发明专利技术涉及一种薄膜封装方法,待封装器件包括基板及主体元件,该方法包括以下步骤:在基板上形成围绕主体元件的堤坝,待封装器件设有成膜区和非成膜区,堤坝的一侧及主体元件位于成膜区内;将掩膜板覆盖于待封装器件的设有堤坝的一面;将掩膜板的底端面与基板的上端面之间的距离设置为L1,于待封装器件的成膜区形成第一无机材料层,非成膜区形成第一无机阴影层;在堤坝之间的第一无机材料层的表面形成有机材料层;在成膜区对应的有机材料层和第一无机材料层的表面上形成第二无机材料层,第一无机阴影层的表面形成第二无机阴影层;将掩膜板的底端面与基板的上端面之间的距离设置为L2,采用等离子刻蚀的方法去除第二无机阴影层及第一无机阴影层。
Film packaging method and its application
【技术实现步骤摘要】
薄膜封装方法及其应用
专利技术涉及封装
,特别是涉及薄膜封装方法及其应用。
技术介绍
薄膜封装(TFE)是适用于窄边框和柔性显示面板的封装技术,如图1所示,典型的薄膜封装结构由无机材料层11与有机材料层12交叠组成。其中,无机材料层11的主要作用为阻隔水氧,有机材料层12为平坦化层,主要作用为覆盖无机材料层11表面的缺陷,为后续成膜提供一个平坦的表面,并且能减小无机材料层表面的应力,以及防止缺陷扩展。如图1所示,在使用PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,等离子体增强化学的气相沉积法)、ALD(原子层沉积法)和溅射等方法沉积无机材料层11的过程中,由于掩膜板13和基板14之间有一段空位15,无机材料气体会流动至此空位15,所以会有显著的阴影效应,在堤坝16的外侧形成无机材料的阴影区17,18。阴影区17,18通常覆盖宽度为200μm~300μm的范围,不具备水氧阻隔的作用。若后续切割的位置在阴影区17,18内,则激光或刀轮会在阴影区17,18内产生许多裂纹,由于无机材料层11和阴影区17,18本质上是连续的同一物质,所以这些裂纹很容易扩散到无机材料层11中,尤其是在柔性屏幕经历多次弯折后。当这些裂纹到达无机材料层11的边缘,便会为水氧的渗入提供了通道,最终导致屏幕的边缘失效。
技术实现思路
基于此,有必要针对上述问题,提供一种薄膜封装方法,封装完毕后无阴影区,有效防止了因无机材料的阴影区带来的不良问题。一种薄膜封装方法,用于封装待封装器件,待封装器件包括基板及设于基板上的主体元件,薄膜封装方法包括以下步骤:在基板上形成围绕主体元件的堤坝,待封装器件具有堤坝的一面设有成膜区和非成膜区,堤坝的靠近主体元件的一侧及主体元件位于成膜区内;将掩膜板覆盖于待封装器件的设有堤坝的一面;将掩膜板的底端面与基板的上端面之间的距离设置为L1,于待封装器件的成膜区形成第一无机材料层,非成膜区形成第一无机阴影层;在堤坝之间的第一无机材料层的表面形成有机材料层;在成膜区对应的有机材料层和第一无机材料层的表面上形成第二无机材料层,第一无机阴影层的表面形成第二无机阴影层,第二无机材料层的厚度大于第一无机阴影层与第二无机阴影层的总厚度;将掩膜板的底端面与基板的上端面之间的距离设置为L2,采用等离子刻蚀的方法去除第二无机阴影层及第一无机阴影层。上述薄膜封装方法,采用等离子刻蚀的方法去除在制备第一无机材料层和第二无机材料层时分别形成的第一无机阴影层和第二无机阴影层,第二无机材料层采用合适的厚度,在等离子刻蚀后仍获得符合器件要求的厚度,并且在等离子刻蚀时增加掩膜板与基板之间的距离使等离子刻蚀获得良好的刻蚀效果;由于第一无机阴影层和第二无机阴影层已在等离子刻蚀中被去除,可以有效避免其在被切割到时产生的裂纹扩散至第一无机材料层和第二无机材料层,防止水和氧从第一无机材料层和第二无机材料层的边缘裂纹渗入,最终提高薄膜封装的封装效果和产品良率,提高了封装的可靠性,以及柔性产品的耐弯折能力。在其中一个实施例中,等离子刻蚀采用卤素气体进行刻蚀;第一无机材料层采用PECVD、ALD或溅射的方法形成;第二无机材料层采用PECVD、ALD或溅射的方法形成。在其中一个实施例中,卤素气体选自CF4与O2的混合气体、NF3、Cl2、HCl、HBr和BCl3中的至少一种。在其中一个实施例中,L2>L1;在其中一个实施例中,L2相比L1大100μm~200μm。在其中一个实施例中,L1为0~30μm;L2为100μm~230μm。在其中一个实施例中,第二无机材料层的厚度相比第一无机材料层的厚度增加了17%~23%。在其中一个实施例中,第二无机材料层经等离子刻蚀后的厚度等于第一无机材料层的厚度。在其中一个实施例中,第一无机材料层的无机材料选自SiNx、SiOx、SiOxNy、Al2O3和TiO2中的一种;第二无机材料层的无机材料选自SiNx、SiOx、SiOxNy、Al2O3和TiO2中的一种。在其中一个实施例中,有机材料层的原料为有机材料单体;有机材料层采用喷墨打印的方法形成。一种薄膜封装方法在制备显示器件中的应用。附图说明图1为传统薄膜封装方法的一较佳实施例的示意图;图2为本专利技术薄膜封装方法的一较佳实施例的成形第一无机材料层的示意图;图3为本专利技术薄膜封装方法中的成形有机材料层的示意图;图4为本专利技术薄膜封装方法中的成形第二无机材料层的示意图;图5为本专利技术薄膜封装方法中的等离子刻蚀后的示意图。