电容结构、像素结构、显示面板制造技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，提出一种电容结构、像素结构、显示面板，所述电容结构包括：第一电极，包括相对且平行的第一侧边和第二侧边；第二电极，其边沿在第二电极所在平面的正投影位于第二电极边沿以内；第二电极上设置有开口，开口包括相对且平行的第三侧边和第四侧边；第一侧边在第二电极的正投影与第三侧边、第四侧边相交，第二侧边在第二电极的正投影与第三侧边、第四侧边相交；在第一侧边的延伸方向上，所述第三侧边、第四侧边在第一电极的正投影与第一电极中与其邻近的边沿具有预设距离；在第三侧边的延伸方向上，第一侧边、第二侧边在开口的正投影与开口中与其邻近的边沿具有预设距离。该电容结构能够避免工艺误差对电容参数造成的影响。

Capacitance structure, pixel structure, display panel

【技术实现步骤摘要】
电容结构、像素结构、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种电容结构、像素结构、显示面板。
技术介绍
近年来，OLED显示面板以其轻薄，优异显示效果，高对比度，广色域，柔性等一系列的优点受到人们的广泛关注。OLED显示面板通常通过像素驱动电路来驱动OLED发光单元发光。像素驱动电路一般包括有电容结构，例如常见的7T1C、2T1C等像素驱动电路。相关技术中，电容结构一般包括有上下电极以及位于上下电极之间的介质层，上下电极之间的重叠面积影响电容结构的电容参数。在显示面板制作过程中，电容结构的上下电极通常通过构图工艺形成，然而由于构图工艺存在工艺误差，上下电极的位置可能会发生偏移，根据电容值公式C＝ε*A/d，其中，ε为第一电极和第二电极之间介质层的介电常数，A为第一电极和第二电极的重叠面积，d为第一电极和第二电极之间的距离。当上下电极的位置发生偏移时，上下电极的重叠面积发生变化，从而造成电容结构的电容参数发生偏差，最终影响显示效果。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电容结构、像素结构、显示面板。该电容结构能够解决相关技术中由于工艺误差造成的电容结构电容参数偏差。本专利技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。根据本专利技术的一个方面，提供一种电容结构，该电容结构包括：第一电极、第二电极。第一电极包括相对且平行设置的第一侧边和第二侧边；第二电极与所述第一电极相对设置，所述第一电极边沿在所述第二电极所在平面的正投影位于所述第二电极边沿以内；其中，所述第二电极上设置有开口，所述开口包括相对且平行设置的第三侧边和第四侧边；所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交，所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交；且在所述第一侧边的延伸方向上，所述第三侧边、第四侧边在所述第一电极的正投影分别与所述第一电极中与其邻近的边沿具有预设距离；在所述第三侧边的延伸方向上，所述第一侧边、第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述开口中与其邻近的边沿具有预设距离。本专利技术的一种示例性实施例中，所述开口为矩形，所述矩形包括相对且平行设置的所述第三侧边和所述第四侧边。本专利技术的一种示例性实施例中，所述第三侧边包括位于同一直线的第一子侧边和第二子侧边，所述第四侧边包括位于同一直线的第三子侧边和第四子侧边；其中，所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第一子侧边、第三子侧边相交，所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第二子侧边、第四子侧边相交；所述开口还包括：连接于所述第一子侧边和第二子侧边之间的第五侧边，以及连接于所述第三子侧边和第四子侧边之间的第六侧边；其中，在所述第二侧边延伸方向上，所述第五侧边与所述第六侧边之间的距离大于第二侧边与所述第三侧边之间的距离。本专利技术的一种示例性实施例中，所述第五侧边、第六侧边为曲线和/或折线。本专利技术的一种示例性实施例中，所述开口包括独立设置的第一开口和第二开口，所述第三侧边包括位于同一直线的第一子侧边和第二子侧边，所述第四侧边包括位于同一直线的第三子侧边和第四子侧边；所述第一子侧边和所述第三子侧边形成所述第一开口的相对两侧边，所述第二子侧边和所述第四子侧边形成所述第二开口的相对两侧边；其中，所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第一子侧边、第三子侧边相交，所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第二子侧边、第四子侧边相交。本专利技术的一种示例性实施例中，所述开口延伸至所述第二电极的边沿，以在所述第二电极边沿形成缺口。根据本专利技术的一个方面，提供一种像素结构，该像素结构包括上述的电容结构。本专利技术的一种示例性实施例中，所述像素结构还包括：衬底基板、缓冲层、半导体层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层、导电层、第三绝缘层、源/漏层。缓冲层设置于所述衬底基板的一侧；半导体层设置于所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧；第一绝缘层设置于所述缓冲层背离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述半导体层；栅极层设置于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧，包括第一栅极部，所述第一栅极部形成第一电极；第二绝缘层设置于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述栅极层，其中，所述第二绝缘层上设置有第一过孔；导电层设置于所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧，包括第一导电部，所述第一导电部形成第二电极，其中，所述第一过孔在所述第二电极的正投影与所述第二电极上的开口至少部分重合；第三绝缘层设置于所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述导电层，所述第三绝缘层上设置有第二过孔，所述第二过孔在所述第二电极的正投影与所述第二电极上的开口至少部分重合；源/漏层设置于所述第三绝缘层背离所述衬底基板的一侧，包括第一源/漏部，所述第一源/漏部通过所述开口、第二过孔、第一过孔与所述第一电极连接。