一种咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体及其制备方法，包括：步骤i.第一溶剂与清洗剂混合洗涤、离心、烘干微纳米金属颗粒；步骤ii.常温下，将清洗后的微纳米颗粒与第二溶剂、含咪唑基团的有机分子混合反应制得咪唑基团修饰的微纳米颗粒分散液；步骤iii.将所述分散液经离心、过滤、洗涤、烘干制得咪唑基团修饰的微纳米颗粒粉体；步骤iiii.将所述微纳米颗粒粉体与分散剂混合均匀超声振荡制得微纳米颗粒膏体。咪唑基团的引入提升抗氧化性能，及其在膏体中的分散性，从而提升了膏体的烧结性能。在本方法在常温下即可制得，成本低廉，普适用于纳米微米尺度范围内的金属颗粒，在半导体芯片封装领域有着较好的应用前景。

A kind of micro nano particle paste modified by imidazole group and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体及其制备方法
本专利技术属于半导体芯片封装互连领域，具体为一种咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体及其制备方法。
技术介绍
基于SiC、GaN等第三代半导体材料的功率器件具有优良的开关特性，并且材料自身属性使其能在高温下服役，但是这种新型半导体材料制成的大功率器件能否被可靠地连接到基板上将直接制约器件自身性能的稳定发挥，这就对功率器件的封装材料提出了新的要求，比如：(1)封装材料必须具有高的热导率和电导率；(2)封装材料必须具备优秀的高温环境下抗机械冲击能力；(3)焊点抗腐蚀性能良好；(4)焊点抗疲劳服役特性好；(5)焊点具有优秀的机械性能，能耐受较大应力集中；(6)封装材料对基板和芯片具有较好铺展性和连接性；(7)基板和芯片以及封装材料之间要有优良的热膨胀系数匹配；(8)优秀的长期服役可靠性等。可见，第三代半导体功率器件对封装材料要求是极为严苛的，这也成为限制大功率器件广泛应用的主要技术瓶颈。对于目前常见可用于高温功率器件的芯片贴装方法，主要有高温合金钎料、微纳米材料烧结、瞬态液相连接和一些其他技术比如高温导电胶粘贴等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体，其特征在于：包括咪唑基团修饰的微纳米颗粒和分散剂；所述咪唑基团修饰的微纳米颗粒为咪唑壳-微纳米核结构，其中咪唑壳与微纳米核的质量比为3-15:1,所述咪唑基团修饰的微纳米颗粒与分散剂的质量比为2-8:1，所述咪唑壳厚度为1nm-50nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体，其特征在于：包括咪唑基团修饰的微纳米颗粒和分散剂；所述咪唑基团修饰的微纳米颗粒为咪唑壳-微纳米核结构，其中咪唑壳与微纳米核的质量比为3-15:1,所述咪唑基团修饰的微纳米颗粒与分散剂的质量比为2-8:1，所述咪唑壳厚度为1nm-50nm。


2.如权利要求1所述的咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体，其特征在于：所述步骤i中的微纳米核为金、银或铜。


3.如权利要求1所述的咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体，其特征在于：所述微纳米核尺寸均一，尺寸大小为50nm～500μm。


4.如权利要求1所述的咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体，其特征在于：所述微纳米核至少具有第一尺寸和第二尺寸，其中第一尺寸为50nm～1μm，第二尺寸为1μm～500μm。


5.如权利要求1所述的咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体，其特征在于：所述咪唑壳为苯并三氮唑、苯并咪唑、烷基苯并咪唑、烷基咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、2-乙基咪唑中的一种。


6.一种如权利要求1-5任一所述的咪唑基团修饰的微纳米颗粒膏体的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤
步骤i.第一溶剂与清洗剂混合洗涤、离心、烘干微纳米金属颗粒；
步骤ii.常温下，将清洗后的微纳米颗粒与第二溶剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宏浩，张卫红，叶怀宇，张国旗，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44