一种LED芯片的刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片的刻蚀方法，通过在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；之后去除反应后的物质，即可得到具有预设图形的待图形化膜层，不需要额外的刻蚀工艺，进而极大程度的简化了制作流程，降低了制作成本。

An etching method of LED chip

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的刻蚀方法
本专利技术涉及芯片制程
，更具体地说，涉及一种LED芯片的刻蚀方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样的LED器件已广泛应用于人们的生活、工作和工业中，为人们的日常生活带来了极大的便利。但是，目前LED芯片的图形制作需要使用感光胶曝光显影进行图形转移，其制作流程很长，工艺复杂且制作成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种LED芯片的刻蚀方法，技术方案如下：一种LED芯片的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一外延层结构，所述外延层结构上具有待图形化膜层；在所述待图形化膜层上设置感光刻蚀涂层；对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层；在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层。优选的，在上述刻蚀方法中，在对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影之前，所述刻蚀方法还包括：对所述感光刻蚀涂层进行低温烘烤，以固化所述感光刻蚀涂层。优选的，在上述刻蚀方法中，所述低温烘烤的温度范围为30℃-70℃，包括端点值。优选的，在上述刻蚀方法中，所述感光刻蚀涂层的厚度为0.5微米-10微米，包括端点值。优选的，在上述刻蚀方法中，所述感光刻蚀涂层的材料至少为氢氟酸和感光剂的混合物。优选的，在上述刻蚀方法中，所述对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层，包括：对所述感光刻蚀涂层的曝光量为：40毫焦-500毫焦，包括端点值；对所述感光刻蚀涂层的显影时间为：10秒-500秒，包括端点值。优选的，在上述刻蚀方法中，所述在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应，包括：在高温烘烤的条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应。优选的，在上述刻蚀方法中，所述高温烘烤的温度范围为80℃-200℃，包括端点值。优选的，在上述刻蚀方法中，所述去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层，包括：采用水或低浓度去除溶剂将反应后的物质去除。优选的，在上述刻蚀方法中，去除反应后物质的去除时间为10秒-2000秒，包括端点值；当采用低浓度去除溶剂时，浓度范围为：0.5％-30％，包括端点值。相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：本专利技术提供的一种LED芯片的刻蚀方法，通过在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；之后去除反应后的物质，即可得到具有预设图形的待图形化膜层，不需要额外的刻蚀工艺，进而极大程度的简化了制作流程，降低了制作成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种LED芯片的刻蚀方法的流程示意图；图2为图1所示刻蚀方法相对应的一种结构示意图；图3为图1所示刻蚀方法相对应的另一种结构示意图；图4为图1所示刻蚀方法相对应的又一种结构示意图；图5为图1所示刻蚀方法相对应的又一种结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种LED芯片的刻蚀方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。传统的LED芯片的图形化刻蚀工艺主要包括以下步骤：(1)通过使用光刻胶在待制作图形层上涂布。(2)使用曝光机对已涂布的光刻胶进行曝光，以实现图形转移。(3)使用显影液对曝光后的非图形区域进行湿法去除。(4)使用干法/湿法刻蚀对光刻胶未覆盖区域进行刻蚀，在待制作图形层上形成表面图形。(5)去除图形层表面的光刻胶达到最终想要的膜层图形。其制程要形成图形化膜层，需要使用光刻胶进行刻蚀遮挡，并且将光刻胶图形化后还需要再进一步进行干法/湿法刻蚀，导致其工艺流程比较复杂且制程的成本较高。基于上述问题，本申请提供了一种LED芯片的刻蚀方法，其不需要额外的刻蚀工艺，进而极大程度的简化了制作流程，降低了制作成本。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种LED芯片的刻蚀方法的流程示意图。所述刻蚀方法包括：S101：如图2所示，提供一外延层结构，所述外延层结构上具有待图形化膜层15。在该步骤中，所述外延层结构包括但不限定于包括衬底11、N型氮化镓层12、多量子阱层13、P型氮化镓层14等结构膜层。所述待图形化膜层15包括但不限定于ITO膜层或SiO2膜层等。S102：如图3所示，在所述待图形化膜层15上设置感光刻蚀涂层16。S103：如图4所示，对所述感光刻蚀涂层16进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层17。S104：在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层17与所述待图形化膜层15进行反应。S105：如图5所示，去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层15。在该实施例中，通过在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；之后去除反应后的物质，即可得到具有预设图形的待图形化膜层，不需要额外的刻蚀工艺，进而极大程度的简化了制作流程，降低了制作成本。进一步的，基于本专利技术上述实施例，参考图6，图6为本专利技术实施例提供的另一种LED芯片的刻蚀方法的流程示意图。在对所述感光刻蚀涂层16进行曝光显影之前，所述刻蚀方法还包括：S106：对所述感光刻蚀涂层16进行低温烘烤，以固化所述感光刻蚀涂层16。在该实施例中，所述低温烘烤的温度范围为30℃-70℃，包括端点值。例如，所述低温烘烤的温度为40℃或50℃或65℃等，其滴液量为0.5克-10克。当固化完成后的感光刻蚀涂层16，其厚度为0.5微米-10微米，包括端点值。例如，所述感光刻蚀涂层的厚度为1.5微米或3微米或6.8微米等。进一步的，基于本专利技术上述实施例，所述感光刻蚀涂层16的材料至少为氢氟酸和感光剂的混合物。在该实施例中，当所述待图形化膜层15的材料发生改变时，所述感光刻蚀涂层16的材料也可以相应进行变化，保证感光刻蚀涂层16和待图形化膜层15可以在一定环境下发生反应。进一步的，基于本专利技术上述实施例，所述对所述感光刻蚀涂层16进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：/n提供一外延层结构，所述外延层结构上具有待图形化膜层；/n在所述待图形化膜层上设置感光刻蚀涂层；/n对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层；/n在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；/n去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
提供一外延层结构，所述外延层结构上具有待图形化膜层；
在所述待图形化膜层上设置感光刻蚀涂层；
对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影，形成图形化的目标感光刻蚀涂层；
在预设条件下，使所述目标感光刻蚀涂层与所述待图形化膜层进行反应；
去除反应后的物质，得到具有预设图形的待图形化膜层。


2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在对所述感光刻蚀涂层进行曝光显影之前，所述刻蚀方法还包括：
对所述感光刻蚀涂层进行低温烘烤，以固化所述感光刻蚀涂层。


3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述低温烘烤的温度范围为30℃-70℃，包括端点值。


4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述感光刻蚀涂层的厚度为0.5微米-10微米，包括端点值。


5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述感光刻蚀涂层的材料至少为氢氟酸和感光剂的混合物。


6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗坤，李永同，田胜楠，霍杰，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36