【技术实现步骤摘要】
一种具有在线监测功能的化学气相沉积装置
本专利技术涉及工艺监测
，尤其涉及一种具有在线监测功能的化学气相沉积装置。
技术介绍
芯片是集成电路、高密度存储、显示照明、电力电子、航空发动机高温传感器等高新
的基石，而低缺陷半导体薄膜的制备是芯片制造的关键，在国民经济建设、国家战略新兴产业以及国家安全中发挥着不可替代的作用。化学气相沉积(CVD)是掺杂及调控半导体薄膜生长的理想方法，其属于一个典型的多物理场、跨尺度、高精度的复杂工艺过程。在薄膜制备过程中，由于生长条件的波动以及生长环境中污染物、杂质等混入，制备的薄膜材料内部容易产生一系列缺陷，从而在薄膜内存在过多的残余应力，这些残余应力的存在会大大降低薄膜材料的性能，进而限制其在光电器件和集成电路等众多领域中的应用。因此，薄膜应力的测量是重要的一个方面。目前，存在一些实时监测薄膜生长的方法，如公开号为CN103196773A的中国专利公开的“一种在线测量PLD薄膜化学计量比及各成分质量的装置”和公开号为CN201410668906的中国专利公开的“一种...
【技术保护点】
1.一种具有在线监测功能的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：生长腔(1)、位于所述生长腔(1)内的基片台(2)、位于所述基片台(2)上的薄膜衬底(3)、位于所述生长腔(1)内并相对位于所述薄膜衬底(3)上方的喷淋头(4)、位于所述生长腔(1)外并用于监测生长于所述薄膜衬底(3)表面薄膜表面平整度的第一测量装置、位于所述生长腔(1)外并用于监测所述薄膜内部应力的第二测量装置及位于所述生长腔(1)外并用于监测所述薄膜内残余应力的第三测量装置。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有在线监测功能的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：生长腔(1)、位于所述生长腔(1)内的基片台(2)、位于所述基片台(2)上的薄膜衬底(3)、位于所述生长腔(1)内并相对位于所述薄膜衬底(3)上方的喷淋头(4)、位于所述生长腔(1)外并用于监测生长于所述薄膜衬底(3)表面薄膜表面平整度的第一测量装置、位于所述生长腔(1)外并用于监测所述薄膜内部应力的第二测量装置及位于所述生长腔(1)外并用于监测所述薄膜内残余应力的第三测量装置。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一测量装置包括CCD相机(5)和设于所述CCD相机(5)一侧的光线发生器(6)，所述CCD相机(5)及所述光线发生器(6)设于所述生长腔(1)的顶部。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二测量装置包括用于产生激光的激光发生器(7)、光谱仪(8)以及用于将所述激光发生器(7)产生的激光输入所述生长腔(1)内并将产生的拉曼散射光传输至所述光谱仪(8)的光学...
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