基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化方法技术

本发明专利技术公开了一种基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化的方法，涉及无损检测信号处理领域，包括：利用一个极板间距为S的探头接收包括非导电材料开口缺陷在内的输入单对电极电容成像连续n个位置处的检测信号电压值U

A method of quantification of the width direction of opening defects in non-conductive materials based on the single pair electrode capacitance imaging detection technology

【技术实现步骤摘要】
基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化方法
本专利技术涉及无损检测信号处理领域，尤其涉及一种基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化方法。
技术介绍
电容成像检测技术是一种基于边缘电容效应，适用于非导电材料材料开口缺陷检测的新兴无损检测技术，其利用检测探头在非导电材料被测试件内部形成特定的电场分布进行缺陷的检测和评估。当无缺陷时，电场分布无扰动；当有缺陷存在时，会改变电场的分布并引起检测极板上电荷的变化。现有技术中，利用单对电极电容成像检测技术对非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸的量化都是采用绘制输入单对电极电容成像缺陷检测信号Yn关于检测位置Xn的曲线，其中，Yn信号为Hn提离距离下的探头电压信号，该检测信号反应非导电材料开口缺陷的有无。同时，基于电容成像检测技术的原理和特点，如图1所示，当没缺陷时，Yn信号稳定于某一数值，为一常数；当有缺陷时，Yn信号出现波谷。但是，基于电容成像检测技术测量灵敏度分布的原理和特点，如图2所示，利用Yn信号波谷之间的长度C＝C2-C1来计算本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化方法，应用于近表面提离高度下的单对电极电容成像检测技术的缺陷检测信号，其特征在于，包括：/n选择一个固定的近表面提离高度H

【技术特征摘要】
1.一种基于单对电极电容成像检测技术的非导电材料开口缺陷宽度方向尺寸量化方法，应用于近表面提离高度下的单对电极电容成像检测技术的缺陷检测信号，其特征在于，包括：
选择一个固定的近表面提离高度H1，利用极板间距为S的探头接收输入的单对电极电容成像缺陷检测信号，其中提离高度H1应小于探头的极板间距S，所述单对电极电容成像缺陷检测信号包含有限个连续增大的检测位置(X1<X2<……<Xn-1<Xn)处的检测电压值(U1、U2、……、Un-1、Un)；
对所述提离距离H1下的检测信号电压值Un计算关于检测位置Xn的导数ΔUn＝(Un+1-Un)/(Xn+1-Xn)，并绘制所述检测信号电压值导数ΔUn关于检测位置Xn的曲线；
对所述检测信号电压值导数ΔUn关于检测位置Xn的曲线进行最大值点Xmax点和最小值点Xmin获取，计算最大值点Xmax点和最小值点Xmin之间的距离L＝|Xmax-Xmin|；
非导电材料开口缺陷宽度方向的尺寸D等于所述最大值点Xmax点和最小值点Xmin之间的距离L减去探头的极板间距S，即D＝L-S。


2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷晓康，谷悦，李振，李晨，王克凡，符嘉明，曹松，李伟，陈国明，
申请(专利权)人：中国石油大学华东，
类型：发明
国别省市：山东;37