【技术实现步骤摘要】
配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备
本技术涉及锗单晶制备
,尤其是涉及一种配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备。
技术介绍
高纯锗晶体是锗产品中纯度最高的一种材料,探测器级高纯锗晶体(13N)的两个基本指标是净杂质浓度必须低于2×1010cm-3,位错密度小于5×103cm-2。高纯锗晶体的制备过程主要包括区熔提纯和单晶生长两个步骤。在锗晶体的区熔提纯过程中,目前一般采用区熔舟和区熔管配合进行,使锗锭在区熔舟内进行提纯。但是,现有技术中区熔提纯的区熔效率低,电能浪费大,所以造成现有技术中的区熔提纯成本较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备,以解决现有技术中存在的区熔提纯成本较高的技术问题。本技术提供的一种配合区熔管使用的区熔舟,包括:上舟体和下舟体,所述上舟体设置在所述下舟体的顶端,所述上舟体和所述下舟体在自下至上的方向上横截面面积逐渐增大;间隔支撑件,所述间隔支撑件支撑在所述上舟体和所述下舟体之间。进一步的,所述上舟体和所 ...
【技术保护点】
1.一种配合区熔管使用的区熔舟,其特征在于,包括:/n上舟体和下舟体,所述上舟体设置在所述下舟体的顶端,所述上舟体和所述下舟体在自下至上的方向上横截面面积逐渐增大;/n间隔支撑件,所述间隔支撑件支撑在所述上舟体和所述下舟体之间。/n
【技术特征摘要】
1.一种配合区熔管使用的区熔舟,其特征在于,包括:
上舟体和下舟体,所述上舟体设置在所述下舟体的顶端,所述上舟体和所述下舟体在自下至上的方向上横截面面积逐渐增大;
间隔支撑件,所述间隔支撑件支撑在所述上舟体和所述下舟体之间。
2.根据权利要求1所述的区熔舟,其特征在于,所述上舟体和所述下舟体的高度之比在1:1至1:2之间。
3.根据权利要求1所述的区熔舟,其特征在于,所述间隔支撑件为隔板。
4.根据权利要求3所述的区熔舟,其特征在于,所述隔板的材质为石英。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的区熔舟,其特征在于,所述上舟体和/或所述下舟体的内侧壁涂覆隔离涂层。
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【专利技术属性】
技术研发人员:朱显超,李万朋,许所成,张嘉亮,雷同光,冯德伸,霍承松,
申请(专利权)人:有研光电新材料有限责任公司,
类型:新型
国别省市:河北;13
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