【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的刻蚀方法
本专利技术涉及芯片制程
，更具体地说，涉及一种LED芯片的刻蚀方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样的LED器件已广泛应用于人们的生活、工作和工业中，为人们的日常生活带来了极大的便利。但是，目前LED芯片的图形制作需要使用感光胶曝光显影进行图形转移，其制作流程很长，工艺复杂且制作成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种LED芯片的刻蚀方法，技术方案如下：一种LED芯片的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一外延层结构，所述外延层结构上具有待图形化膜层；在所述待图形化膜层上设置感光刻蚀涂层；对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层；在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层。优选的，在上述刻蚀方法中，在对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影之前，所述刻蚀方法还包括：对所述感光刻蚀涂层进行...
【技术保护点】
1.一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：/n提供一外延层结构，所述外延层结构上具有待图形化膜层；/n在所述待图形化膜层上设置感光刻蚀涂层；/n对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层；/n在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；/n去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层。/n
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
提供一外延层结构，所述外延层结构上具有待图形化膜层；
在所述待图形化膜层上设置感光刻蚀涂层；
对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层；
在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；
去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影之前，所述刻蚀方法还包括：
对所述感光刻蚀涂层进行低温烘烤，以固化所述感光刻蚀涂层。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述低温烘烤的温度范围为30℃-70℃，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述感光刻蚀涂层的厚度为0.5微米-10微米，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述感光刻蚀涂层的材料至少为氢氟酸和感光剂的混合物。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗坤，李永同，田胜楠，霍杰，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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