双向电子开关以及供电电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种双向电子开关以及供电电路，该双向电子开关的第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接，第二MOSFET的源极、漏极分别与第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接，第一二极管的正负极分别与第一MOSFET的漏极、源极连接，第二二极管的正负极分别与第二MOSFET的漏极、源极连接；第一降压组件的一端与第一MOSFET的正极连接，另一端分别与第三MOSFET的漏极、第二MOSFET的栅极以及第一晶体管的栅极连接，第二降压组件的一端与第二MOSFET的源极连接，另一端与第二MOSFET的栅极连接；第三MOSFET的源极接地，栅极与驱动信号输入端连接。本实用新型专利技术通过MOSFET控制电路的闭合与断开，开关时间短，工作频率高，可靠性好，而且减小了开关的体积，增加了应用范围。

Two way electronic switch and power supply circuit

【技术实现步骤摘要】
双向电子开关以及供电电路
本技术涉及开关控制
，尤其涉及一种双向电子开关以及供电电路。
技术介绍
直流供电系统需要控制开关以通过控制开关控制其工作。目前大多数使用继电器作为控制开关，利用继电器上的机械触点的动作实现电路的导通与关断。但是继电器的工作频率低，触点的开关动作时间为毫秒数量级，动作时间长，且机械触点还会出现抖动导致开合不稳定的情况，可靠性差。而且，由于继电器体积大，只能应用于体积较为宽大的产品以及需要长时间开通或关断的供电系统中，对于一些要求开关频率高、体积小的电路，继电器无法满足其要求。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提出一种双向电子开关以及供电电路，通过MOSFET控制电路的闭合与断开，开关时间短，工作频率高，可靠性好，而且减小了开关的体积，增加了应用范围。为解决上述问题，本技术采用的一个技术方案为：一种双向电子开关，所述双向电子开关包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管；所述第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接，所述第二MOSFET的源极、漏极分别与所述第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOSFET的漏极连接，负极与所述第一MOSFET的源极连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOSFET的漏极连接，负极与所述第二MOSFET的源极连接；所述第一降压组件的一端与所述第一MOSFET的正极连接，另一端分别与所述第三MOSFET的漏极、第二MOSFET的栅极以及第一晶体管的栅极连接，所述第二降压组件的一端与所述第二MOSFET的源极连接，另一端与所述第二MOSFET的栅极连接，所述第一降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第二二极管的正向导通电压，所述第二降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第一二极管的正向导通电压；所述第三MOSFET的源极接地，栅极与驱动信号输入端连接，其中，所述第一MOSFET和第二MOSFET为P沟道耗尽型MOSFET，第三MOSFET为N沟道增强型MOSFET，所述第三MOSFET通过所述驱动信号输入端接收驱动信号，并根据所述驱动信号导通或截止，进而控制所述直流输入端或直流输出端与所述直流输出端或直流输入端之间导通或断开。进一步地，所述第一降压组件包括第三二极管、第四二极管，所述第三二极管的负极与所述第一MOSFET的源极连接，正极与所述第四二极管的正极连接，所述第四二极管的负极与所述第一MOSFET的栅极连接。进一步地，所述第二降压组件包括第五二极管、第六二极管，所述第五二极管的负极与所述第二MOSFET的源极连接，正极与所述第六二极管的正极连接，所述第六二极管的负极与所述第二MOSFET的栅极连接。进一步地，所述双向电子开关还包括第一三极管、第二三极管，所述第一三极管的发射极、集电极分别与所述直流输入端或直流输出端、第一MOSFET的栅极连接，所述第二三极管的发射极、集电极分别与所述直流输出端或直流输入端、第二MOSFET的栅极连接，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接。进一步地，所述双向电子开关还包括第一电容、第一电阻，所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电容的一端与所述第一三极管的集电极连接，另一端与所述第一三极管的基极连接。进一步地，所述双向电子开关还包括第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一三极管的基极连接，另一端与所述第三MOSFT的漏极连接。进一步地，所述双向电子开关还包括第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第三MOSFET的栅极连接，另一端与所述驱动信号输入端连接。进一步地，所述双向电子开关还包括第四电阻，所述第四电阻的一端与所述驱动信号输入端连接，另一端与所述第三MOSFT的栅极连接。基于相同的专利技术构思，本技术还提出一种供电电路，所述供电电路包括第一双向电子开关、第二双向电子开关、负载、电池以及控制电路，第一双向电子开关和/或第二双向电子开关包括如上所述的双向电子开关；所述第一双向电子开关的第一端与电源输入端连接，第二端与所述第二双向电子开关的第一端连接，所述第二双向电子开关的第二端与电池的正极连接，所述负载一端与所述第一双向电子开关的第二端连接，另一端与所述电池的负极、第一双向电子开关的接地端以及第二双向电子开关的接地端连接，所述控制电路分别与所述第一双向电子开关的驱动信号输入端、第二双向电子开关的驱动信号输入端连接，第一双向电子开关、第二双向电子开关根据所述驱动信号输入端输入的驱动信号闭合或断开，以控制电源输入端向所述电池供电或所述电池向所述负载供电。进一步地，所述供电电路还包括电阻，所述电阻的一端与所述第二双向电子开关的第二端连接，另一端与所述电池的正极连接；所述控制电路与所述第二双向电子开关的第二端连接以检测电池电量、充电电流。相比现有技术，本技术的有益效果在于：在双向电子开关中设置第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET，通过第三MOSFET接收的驱动信号控制第一MOSFET和第二MOSFET的导通与截止，进而电路的闭合与断开，开关时间短，工作频率高，可靠性好，而且减小了开关的体积，增加了应用范围。附图说明图1为本技术双向电子开关一实施例的结构图；图2为图1双向电子开关一实施例的简化示意图；图3为本实用信息供电电路一实施例的结构图。图中：D1、第一二极管；D2、第二二极管；Q1、第一MOSFET；Q2、第二MOSFET；Z1、第三二极管；Z2、第五二极管；Q3、第三MOSFET；Q4、第一三极管；Q5、第二三极管；D3、第四二极管；D4、第六二极管；C1、第一电容；R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；DR、驱动信号输入端；GND、接地端；R、电阻；S1、第一双向电子开关；S2、第二双向电子开关。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。请参阅图1-2，其中，图1为本技术双向电子开关一实施例的结构图；图2为图1双向电子开关一实施例的简化示意图。结合附图1-2对本技术双向电子开关作详细说明。在本实施例中，双向电子开关包括：第一MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)Q1、第二MOSFETQ2、第三MOSFETQ3、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管D1、第二二极管D2；第一MOSFETQ1的源极与直流输入端或直流输出端连接，第二MOSFETQ2的源极、漏极分别与第一MOSFETQ1的漏极、直流输出端或直流输入端连接，第一二极管D1的正极与第一MOSFETQ1的漏极连接，负极与第一MOSFETQ1的源极连接，第二二极管D2的正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管；/n所述第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接，所述第二MOSFET的源极、漏极分别与所述第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOSFET的漏极连接，负极与所述第一MOSFET的源极连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOSFET的漏极连接，负极与所述第二MOSFET的源极连接；/n所述第一降压组件的一端与所述第一MOSFET的正极连接，另一端分别与所述第三MOSFET的漏极、第二MOSFET的栅极以及第一晶体管的栅极连接，所述第二降压组件的一端与所述第二MOSFET的源极连接，另一端与所述第二MOSFET的栅极连接，所述第一降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第二二极管的正向导通电压，所述第二降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第一二极管的正向导通电压；/n所述第三MOSFET的源极接地，栅极与驱动信号输入端连接，其中，所述第一MOSFET和第二MOSFET为P沟道耗尽型MOSFET，第三MOSFET为N沟道增强型MOSFET，所述第三MOSFET通过所述驱动信号输入端接收驱动信号，并根据所述驱动信号导通或截止，进而控制所述直流输入端或直流输出端与所述直流输出端或直流输入端之间导通或断开。/n...

