一种阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及显示面板。显示面板包括阵列基板，阵列基板包括衬底基板、驱动电路层、平坦层、反射层、光学介质层、黑色遮光层、第一电极层以及像素定义层。本发明专利技术通过在所述阵列基板中设置光学介质层，以此将较厚的有机电荷传输层分担的光学腔长转移到阵列基板上的光学介质层，在不影响有机电致发光二极管器件光学腔长的同时，减少了有机电荷传输层的厚度，有效减少显示面板的制作成本。同时借助于高折射率的光学介质层，可以有效增加经反射后光线的出光效率，提高了有机电致发光二极管器件的发光效率，降低了显示面板的功耗。

An array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED)显示面板是一种新兴的平板显示器，其具备自发光，对比度高，厚度薄，视角广，反应速度快，可用于柔性显示面板等优异的特性，因此具有非常好的发展前景。目前的有机电致发光二极管显示面板，通常是反射电极与半透明半反射电极来作为器件的两个电极层。两个电极之间为其光学腔长。调节器件的光学腔长，需要通过调节有机电荷传输层的厚度来实现。由于红、绿、蓝三色的最佳光学腔长不同，因此需要较厚的有机电荷传输层厚度来进行调节腔长，材料成本高昂。同时传统有机电荷传输材料的折射率一般都在1.5-1.8左右，折射率比无机材料低，有机电致发光二极管器件发出的光在材料界面处因为全反射等损耗较多。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种阵列基板及显示面板，通过在所述阵列基板中设置光学介质层，以此将较厚的有机电荷传输层分担的光学腔长转移到阵列基板上的光学介质层，在不影响有机电致发光二极管器件光学腔长的同时，减少了有机电荷传输层的厚度，有效减少显示面板的制作成本。同时，借助于高折射率的光学介质层，可以有效增加经反射后光线的出光效率，提高了有机电致发光二极管器件的发光效率，降低了显示面板的功耗。为了实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板、驱动电路层、平坦层、反射层、光学介质层、黑色遮光层、第一电极层以及像素定义层；具体地讲，所述驱动电路层设有多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管单元设有漏电极；所述平坦层设于所述驱动电路层上；所述反射层设于所述平坦层上，所述反射层包括多个反射单元，每一反射单元与每一所述薄膜晶体管单元对应设置；所述光学介质层设于所述反射层上；所述黑色遮光层设于所述平坦层上，所述黑色遮光层包括多个黑色遮光单元，所述黑色遮光单元与所述反射单元间隔设置；所述第一电极层设于所述光学介质层上，所述第一电极层包括多个阳极，每一阳极与所述反射层及所述漏电极对应设置，每一阳极穿过一过孔与所述漏电极电连接；所述像素定义层设于所述黑色遮光单元上，所述像素定义层包括多个像素定义单元，相邻两个所述像素定义单元围成一像素定义槽。进一步地，所述像素定义层与所述黑色遮光层的材质相同或者不同。进一步地，所述过孔的孔底为所述漏电极；所述过孔从下至上依次贯穿所述平坦层以及所述黑色遮光单元，或者所述过孔从下至上依次贯穿所述平坦层、所述反射层以及所述光学介质层。进一步地，所述反射层的材质包括Ag、Al、Mg或Ti中的一种或几种的合金。进一步地，所述光学介质层的材质包括TiOx、NbOx、ZrOx、ZnOx、CeOx、TaOx、MoOx、SiNx、ITO、IZO、ZnSx或ZnSex中的任一种。进一步地，所述第一电极层的材质包括Ag、Mg、ITO、IZO或MgAg合金；所述第一电极层在可见光范围内的透过率为大于等于60％；所述第一电极层的面电阻小于等于100Ω/□。进一步地，所述像素定义槽的深度范围为1um-3um。本专利技术还提供一种显示面板，包括所述阵列基板、有机发光层、第二电极层、光取出层、牺牲保护层以及封装层；具体地讲，所述有机发光层设于所述阵列基板上，所述有机发光层包括红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元；所述第二电极层设于所述有机发光层上；所述光取出层设于所述第二电极层上；所述牺牲保护层设于所述光取出层上；所述封装层设于所述牺牲保护层上。进一步地，所述有机发光层材料的折射率小于所述光学介质层材料的折射率。进一步地，在一个所述像素定义槽内设置两个所述蓝色像素单元。进一步地，所述红色像素单元的中心到所述反射层的光学长度为所述绿色像素单元的中心到所述反射层的光学长度为所述蓝色像素单元的中心到所述反射层的光学长度为其中，m为整数，λR、λG、λB分别为红光、绿光及蓝光的波长。本专利技术的优点在于，提供一种阵列基板及显示面板，通过将传统的有机电致发光二极管显示面板的反射电极一拆为二，在中间引入光学介质层，以此将较厚的有机电荷传输层分担的光学腔长转移到阵列基板上的光学介质层，在不影响有机电致发光二极管器件光学腔长的同时，减少了有机电荷传输层的厚度，有效减少显示面板的制作成本。