一种高兼容性IGBT模块装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种高兼容性IGBT模块装置，包括IGBT、温度传感器、导热层、散热风扇、散热仓、出气管道、进气管道、单向阀、水冷仓和制冷块，所述温度传感器设于IGBT模块上，所述散热仓设于IGBT模块下，所述水冷仓设于散热仓侧面上，所述导热层设于散热仓和IGBT模块之间，所述散热风扇设于散热仓内，所述出气管道一端设于散热仓侧面下端，另一端设于水冷仓侧面下端，所述单向阀设于出气管道与水冷仓侧面接触处，所述制冷块设于水冷仓内，所述进气管道一端连接于散热仓侧面上端，另一端设于水冷仓侧面上端。本实用新型专利技术属于电力电子领域，具体是指一种利用风冷水冷散热结合的高兼容性IGBT模块装置。

【技术实现步骤摘要】
一种高兼容性IGBT模块装置
本技术属于电力电子
，具体是指一种高兼容性IGBT模块装置。
技术介绍
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位，但是目前IGBT仍然存在着诸多问题比如相同电压等级不同厂家IGBT无法完全适配，兼容性不够好，并且散热问题严重影响IGBT的使用寿命。
技术实现思路
为了解决上述难题，本技术提供了一种利用风冷水冷散热结合的高兼容性IGBT模块装置。为了实现上述功能，本技术采取的技术方案如下：一种高兼容性IGBT模块装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高兼容性IGBT模块装置，其特征在于：包括IGBT、温度传感器、导热层、散热风扇、散热仓、出气管道、进气管道、单向阀、水冷仓和制冷块，所述温度传感器设于IGBT模块上，所述散热仓设于IGBT模块下，所述水冷仓设于散热仓侧面上，所述导热层设于散热仓和IGBT模块之间，所述散热风扇设于散热仓内，所述出气管道一端设于散热仓侧面下端，所述出气管道另一端设于水冷仓侧面下端，所述单向阀设于出气管道与水冷仓侧面接触处，所述制冷块设于水冷仓内，所述进气管道一端连接于散热仓侧面上端，所述进气管道另一端设于水冷仓侧面上端，所述散热风扇包括散热扇叶、散热风扇转轴、电机仓、支撑臂和驱动电机，所述散热风扇转轴为...

【技术特征摘要】
1.一种高兼容性IGBT模块装置，其特征在于：包括IGBT、温度传感器、导热层、散热风扇、散热仓、出气管道、进气管道、单向阀、水冷仓和制冷块，所述温度传感器设于IGBT模块上，所述散热仓设于IGBT模块下，所述水冷仓设于散热仓侧面上，所述导热层设于散热仓和IGBT模块之间，所述散热风扇设于散热仓内，所述出气管道一端设于散热仓侧面下端，所述出气管道另一端设于水冷仓侧面下端，所述单向阀设于出气管道与水冷仓侧面接触处，所述制冷块设于水冷仓内，所述进气管道一端连接于散热仓侧面上端，所述进气管道另一端设于水冷仓侧面上端，所述散热风扇包括散热扇叶、散热风...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明星，
申请(专利权)人：穆棱市北一半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙;23