用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，包括：第一管路组件、冷阱组件、动力设备、第一压差计和排放管路；第一管路组件包括第一管路和设置在第一管路上的阀门，第一管路的第一端与真空工艺腔室的出口相连，第一管路的第二端与冷阱组件的入口相连；排放管路与冷阱的出口相连通，动力设备设置在排放管路上；第一压差计的第一端与真空工艺腔室相连，第一压差计的第二端与第一管路相连。本实用新型专利技术的技术方案有效地解决了现有技术中的MOCVD在生产过程中管路堵塞不容易发现的问题。

Pipeline monitoring device for tail gas of MOCVD vacuum equipment

【技术实现步骤摘要】
用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置
本技术涉及半导体制作的
，具体而言，涉及一种用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置。
技术介绍
MOCVD(metal-organicchemicalvapordeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料，这样会产生大量的有毒有害的物质危害环境。通常需要通过管路将有毒有害的物质排走，但是管路经常堵塞而导致排气失效。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，以解决现有技术中的MOCVD在生产过程中管路堵塞不容易发现的问题。为了实现上述目的，本技术提供了一种用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，包括：第一管路组件、冷阱组件、动力设备、第一压差计和排放管路；第一管路组件包括第一管路和设置在第一管路上的阀门，第一管路的第一端与真空工艺腔室的出口相连，第一管路的第二端与冷阱组件的入口相连；排放管路与冷阱组件的出口相连通，动力设备设置在排放管路上；第一压差计的第一端与真空工艺腔室相连，第一压差计的第二端与第一管路相连。进一步地，第一管路包括至少一个第一分支管路和第二分支管路，阀门包括第一阀门，第一分支管路的第一端与真空工艺腔室相连通，第一分支管路的第二端与第二分支管路的第一端相连，第一分支管路上设置有第一阀门，第二分支管路的第二端与冷阱组件相连。进一步地，第一压差计的第一端与真空工艺腔室相连，第一压差计的第二端连接在第一阀门和真空工艺腔室之间的第一分支管路上。进一步地，阀门还包括第二阀门和第三阀门，第二阀门和第三阀门相间隔地设置在第二分支管路上，管路监测装置还包括跨接管路，跨接管路的第一端连接在第二阀门和第三阀门之间的第二分支管路上，跨接管路的第二端连接在动力设备和冷阱组件之间的排放管路上。进一步地，管路监测装置还包括第二压差计，第二压差计的第一端与真空工艺腔室相连，第二压差计的第二端连接在第二阀门和第二分支管路的第一端之间的第二分支管路上。进一步地，管路监测装置还包括第一真空规，第一真空规设置在第三阀门和冷阱组件之间的第二分支管路上。进一步地，管路监测装置还包括第四阀门，第四阀门设置在跨接管路和排放管路的连接点与冷阱组件之间的排放管路上。进一步地，排放管路还包括并联管路段，并联管路段位于跨接管路和排放管路的连接点与动力设备之间的排放管路上，并联管路段包括并联设置的第一管路段和第二管路段，第一管路段上设置有第五阀门，第二管路段上设置有第六阀门。进一步地，管路监测装置还包括第二真空规和第三真空规，第二真空规与真空工艺腔室相连，第三真空规设置在排放管路上。进一步地，管路监测装置还包括控制结构，第一压差计和动力设备均与控制结构电连接。应用本技术的技术方案，MOCVD工作时会产生有毒有害的物质，通过动力设备将有毒有害的物质排出真空工艺腔室以进行处理，有毒有害的物质通过第一管路组件进入到冷阱组件，再从排放管路排走。第一压差计的第一端与真空工艺腔室相连，第一压差计的第二端与第一管路相连，当第一压差计测量压力异常时，可以及时发现问题：例如第一压差计的温度升高，有可能是第一管路堵塞应及时疏通。本技术的技术方案有效地解决了现有技术中的MOCVD在生产过程中管路堵塞不容易发现的问题。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1示出了根据本技术的管路监测装置的实施例的工艺结构示意图；以及图2示出了图1的管路监测装置的局部结构示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、第一管路组件；11、第一分支管路；12、第二分支管路；13、第一阀门；20、冷阱组件；30、动力设备；40、第一压差计；50、排放管路；51、第一管路段；52、第二管路段；60、跨接管路。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。