多芯片叠层封装结构用金属构件及封装体制造技术

本申请提供一种多芯片叠层封装结构用金属构件及封装体。所述封装体包括层叠为多层结构的引线框架、第一芯片、第一金属构件、第二芯片及第二金属构件，以及一塑封所述多层结构的塑封体，其中，所述第一金属构件具有至少一第一连接筋，所述第一连接筋自所述塑封体内延伸至所述塑封体的侧面。

Metal components and packages for multi chip laminated packaging structure

【技术实现步骤摘要】
多芯片叠层封装结构用金属构件及封装体
本技术涉及半导封装领域，特别涉及一种多芯片叠层封装结构用金属构件以及一种封装体。
技术介绍
多芯片叠层封装结构是本领域中常用到的封装结构。如图1所示的，通常多芯片叠层封装结构100包括：用于贴装第一芯片的引线框架101，贴装于所述引线框架101上的第一芯片102，与所述引线框架101及所述第一芯片102焊接的第一铜片103，贴装于所述第一铜片103上的第二芯片104，与所述引线框架101及所述第二芯片104焊接的第二铜片105。在形成图1所示的多芯片叠层封装结构100时，所述第一铜片103及所述第二铜片105均为单颗粒焊接，即，在所述第一铜片103及所述第二铜片105的回流焊制程中，第一铜片103及第二铜片105均为单个铜片焊接。当所述引线框架101上设置有多个第一芯片102时，是在每一个第一芯片102(或第二芯片104)上分别设置一个第一铜片103(或第二铜片105)，然后进行回流焊制程。然而，由于回流焊制程中常常出现铜片(第一铜片103和/或第二铜片105)漂移的情况，这会导致铜片(第一铜片103和/或第二铜片105)的焊接精度大大降低，导致焊接不到位。因此，有必要提供一种新的用于多芯片叠层封装结构的金属构件及其贴装方法和封装体，以克服上述缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种多芯片叠层封装结构用金属构件及相应的封装体，通过将所述金属构件设置为串联形式，使得金属构件可以按照框架的单列颗粒数量的整除倍数进行多颗串联焊接，直到封装切割的时候再进行一起切断。这样，提高了焊接的精确度，减少了金属构件偏移量，实现多芯片叠层封装结构中的金属构件高精度焊接。为了达到上述目的，根据本技术的一方面，提供一种多芯片叠层封装结构用金属构件，用于电性连接所述多芯片叠层封装结构内的多个芯片，所述金属构件包括串联的复数个连接片，每一所述连接片对应所述多芯片叠层封装结构中的一个芯片，相邻所述连接片之间通过至少一连接筋相互连接。在本技术一实施例中，所述多芯片叠层封装结构用金属构件的材料为铜。根据本技术的另一方面，提供一种多芯片叠层的金属构件贴装方法，包括：在一引线框架上设置复数个第一芯片的步骤；在所述复数个第一芯片背离所述引线框架的表面上设置第一金属构件的步骤；在所述第一金属构件背离所述引线框架的表面上设置复数个第二芯片的步骤；以及，在所述复数个第二芯片背离所述引线框架的表面上设置第二金属构件的步骤；其中，所述第一金属构件与所述第二金属构件中的至少一者包括复数个串联的连接片。在本技术一实施例中，所述第一金属构件包括串联的复数个第一连接片，相邻所述第一连接片之间通过一第一连接筋相互连接；其中，每一所述第一连接片对应一所述第一芯片。在本技术一实施例中，所述第二金属构件包括串联的复数个第二连接片，相邻所述第二连接片之间通过一第二连接筋相互连接；其中，每一所述第二连接片对应一所述第二芯片。在本技术一实施例中，所述引线框架包括复数个阵列排列的框架单元，每一所述框架单元上设置一所述第一芯片，并且每一所述第一芯片对应设置一所述第二芯片。在本技术一实施例中，所述引线框架包括沿着一第一方向排列的M个框架单体，所述第一金属构件包括串联的m1个第一连接片，所述第二金属构件包括串联的m2个第二连接片；其中，M，m1及m2均为大于1的整数，并且，M被m1或m2整除。在本技术一实施例中，所述第一方向为所述引线框架的阵列的行方向或列方向。在本技术一实施例中，所述第一连接片与所述第一芯片及所述第二芯片之间电性连接，所述第二连接片与所述第二芯片之间电性连接。在本技术一实施例中，所述第一连接片与所述第一芯片及所述第二芯片之间的电性连接，以及，所述第二连接片与所述第二芯片之间的电性连接，均是通过在相互连接的表面之间设置的焊锡实现的。