半场效应管的该基极端及一第二电源供应端之间。


5.如权利要求4所述的输出电路，其特征在于，该第一金氧半场效应管及该第二金氧半场效应管是一传输门中的一P型金氧半场效应管及一N型金氧半场效应管。


6.如权利要求4所述的输出电路，其特征在于，还包含：
一第一提拉电路，耦接于该第一金氧半场效应管的该栅极端及一第一系统电源供应端，用来控制该第一金氧半场效应管的该栅极端的一电压电平；以及
一第二提拉电路，耦接于该第二金氧半场效应管的该栅极端及一第二系统电源供应端，用来控制该第二金氧半场效应管的该栅极端的一电压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：程智修，黄如琳，吴嘉恩，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71