【技术实现步骤摘要】
双向电子开关以及供电电路
本技术涉及开关控制
，尤其涉及一种双向电子开关以及供电电路。
技术介绍
直流供电系统需要控制开关以通过控制开关控制其工作。目前大多数使用继电器作为控制开关，利用继电器上的机械触点的动作实现电路的导通与关断。但是继电器的工作频率低，触点的开关动作时间为毫秒数量级，动作时间长，且机械触点还会出现抖动导致开合不稳定的情况，可靠性差。而且，由于继电器体积大，只能应用于体积较为宽大的产品以及需要长时间开通或关断的供电系统中，对于一些要求开关频率高、体积小的电路，继电器无法满足其要求。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提出一种双向电子开关以及供电电路，通过MOSFET控制电路的闭合与断开，开关时间短，工作频率高，可靠性好，而且减小了开关的体积，增加了应用范围。为解决上述问题，本技术采用的一个技术方案为：一种双向电子开关，所述双向电子开关包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管；所述第一MOS...
【技术保护点】
1.一种双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管；/n所述第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接，所述第二MOSFET的源极、漏极分别与所述第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOSFET的漏极连接，负极与所述第一MOSFET的源极连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOSFET的漏极连接，负极与所述第二MOSFET的源极连接；/n所述第一降压组件的一端与所述第一MOSFET的正极连接，另一端分别与所述第...
【技术特征摘要】
1.一种双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管；
所述第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接，所述第二MOSFET的源极、漏极分别与所述第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOSFET的漏极连接，负极与所述第一MOSFET的源极连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOSFET的漏极连接，负极与所述第二MOSFET的源极连接；
所述第一降压组件的一端与所述第一MOSFET的正极连接，另一端分别与所述第三MOSFET的漏极、第二MOSFET的栅极以及第一晶体管的栅极连接，所述第二降压组件的一端与所述第二MOSFET的源极连接，另一端与所述第二MOSFET的栅极连接，所述第一降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第二二极管的正向导通电压，所述第二降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第一二极管的正向导通电压；
所述第三MOSFET的源极接地，栅极与驱动信号输入端连接，其中，所述第一MOSFET和第二MOSFET为P沟道耗尽型MOSFET，第三MOSFET为N沟道增强型MOSFET，所述第三MOSFET通过所述驱动信号输入端接收驱动信号，并根据所述驱动信号导通或截止，进而控制所述直流输入端或直流输出端与所述直流输出端或直流输入端之间导通或断开。
2.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述第一降压组件包括第三二极管、第四二极管，所述第三二极管的负极与所述第一MOSFET的源极连接，正极与所述第四二极管的正极连接，所述第四二极管的负极与所述第一MOSFET的栅极连接。
3.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述第二降压组件包括第五二极管、第六二极管，所述第五二极管的负极与所述第二MOSFET的源极连接，正极与所述第六二极管的正极连接，所述第六二极管的负极与所述第二MOSFET的栅极连接。
4.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关还包括第一三极管、第二三极管，所述第一三极管的发射极、集电极分别与所述直流输入端或直流...
【专利技术属性】
技术研发人员：王中于，
申请(专利权)人：广州中逸光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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