【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物组合物
本申请要求基于于2017年11月7日提交的韩国专利申请第10-2017-0147013号的优先权权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本申请涉及聚合物组合物。
技术介绍
嵌段共聚物具有其中具有不同化学结构的聚合物嵌段经由共价键连接的分子结构。嵌段共聚物可以通过相分离形成周期性排列的结构,例如球体、圆柱体或层状体。通过嵌段共聚物的定向自组装现象形成的结构域的形状和大小可以通过例如形成各嵌段的单体的种类或嵌段之间的相对比例等来控制。由于这样的特性,正在考虑将嵌段共聚物应用于纳米线制造、下一代纳米元件例如量子点或金属点的制造、或者能够在预定基底上形成高密度图案的光刻法等。使嵌段共聚物的自组装结构在各种基底上水平或垂直取向的技术在嵌段共聚物的应用中占很大比例。通常,通过嵌段共聚物的自组装形成的纳米结构的取向根据嵌段共聚物的哪种嵌段暴露于表面或空气来确定。通常,许多基底为极性的,而空气为非极性的。因此,嵌段共聚物的嵌段中具有较大极性的嵌段润湿至基底,而具有较小极性的嵌段润湿至与空气的界面,因此,通常,通过嵌段共聚物的自组装形成的纳米结构相对于基底水平取向。然而,优选这样的技术:其中构成嵌段共聚物的不同嵌段同时润湿在基底侧上,使得上述纳米结构相对于基底垂直取向。因此,为了使上述纳米结构相对于基底垂直取向,已经提出了多种方法,其中,最典型的方法是在基底上形成用于构成嵌段共聚物的不同嵌段的中性表面的方法。
技术实现思路
技术问题本申请的一个目的是提供一种聚合物 ...
【技术保护点】
1.一种聚合物组合物,包含:嵌段共聚物,所述嵌段共聚物包含含有第一单体单元的聚合物链段A和与所述聚合物链段A的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小且含有第二单体单元的聚合物链段B;以及无规共聚物,所述无规共聚物含有所述第一单体单元和所述第二单体单元,其中在所述无规共聚物中,所述第二单体单元的体积分数为0.3至0.7,以及所述第一单体单元和所述第二单体单元的体积分数的总和为1。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171107 KR 10-2017-01470131.一种聚合物组合物,包含:嵌段共聚物,所述嵌段共聚物包含含有第一单体单元的聚合物链段A和与所述聚合物链段A的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小且含有第二单体单元的聚合物链段B;以及无规共聚物,所述无规共聚物含有所述第一单体单元和所述第二单体单元,其中在所述无规共聚物中,所述第二单体单元的体积分数为0.3至0.7,以及所述第一单体单元和所述第二单体单元的体积分数的总和为1。
2.根据权利要求1所述的聚合物组合物,其中所述聚合物链段A满足以下条件1至3中的至少一个:
条件1:在DSC分析中,所述聚合物链段A表现出在-80℃至200℃范围内的熔融转变峰或各向同性转变峰;
条件2:在XRD分析中,所述聚合物链段A表现出在0.5nm-1至10nm-1的散射矢量(q)范围内具有0.2nm-1至0.9nm-1范围内的半值宽度的峰;
条件3:所述聚合物链段A包含侧链,其中所述侧链中的成链原子的数量(n)与XRD分析中的散射矢量(q)满足以下方程式1:
[方程式1]
3nm-1≤nq/(2×π)≤5nm-1
其中,n为所述成链原子的数量,以及q为其中在所述嵌段共聚物的X射线衍射分析中观察到峰的最小散射矢量(q)或者其中观察到最大峰面积的峰的散射矢量(q)。
3.根据权利要求1所述的聚合物组合物,其中所述第一单体单元是由下式1表示的单元:
[式1]
其中,R为氢或具有1至4个碳原子的烷基,X为单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1-或-X1-C(=O)-,其中X1为氧原子、硫原子、亚烷基、亚烯基或亚炔基,以及Y为包含连接有具有8个或更多个成链原子的直链的环结构的一价取代基。
4.根据权利要求1所述的聚合物组合物,其中所述第二单体单元是由下式2表示的单元:
[式2]
其中,R为氢或具有1至4个碳原子的烷基,X2为单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1-或-X1-C(=O)-,其中X1为单键、氧原子、硫原子、亚烷基、亚烯基或亚炔基,以及W为含有至少一个卤素原子的芳基。
5.根据权利要求1所述的聚合物组...
【专利技术属性】
技术研发人员:李应彰,李美宿,具世真,姜那那,柳亨周,尹圣琇,朴鲁振,李济权,崔银英,许允衡,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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