一种高兼容性IGBT的驱动装置制造方法及图纸

技术编号:24305532 阅读:113 留言:0更新日期:2020-05-26 23:11
本实用新型专利技术公开了一种高兼容性IGBT的驱动装置,包括散热仓、导热层、负离子发生器、上行风道、下行风道、散热棒组、IGBT驱动模块、旋转散热风扇和双层风力除尘装置,所述IGBT驱动模块设于散热仓上,所述双层风力除尘装置设于IGBT驱动模块上,所述导热层设于IGBT驱动模块和散热仓之间,所述旋转散热风扇设于散热仓内,所述散热棒组设于旋转散热风扇两侧,所述负离子发生器设于旋转散热风扇和散热棒组之间,所述上行风道和下行风道一端连接于散热仓侧面,另一端连接于双层风力除尘装置侧面。本实用新型专利技术属于电力电子领域,具体是指一种设有负离子发生器可以利用散热的风力对IGBT进行除尘的高兼容性IGBT的驱动装置。

A driving device of IGBT with high compatibility

【技术实现步骤摘要】
一种高兼容性IGBT的驱动装置
本技术属于电力电子
,具体是指一种高兼容性IGBT的驱动装置。
技术介绍
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,但是目前IGBT仍然存在着诸多问题比如相同电压等级不同厂家IGBT无法完全适配,兼容性不够好,并且由于灰尘影响散热问题严重影响IGBT的使用寿命,同时静电对IGBT的伤害也不容忽视。
技术实现思路
为了解决上述难题,本技术提供了一种设有负离子发生器,解决了静电对IGBT的威胁,通过风力散热,设有并可以利用散热的风力对IGBT进行除尘的高兼容性IGBT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高兼容性IGBT的驱动装置,其特征在于:包括散热仓、导热层、负离子发生器、上行风道、下行风道、散热棒组、IGBT驱动模块、旋转散热风扇和双层风力除尘装置,所述IGBT驱动模块设于散热仓上,所述双层风力除尘装置设于IGBT驱动模块上方,所述导热层设于IGBT驱动模块和散热仓之间,所述旋转散热风扇设于散热仓内,所述散热棒组设于旋转散热风扇两侧,所述负离子发生器设于旋转散热风扇和散热棒组之间共有若干个,所述下行风道一端连接于散热仓侧面,所述下行风道另一端连接于双层风力除尘装置侧面,所述上行风道一端连接于散热仓一侧,所述上行风道另一端连接于双层风力除尘装置侧面,所述双层风力除尘装置包括上层廊道...

【技术特征摘要】
1.一种高兼容性IGBT的驱动装置,其特征在于:包括散热仓、导热层、负离子发生器、上行风道、下行风道、散热棒组、IGBT驱动模块、旋转散热风扇和双层风力除尘装置,所述IGBT驱动模块设于散热仓上,所述双层风力除尘装置设于IGBT驱动模块上方,所述导热层设于IGBT驱动模块和散热仓之间,所述旋转散热风扇设于散热仓内,所述散热棒组设于旋转散热风扇两侧,所述负离子发生器设于旋转散热风扇和散热棒组之间共有若干个,所述下行风道一端连接于散热仓侧面,所述下行风道另一端连接于双层风力除尘装置侧面,所述上行风道一端连接于散热仓一侧,所述上行风道另一端连接于双层风力除尘装置侧面,所述双层风力除尘装置包括上层廊道、下层廊道、悬挂滑槽杆、柔性除尘刷、滚轮、磁性吸附块、上层磁性吸附块和下层磁性吸附块,所述上层廊道连通于上行风道,所述下层廊道连通于下行风道,所述上层廊道设于下层廊道上,所述上层磁性吸附块设于上层廊道内,所述下层磁性吸附块设于下层廊道内,所述悬挂滑槽杆设于下层廊道下,所述磁性吸附块可滑动设于悬挂滑槽杆上壁,所述滚轮可滑动设于悬挂滑槽杆滑槽内,所述柔...

【专利技术属性】
技术研发人员:金明星
申请(专利权)人:穆棱市北一半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:黑龙;23

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