基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理装置及基板处理方法。根据一实施方式，基板处理装置具备对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释的稀释部。所述装置同时具备使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化的pH值变化部。所述装置还具备使用通过所述稀释部稀释，并通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体，来对基板进行处理的基板处理部。

Substrate treatment device and substrate treatment method

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法相关申请案的引用本申请以在2018年12月11日申请的现有日本专利申请案第2018-231736号的优先权的利益为基础，且谋求其利益，并通过引用而将其全部内容包含在本申请案中。
此处说明的多种方式的实施方式全体涉及一种基板处理装置、基板处理方法、及半导体装置的制造方法。
技术介绍
已知对半导体存储器的通道半导体层供给金属来使其结晶化的技术。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够适当地对基板供给金属粒子的基板处理装置、基板处理方法、及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，基板处理装置具备对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释的稀释部。所述装置进而具备使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化的pH值变化部。所述装置进而具备使用通过所述稀释部稀释且通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体来对基板进行处理的基板处理部。根据所述构成，可提供一种能够适当地对基板提供金属粒子的基板处理装置、基板处理方法、及半导体装置的制造方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其具备：稀释部，对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释；pH值变化部，使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化；以及基板处理部，使用通过所述稀释部稀释，并通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体来对基板进行处理。/n

【技术特征摘要】
20181211 JP 2018-2317361.一种基板处理装置，其具备：稀释部，对包含金属离子且显示酸性的第1液体进行稀释；pH值变化部，使通过所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化；以及基板处理部，使用通过所述稀释部稀释，并通过所述pH值变化部使pH值变化后的所述第1液体来对基板进行处理。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过使经所述稀释部稀释前或稀释后的所述第1液体的pH值变化，来生成包含源自所述金属离子的金属原子的所述金属粒子。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部进而将具有指定范围外的粒径的所述金属粒子从所述第1液体中去除，而使具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存在所述第1液体中，所述基板处理部利用具有所述指定范围外的粒径的所述金属粒子被去除而具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存的所述第1液体来对所述基板进行处理。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过将所述第1液体与显示碱性或酸性的第2液体进行混合来使所述第1液体的pH值变化。


5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过对所述第1液体进行过滤来将具有所述指定范围外的粒径的所述金属粒子从所述第1液体中去除，而使具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存在所述第1液体中。


6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述pH值变化部通过利用离子交换膜对所述第1液体进行处理来使所述第1液体的pH值变化，并将具有所述指定范围外的粒径的所述金属粒子从所述第1液体中去除，而使具有所述指定范围内的粒径的所述金属粒子残存在所述第1液体中。


7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉水康人，伊藤冬马，北川白马，山本洋平，大口寿史，山田裕司，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP