一种IGBT短路保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种IGBT短路保护电路，涉及欠压保护的技术领域，包括：推挽电路，滤波电路；第一稳压管D1，第二稳压管D2，第三稳压管D3，第四稳压管D4，显示模块LED1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第二电容C2，第三三极管Q3，第四三极管Q4；一旦发生短路情况，保护电路立马动作，迅速关断IGBT管，实现对IGBT管的有效保护。该电路没有采用MCU控制保护方式，也没有采用常规的采样电阻和电流电压传感器的采样方式，在没有复杂的控制电路参与的情况下采用价格低廉的普通半导体元器件实现保护功能降低了IGBT管保护的成本，同时提高了电路保护的可靠性。

IGBT short circuit protection circuit

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT短路保护电路
本技术涉及欠压保护
，尤其是涉及一种IGBT短路保护电路。
技术介绍
目前，最常用的过欠压保护技术主要采用以下几种思路。最主要的方式是采用运算放大器或者比较器作为控制环节的中心，利用采样电阻将采样点电压与基准电压进行比较，输出高低电平信号传递至IGBT模块实现有效关断。为了降低成本，现有技术如图1所示，Q1、Q2组成图腾柱结构，加强前后级隔离。PWM发生器发出PWM原始脉冲信号波形驱动图腾柱。由PWM的高低电平驱动Q1与Q2的分别导通，从而发出一组幅值为VIN的PWM驱动信号驱动IGBT的栅极,使主功率回路能量通过变压器正常向后传递。现有技术的欠压保护方法存在如下问题：其一，针对大量使用运算放大器及比较器以及各种与非门芯片的设计，其设计相对复杂，芯片太多，成本高，而且引入过而且大规模占用PCB板面，成本高，可靠性差。其二，MCU控制相对纯电路控制，不仅成本高而且需要人为设计逻辑程序，同时引入过多的元器件，增加故障点，减低了保护电路的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT短路保护电路，其特征在于，包括：推挽电路，滤波电路；第一稳压管D1，第二稳压管D2，第三稳压管D3，第四稳压管D4，显示模块LED1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第二电容C2，第三三极管Q3，第四三极管Q4；/n所述推挽电路的输入端与外部PWM发生器相连，所述推挽电路的输出分别与所述第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端相连；/n所述推挽电路的一端与外接高电平相连，所述推挽电路的另一端接地；/n所述第三电阻R3的另一端与所述第四稳压管D4的阳极相连；/n所述第四电阻R4的另一端与待保护的IGBT管的栅极相连；/n所述第四稳压管D4的阴极与待保护的IG...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT短路保护电路，其特征在于，包括：推挽电路，滤波电路；第一稳压管D1，第二稳压管D2，第三稳压管D3，第四稳压管D4，显示模块LED1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第二电容C2，第三三极管Q3，第四三极管Q4；
所述推挽电路的输入端与外部PWM发生器相连，所述推挽电路的输出分别与所述第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端相连；
所述推挽电路的一端与外接高电平相连，所述推挽电路的另一端接地；
所述第三电阻R3的另一端与所述第四稳压管D4的阳极相连；
所述第四电阻R4的另一端与待保护的IGBT管的栅极相连；
所述第四稳压管D4的阴极与待保护的IGBT管的集电极相连；
所述第一稳压管D1的阴极与外接高电平相连；
所述第一稳压管D1的阳极与所述第二电阻R2的一端相连；
所述第二电阻R2的另一端与显示模块LED1的阳极相连；
所述第五电阻R5的一端接地，所述第五电阻R5的另一端与所述待保护的IGBT管发射极相连；
所述显示模块LED1的阴极与所述第三三极管Q3的集电极相连；
所述第三三极管Q3的发射极接地，所述第三三极管Q3的基极分别与所述第三稳压管D3的阳极、所述第二电容C2的一端相连；
所述第二电容C2的另一端接地；
所述第四三极管Q4的基极与所述第二稳压管D2的阳极相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李则臣，张全超，
申请(专利权)人：天津瑞源电气有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12