在本技术一实施例中，所述金属构件贴装方法还包括：在所述第一芯片与所述引线框架的引脚之间设置引线的步骤；以及，在所述第二芯片与所述引线框架的引脚之间设置引线的步骤。在本技术一实施例中，所述金属构件贴装方法还包括：将层叠为多层结构的所述引线框架、第一芯片、第一金属构件、第二芯片及第二金属构件，以及所述第一芯片及所述第二芯片分别与所述引线框架的引脚之间的引线进行封装，以形成复数个封装体的步骤；以及，切割每一所述封装体以形成一独立器件的步骤。根据本技术的另一方面，提供一种封装体，包括层叠为多层结构的引线框架、第一芯片、第一金属构件、第二芯片及第二金属构件，以及一塑封所述多层结构的塑封体；其中，所述第一金属构件具有至少一第一连接筋，所述第一连接筋自所述塑封体内延伸至所述塑封体的侧面。在本技术一实施例中，所述第二金属构件具有至少一第二连接筋，所述第二连接筋自所述封装体内延伸至所述封装体的侧面。在本技术一实施例中，所述封装体包括：设置于所述引线框架上的所述第一芯片，设置于所述第一芯片上的所述第一金属构件，设置于所述第一金属构件上的所述第二芯片，以及设置所述第二芯片上的所述第二金属构件，其中，所述第一金属构件与所述第一芯片、第二芯片及所述引线框架电性连接；所述第二金属构件与所述第二芯片及所述引线框架电性连接。在本技术一实施例中，所述第一金属构件的材料及所述第二金属构件的材料均为铜。在本技术中，通过将所述金属构件设置为串联形式，使得金属构件可以按照框架的单列颗粒数量的整除倍数进行多颗串联焊接，直到封装切割的时候再进行一起切断。这样，提高了焊接的精确度，减少了金属构件偏移量，实现多芯片叠层封装结构中的金属构件高精度焊接。附图说明图1是一现有多芯片叠层封装结构的剖面图；图2是根据本申请一实施例的多芯片叠层的金属构件贴装方法的结构示意图；图3A至图3E是与本申请一实施例的用于芯片叠层的金属构件贴装方法的步骤相对应的的立体结构示意图；图4A至图4E是与本申请一实施例的用于芯片叠层的金属构件贴装方法的步骤相对应的的主视图；图5是根据本申请一实施例的封装体的剖面图。具体实施方式以下，结合具体实施方式，对本技术的技术进行详细描述。应当知道的是，以下具体实施方式仅用于帮助本领域技术人员理解本技术，而非对本技术的限制。请参见图2，图2所示的是根据本专利技术一实施例的用于多芯片叠层封装结构的金属构件1。如图2所述，所述金属构件1包括串联的复数个连接片11，每一所述连接片11用于对应下文将详细描述的多芯片叠层封装结构中的一个芯片。如图2所示，相邻所述连接片11之间通过至少一连接筋12相互连接。所述金属构件1的材料均为铜。本领域技术人员可以理解的是，图2中所示的连接片11形状仅作为一个示范例，在本申请中所述连接片11的形状可以是根据实际工艺需要的任意形状。在本实施例中，还提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装体，包括层叠为多层结构的引线框架、第一芯片、第一金属构件、第二芯片及第二金属构件，以及一塑封所述多层结构的塑封体，其特征在于，所述第一金属构件具有至少一第一连接筋，所述第一连接筋自所述塑封体内延伸至所述塑封体的侧面。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装体，包括层叠为多层结构的引线框架、第一芯片、第一金属构件、第二芯片及第二金属构件，以及一塑封所述多层结构的塑封体，其特征在于，所述第一金属构件具有至少一第一连接筋，所述第一连接筋自所述塑封体内延伸至所述塑封体的侧面。


2.如权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述第二金属构件具有至少一第二连接筋，所述第二连接筋自所述封装体内延伸至所述封装体的侧面。


3.如权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述封装体包括：
设置于所述引线框架上的所述第一芯片，
设置于所述第一芯片上的所述第一金属构件，
设置于所述第一金属构件上的所述第二芯片，以及
设置所述第二芯片上的所述第二金属构件，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：阳小芮，陈文葛，
申请(专利权)人：上海凯虹科技电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31