本专利技术的一种示例性实施例中，所述第一源/漏部在所述第二电极上的正投影沿所述开口延伸方向延伸。根据本专利技术的一个方面，提供一种显示面板，该显示面板包括上述的像素结构。本公开提供一种电容结构、像素结构、显示面板，该电容结构包括：第一电极、第二电极。第一电极包括相对且平行设置的第一侧边和第二侧边；第二电极与所述第一电极相对设置，所述第一电极边沿在所述第二电极所在平面的正投影位于所述第二电极内，且与所述第二电极边沿具有预设距离；其中，所述第二电极上设置有开口，所述开口包括相对且平行设置的第三侧边和第四侧边；所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交，所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交；且在所述第三侧边的延伸方向上，所述第一侧边、第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述开口的边沿具有预设距离。本公开提供的电容结构中，当第一电极和第二电极的相对位置发生微小移动时，第一电极和第二电极之间的实际重叠面积不会发生变化，从而解决了由于构图工艺误差造成的电容参数发生偏差的技术问题。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术中一种像素结构中像素驱动电路的电路图；图2为图1中像素结构的结构示意图图；图3为本公开电容结构一种示例性实施例的结构示意图；图4为本公开电容结构一种示例性实施例的结构示意图；图5为本公开电容结构另一种示例性实施例的结构示意图；图6为本公开电容结构另一种示例性实施例的结构示意图；图7为本公开电容结构一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：/n第一电极，包括相对且平行设置的第一侧边和第二侧边；/n第二电极，与所述第一电极相对设置，所述第一电极边沿在所述第二电极所在平面的正投影位于所述第二电极边沿以内；/n其中，所述第二电极上设置有开口，所述开口包括相对且平行设置的第三侧边和第四侧边；/n所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交，所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交；/n且在所述第一侧边的延伸方向上，所述第三侧边、第四侧边在所述第一电极的正投影分别与所述第一电极中与其邻近的边沿具有预设距离；/n在所述第三侧边的延伸方向上，所述第一侧边、第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述开口中与其邻近的边沿具有预设距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
第一电极，包括相对且平行设置的第一侧边和第二侧边；
第二电极，与所述第一电极相对设置，所述第一电极边沿在所述第二电极所在平面的正投影位于所述第二电极边沿以内；
其中，所述第二电极上设置有开口，所述开口包括相对且平行设置的第三侧边和第四侧边；
所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交，所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交；
且在所述第一侧边的延伸方向上，所述第三侧边、第四侧边在所述第一电极的正投影分别与所述第一电极中与其邻近的边沿具有预设距离；
在所述第三侧边的延伸方向上，所述第一侧边、第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述开口中与其邻近的边沿具有预设距离。


2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述开口为矩形，所述矩形包括相对且平行设置的所述第三侧边和所述第四侧边。


3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，
所述第三侧边包括位于同一直线的第一子侧边和第二子侧边，所述第四侧边包括位于同一直线的第三子侧边和第四子侧边；
其中，所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第一子侧边、第三子侧边相交，所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第二子侧边、第四子侧边相交；
所述开口还包括：连接于所述第一子侧边和第二子侧边之间的第五侧边，以及连接于所述第三子侧边和第四子侧边之间的第六侧边；
其中，在所述第二侧边延伸方向上，所述第五侧边与所述第六侧边之间的距离大于第二侧边与所述第三侧边之间的距离。


4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第五侧边、第六侧边为曲线和/或折线。


5.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，
所述开口包括独立设置的第一开口和第二开口，所述第三侧边包括位于同一直线的第一子侧边和第二子侧边，所述第四侧边包括位于同一直线的第三子侧边和第四子侧边；

【专利技术属性】
技术研发人员：曹席磊，王本莲，徐映嵩，马倩，袁长龙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11