具体实施方式为了便于理解专利技术,下面将对专利技术进行更全面的描述。但是,专利技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制专利技术。本专利技术提供了一种薄膜封装方法,主要用于设有堤坝的待封装器件,如薄膜器件等,待封装器件包括基板以及设于基板上的主体元件。所述薄膜封装方法包括以下步骤:S110:在基板上形成围绕主体元件的堤坝,待封装器件具有堤坝的一面设有成膜区和非成膜区,成膜区用于沉积封装材料,对应封装区,非成膜区对应待封装器件的边缘区,堤坝的靠近主体元件的一侧及主体元件位于成膜区内。堤坝采用有机绝缘材料,通过溶液法成膜刻蚀而成,或者通过掩模板,化学气相沉积而成。堤坝的主要作用是形成一个区域以限定后续功能膜层,如有机材料层的位置,并阻隔主体元件与水、氧的接触。所述堤坝的坝体可以是一层,也可以是多个间隔设置多层坝体。如一个实施例中,堤坝包括内堤坝和外堤坝两层坝体,内堤坝靠近主体元件,自外堤坝的靠近主体元件的一侧至主体元件的区域位于成膜区内,有机材料层形成于内堤坝之间。S220:将掩膜板覆盖于待封装器件的设有堤坝的一面,掩膜板紧靠堤坝的上端面,以紧靠待封装器件。S330:将掩膜板的底端面与基板的上端面之间的距离设置为L1,于待封装器件的成膜区形成第一无机材料层,非成膜区形成第一无机阴影层。掩膜板覆盖待封装器件后,由于掩膜板掩盖不到或掩盖不够紧密非成膜区,使部分第一无机材料逃逸至非成膜区,形成阴影层。一个实施例中,掩膜板的底端面与基板的上端面之间的距离L1为0~30μm,即掩膜板尽量贴紧待封装器件,避免掩膜板与待封装器件之间的距离过大,而影响第一无机材料层成形的准确性。掩膜板与待封装器件之间主要相隔堤坝,当堤坝的高度较小时,则L1较小。第一无机材料层覆盖待封装器件中对应成膜区的区域,形成初步的保护层,以隔离水和氧对发光结构的影响。第一无机材料层可以采用PECVD、ALD或溅射的方法形成。一个实施例中,第一无机材料层的无机材料本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜封装方法,用于封装待封装器件,所述待封装器件包括基板及设于所述基板上的主体元件,其特征在于,所述薄膜封装方法包括以下步骤:/n在所述基板上形成围绕所述主体元件的堤坝,所述待封装器件具有所述堤坝的一面设有成膜区和非成膜区,所述堤坝的靠近所述主体元件的一侧及所述主体元件位于所述成膜区内;/n将掩膜板覆盖于所述待封装器件的设有所述堤坝的一面;/n将所述掩膜板的底端面与所述基板的上端面之间的距离设置为L1,于所述待封装器件的所述成膜区形成第一无机材料层,所述非成膜区形成第一无机阴影层;/n在所述堤坝之间的所述第一无机材料层的表面形成有机材料层;/n在所述成膜区对应的所述有机材料层和所述第一无机材料层的表面上形成第二无机材料层,所述第一无机阴影层的表面形成第二无机阴影层,所述第二无机材料层的厚度大于所述第一无机阴影层与第二无机阴影层的总厚度;/n将所述掩膜板的底端面与所述基板的上端面之间的距离设置为L2,采用等离子刻蚀的方法去除所述第二无机阴影层及第一无机阴影层。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜封装方法,用于封装待封装器件,所述待封装器件包括基板及设于所述基板上的主体元件,其特征在于,所述薄膜封装方法包括以下步骤:
在所述基板上形成围绕所述主体元件的堤坝,所述待封装器件具有所述堤坝的一面设有成膜区和非成膜区,所述堤坝的靠近所述主体元件的一侧及所述主体元件位于所述成膜区内;
将掩膜板覆盖于所述待封装器件的设有所述堤坝的一面;
将所述掩膜板的底端面与所述基板的上端面之间的距离设置为L1,于所述待封装器件的所述成膜区形成第一无机材料层,所述非成膜区形成第一无机阴影层;
在所述堤坝之间的所述第一无机材料层的表面形成有机材料层;
在所述成膜区对应的所述有机材料层和所述第一无机材料层的表面上形成第二无机材料层,所述第一无机阴影层的表面形成第二无机阴影层,所述第二无机材料层的厚度大于所述第一无机阴影层与第二无机阴影层的总厚度;
将所述掩膜板的底端面与所述基板的上端面之间的距离设置为L2,采用等离子刻蚀的方法去除所述第二无机阴影层及第一无机阴影层。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述等离子刻蚀采用卤素气体进行刻蚀;所述第一无机材料层采用PECVD、ALD或溅射的方法形成;所述第二无机材料层采用PECVD、ALD或溅射的方法形成。
3.根据权利要求2所述的薄膜封装方...
【专利技术属性】
技术研发人员:林杰,唐卫东,
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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