【技术特征摘要】
1.一种双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管；
所述第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接，所述第二MOSFET的源极、漏极分别与所述第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOSFET的漏极连接，负极与所述第一MOSFET的源极连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOSFET的漏极连接，负极与所述第二MOSFET的源极连接；
所述第一降压组件的一端与所述第一MOSFET的正极连接，另一端分别与所述第三MOSFET的漏极、第二MOSFET的栅极以及第一晶体管的栅极连接，所述第二降压组件的一端与所述第二MOSFET的源极连接，另一端与所述第二MOSFET的栅极连接，所述第一降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第二二极管的正向导通电压，所述第二降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第一二极管的正向导通电压；
所述第三MOSFET的源极接地，栅极与驱动信号输入端连接，其中，所述第一MOSFET和第二MOSFET为P沟道耗尽型MOSFET，第三MOSFET为N沟道增强型MOSFET，所述第三MOSFET通过所述驱动信号输入端接收驱动信号，并根据所述驱动信号导通或截止，进而控制所述直流输入端或直流输出端与所述直流输出端或直流输入端之间导通或断开。


2.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述第一降压组件包括第三二极管、第四二极管，所述第三二极管的负极与所述第一MOSFET的源极连接，正极与所述第四二极管的正极连接，所述第四二极管的负极与所述第一MOSFET的栅极连接。


3.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述第二降压组件包括第五二极管、第六二极管，所述第五二极管的负极与所述第二MOSFET的源极连接，正极与所述第六二极管的正极连接，所述第六二极管的负极与所述第二MOSFET的栅极连接。


4.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关还包括第一三极管、第二三极管，所述第一三极管的发射极、集电极分别与所述直流输入端或直流...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中于，
申请(专利权)人：广州中逸光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44