【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
为了制备大尺寸高分辨率底发射OLED或QLED显示面板，需要降低显示面板结构中像素的大小，即薄膜晶体管(TFT)、电容以及走线尽量占比少，以增加像素透光区域的面积。然而每个像素中需要TFT区域，电容区域，发光区域与走线区域。但是TFT区域、电容区域、发光区域与走线区域需要一定的尺寸保证功能，所以减小的幅度有限，依然会占用一定的像素区域，从而影响显示面板的开口率。因此，现有技术存在缺陷，急需解决。
技术实现思路
本申请提供一种显示面板及其制作方法，能够解决大尺寸高分辨率的显示面板像素开口率低的问题。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提供一种显示面板，包括：衬底；TFT器件层，设置于所述衬底上，包括薄膜晶体管和电容；发光层器件层，设置于所述TFT器件层上；薄膜封装层，设置于所述发光层器件层上；其中，所述电容为透明电容。在本申请的显...
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：/n衬底；/nTFT器件层，设置于所述衬底上，包括薄膜晶体管和电容；/n发光层器件层，设置于所述TFT器件层上；/n薄膜封装层，设置于所述发光层器件层上；/n其中，所述电容为透明电容。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
TFT器件层，设置于所述衬底上，包括薄膜晶体管和电容；
发光层器件层，设置于所述TFT器件层上；
薄膜封装层，设置于所述发光层器件层上；
其中，所述电容为透明电容。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电容包括相对设置且相互绝缘的第一电极和第二电极，其中所述第二电极与所述薄膜晶体管的源/漏极同层且电连接，所述第一电极与所述薄膜晶体管的有源层同层且相间隔设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极与所述有源层的材料相同，并且所述第一电极是通过导体化后形成的。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述源/漏极包括层叠的透明电极和金属电极，所述透明电极与所述有源层接触，所述金属电极位于所述透明电极之上。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述透明电极的延伸部的至少一部分与所述第一电极重叠。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极包括所述透明电极延伸至所述金属电极外的部分。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的发光层器件层的阳极包括所述第二电极。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电容位于所述显示面板对应显示区的位置。
技术研发人员：林振国，张鹏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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