【技术实现步骤摘要】
一种四氟化碳的合成装置
本技术涉及四氟化碳制备领域，具体涉及一种四氟化碳的合成装置。
技术介绍
四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，因其相对低廉的价格，广泛用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、低温制冷、气体绝缘、泄漏检测剂、印刷电路生产中的去污剂、润滑剂及制动液等方面也有大量应用。四氟化碳的合成方法包括1、氟与碳源直接接触反应得到，但该反应剧烈，不易控制；2、烷烃直接氟化法，虽然操作简单、原料易得，但反应不易控制、反应温度高、产物复杂、收率低；3、氟氯甲烷或氢氟甲烷氟化法，氟氯甲烷选择性高但原料价格昂贵，氢氟甲烷工艺简单、无需催化剂但产物选择性低、副产物较多。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种四氟化碳的合成装置，一步合成四氟化碳，且反应的副产物少、反应温度低、收率高，操作简单。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种四氟化碳的合成装置，包括无碳氰胺化钙储罐、氟化铯储罐、氟气储罐、第一冷凝器、反应釜、第二冷凝...
【技术保护点】
1.一种四氟化碳的合成装置，其特征在于，包括无碳氰胺化钙储罐、氟化铯储罐、氟气储罐、第一冷凝器、反应釜、第二冷凝器、第三冷凝器以及四氟化碳储罐，所述反应釜设有进口A、进口B、进口C以及出口，所述无碳氰胺化钙储罐的出口连接至所述反应釜的进口A，所述氟化铯储罐的出口连接至所述反应釜的进口B，所述氟气储罐的出口连接至所述第一冷凝器的物料入口，所述第一冷凝器的物料出口连接至所述反应釜的进口C，所述反应釜的出口连接至所述第二冷凝器的物料入口，所述第二冷凝器的物料出口连接所述第三冷凝器的物料入口，所述第三冷凝器的物料出口连接至所述四氟化碳储罐。/n
【技术特征摘要】
1.一种四氟化碳的合成装置，其特征在于，包括无碳氰胺化钙储罐、氟化铯储罐、氟气储罐、第一冷凝器、反应釜、第二冷凝器、第三冷凝器以及四氟化碳储罐，所述反应釜设有进口A、进口B、进口C以及出口，所述无碳氰胺化钙储罐的出口连接至所述反应釜的进口A，所述氟化铯储罐的出口连接至所述反应釜的进口B，所述氟气储罐的出口连接至所述第一冷凝器的物料入口，所述第一冷凝器的物料出口连接至所述反应釜的进口C，所述反应釜的出口连接至所述第二冷凝器的物料入口，所述第二冷凝器的物料出口连接所述第三冷凝器的物料入口，所述第三冷凝器的物料出口连接至所述四氟化碳储罐。
2.如权利要求1所述的四氟化碳的合成装置，其特征在于，所述反应釜为钢制反应釜或镍合金制反应釜或蒙乃尔合金制反应釜。
3.如权利要求1所述的四氟化碳的合...
【专利技术属性】
技术研发人员：金向华，刘晶，侯倩，张红敏，李莉，李艺，张倩倩，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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