如图1和图2所示，本实施例的用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，包括：第一管路组件10、冷阱组件20、动力设备30、第一压差计40和排放管路50。第一管路组件10包括第一管路和设置在第一管路上的阀门，第一管路的第一端与真空工艺腔室的出口相连，第一管路的第二端与冷阱组件20的入口相连。排放管路50与冷阱组件20的出口相连通，动力设备30设置在排放管路50上。第一压差计40的第一端与真空工艺腔室相连，第一压差计40的第二端与第一管路相连。应用本实施例的技术方案，MOCVD工作时会产生有毒有害的物质，通过动力设备30将有毒有害的物质排出真空工艺腔室以进行处理，有毒有害的物质通过第一管路组件10进入到冷阱组件20，再通过排放管路50排出。第一压差计40的第一端与真空工艺腔室相连，第一压差计40的第二端与第一管路相连，当第一压差计40测量压力异常时，可以及时发现问题：例如第一压差计的压力升高，有可能是第一管路堵塞应及时疏通。本实施例的技术方案有效地解决了现有技术中的MOCVD在生产过程中管路堵塞不容易发现的问题。如图1所示，在本实施例的技术方案中，第一管路包括至少一个第一分支管路11和第二分支管路12，阀门包括第一阀门13，第一分支管路11的第一端与真空工艺腔室相连通，第一分支管路11的第二端与第二分支管路12的第一端相连，第一分支管路11上设置有第一阀门13，第二分支管路12的第二端与冷阱组件20相连。将第一管路分为分支管路的方式，使得管路的走向、连接更加灵活多变。具体地，在本实施例的技术方案中，第一分支管路11位多个，多个第一分支管路11的第一端均与真空工艺腔室相连通，多个第二分支管路11的第二端汇合并与第二分支管路12的第一端相连。各第一分支管路11上均设置有第一阀门13。第一压差计40为与多个第一分支管路11一一对应地多个，这样每个第一分支管路均能够进行实时的监测，提高了第一分支管路11的监测的准确性。如图1和图2所示，在本实施例的技术方案中，第一压差计40的第一端与真空工艺腔室相连，第一压差计40的第二端连接在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，其特征在于，包括：第一管路组件(10)、冷阱组件(20)、动力设备(30)、第一压差计(40)和排放管路(50)；/n所述第一管路组件(10)包括第一管路和设置在所述第一管路上的阀门，所述第一管路的第一端与真空工艺腔室的出口相连，所述第一管路的第二端与所述冷阱组件(20)的入口相连；/n所述排放管路(50)与所述冷阱组件(20)的出口相连通，所述动力设备(30)设置在所述排放管路(50)上；/n所述第一压差计(40)的第一端与所述真空工艺腔室相连，所述第一压差计(40)的第二端与所述第一管路相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，其特征在于，包括：第一管路组件(10)、冷阱组件(20)、动力设备(30)、第一压差计(40)和排放管路(50)；
所述第一管路组件(10)包括第一管路和设置在所述第一管路上的阀门，所述第一管路的第一端与真空工艺腔室的出口相连，所述第一管路的第二端与所述冷阱组件(20)的入口相连；
所述排放管路(50)与所述冷阱组件(20)的出口相连通，所述动力设备(30)设置在所述排放管路(50)上；
所述第一压差计(40)的第一端与所述真空工艺腔室相连，所述第一压差计(40)的第二端与所述第一管路相连。


2.根据权利要求1所述的用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，其特征在于，所述第一管路包括至少一个第一分支管路(11)和第二分支管路(12)，所述阀门包括第一阀门(13)，所述第一分支管路(11)的第一端与所述真空工艺腔室相连通，所述第一分支管路(11)的第二端与所述第二分支管路(12)的第一端相连，所述第一分支管路(11)上设置有第一阀门(13)，所述第二分支管路(12)的第二端与所述冷阱组件(20)相连。


3.根据权利要求2所述的用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，其特征在于，所述第一压差计(40)的第二端连接在所述第一阀门(13)和所述真空工艺腔室之间的所述第一分支管路(11)上。


4.根据权利要求2所述的用于MOCVD真空设备尾气的管路监测装置，其特征在于，所述阀门还包括第二阀门和第三阀门，所述第二阀门和所述第三阀门相间隔地设置在所述第二分支管路(12)上，所述管路监测装置还包括跨接管路(60)，所述跨接管路(60)的第一端连接在所述第二阀门和所述第三阀门之间的所述第二分支管路(12)上，所述跨接管路(60)的第二端连接在所述动力设备(30)和所述冷阱组件(20)之...

【专利技术属性】
技术研发人员：张进秋，赵青松，梁旭，张金斌，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11