同时，相比于传统的有机电致发光二极管器件结构，借助于高折射率的光学介质层，可以有效增加经反射后光线的出光效率，提高了有机电致发光二极管器件的发光效率，降低了显示面板的功耗。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术第一实施例中一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术第二实施例中一种阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例中一种显示面板的结构示意图；图4为本专利技术实施例中另一种显示面板的结构示意图；图5为本专利技术实施例中所述有机发光层的膜层相对位置关系，主要体现所述有机发光层的结构示意图。图中部件标识如下：1、衬底基板，2、驱动电路层，3、平坦层，4、反射层，5、光学介质层，6、黑色遮光层，7、第一电极层，8、像素定义层，10、过孔，20、薄膜晶体管单元，21、有源层，22、栅极绝缘层，23、栅极层，24、层间绝缘层，25、源漏极层，41、反射单元，61、黑色遮光单元，71、阳极，81、像素定义单元，82、像素定义槽，100、阵列基板，200、显示面板，210、有机发光层，211、第一电荷传输层，212、发光层，213、第二电荷传输层，214、第一电荷注入层，215、第二电荷注入层，220、第二电极层，230、光取出层，240、牺牲保护层，250、封装层，251、源电极，252、漏电极，2101、红色像素单元，2102、绿色像素单元，2103、蓝色像素单元。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系和电连接关系，某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。实施例1请参阅图1所示，本专利技术第一实施例中提供一种阵列基板100，包括衬底基板1、驱动电路层2、平坦层3、反射层4、光学介质层5、黑色遮光层6、第一电极层7以及像素定义层8。具体地讲，所述驱动电路层2设有多个薄膜晶体管单元20，每一薄膜晶体管单元20设有漏电极252；所述平坦层3设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n驱动电路层，设有多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管单元设有漏电极；/n平坦层，设于所述驱动电路层上；/n反射层，设于所述平坦层上，所述反射层包括多个反射单元，每一反射单元与每一所述薄膜晶体管单元对应设置；/n光学介质层，设于所述反射层上；/n黑色遮光层，设于所述平坦层上，所述黑色遮光层包括多个黑色遮光单元，所述黑色遮光单元与所述反射单元间隔设置；/n第一电极层，设于所述光学介质层上，所述第一电极层包括多个阳极，每一阳极与所述反射层及所述漏电极对应设置，每一阳极穿过一过孔与所述漏电极电连接；以及/n像素定义层，设于所述黑色遮光单元上，所述像素定义层包括多个像素定义单元，相邻两个所述像素定义单元围成一像素定义槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
驱动电路层，设有多个薄膜晶体管单元，每一薄膜晶体管单元设有漏电极；
平坦层，设于所述驱动电路层上；
反射层，设于所述平坦层上，所述反射层包括多个反射单元，每一反射单元与每一所述薄膜晶体管单元对应设置；
光学介质层，设于所述反射层上；
黑色遮光层，设于所述平坦层上，所述黑色遮光层包括多个黑色遮光单元，所述黑色遮光单元与所述反射单元间隔设置；
第一电极层，设于所述光学介质层上，所述第一电极层包括多个阳极，每一阳极与所述反射层及所述漏电极对应设置，每一阳极穿过一过孔与所述漏电极电连接；以及
像素定义层，设于所述黑色遮光单元上，所述像素定义层包括多个像素定义单元，相邻两个所述像素定义单元围成一像素定义槽。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层与所述黑色遮光层的材质相同。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔的孔底为所述漏电极；所述过孔从下至上依次贯穿所述平坦层以及所述黑色遮光单元，或者所述过孔从下至上依次贯穿所述平坦层、所述反射层以及所述光学介质层。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层的材质包括Ag、Al、Mg或Ti中的一种或几种的合金。


5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：上官荣刚，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42