电容结构、像素结构、显示面板制造技术

技术编号:24463715 阅读:36 留言:0更新日期:2020-06-10 17:47
本发明专利技术涉及显示技术领域,提出一种电容结构、像素结构、显示面板,所述电容结构包括:第一电极,包括相对且平行的第一侧边和第二侧边;第二电极,其边沿在第二电极所在平面的正投影位于第二电极边沿以内;第二电极上设置有开口,开口包括相对且平行的第三侧边和第四侧边;第一侧边在第二电极的正投影与第三侧边、第四侧边相交,第二侧边在第二电极的正投影与第三侧边、第四侧边相交;在第一侧边的延伸方向上,所述第三侧边、第四侧边在第一电极的正投影与第一电极中与其邻近的边沿具有预设距离;在第三侧边的延伸方向上,第一侧边、第二侧边在开口的正投影与开口中与其邻近的边沿具有预设距离。该电容结构能够避免工艺误差对电容参数造成的影响。

Capacitance structure, pixel structure, display panel

【技术实现步骤摘要】
电容结构、像素结构、显示面板
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种电容结构、像素结构、显示面板。
技术介绍
近年来,OLED显示面板以其轻薄,优异显示效果,高对比度,广色域,柔性等一系列的优点受到人们的广泛关注。OLED显示面板通常通过像素驱动电路来驱动OLED发光单元发光。像素驱动电路一般包括有电容结构,例如常见的7T1C、2T1C等像素驱动电路。相关技术中,电容结构一般包括有上下电极以及位于上下电极之间的介质层,上下电极之间的重叠面积影响电容结构的电容参数。在显示面板制作过程中,电容结构的上下电极通常通过构图工艺形成,然而由于构图工艺存在工艺误差,上下电极的位置可能会发生偏移,根据电容值公式C=ε*A/d,其中,ε为第一电极和第二电极之间介质层的介电常数,A为第一电极和第二电极的重叠面积,d为第一电极和第二电极之间的距离。当上下电极的位置发生偏移时,上下电极的重叠面积发生变化,从而造成电容结构的电容参数发生偏差,最终影响显示效果。需要说明的是,在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解,因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容结构,其特征在于,包括:/n第一电极,包括相对且平行设置的第一侧边和第二侧边;/n第二电极,与所述第一电极相对设置,所述第一电极边沿在所述第二电极所在平面的正投影位于所述第二电极边沿以内;/n其中,所述第二电极上设置有开口,所述开口包括相对且平行设置的第三侧边和第四侧边;/n所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交,所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交;/n且在所述第一侧边的延伸方向上,所述第三侧边、第四侧边在所述第一电极的正投影分别与所述第一电极中与其邻近的边沿具有预设距离;/n在所述第三侧边的延伸方向上,所述第一侧边、第二...

【技术特征摘要】
1.一种电容结构,其特征在于,包括:
第一电极,包括相对且平行设置的第一侧边和第二侧边;
第二电极,与所述第一电极相对设置,所述第一电极边沿在所述第二电极所在平面的正投影位于所述第二电极边沿以内;
其中,所述第二电极上设置有开口,所述开口包括相对且平行设置的第三侧边和第四侧边;
所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交,所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第三侧边、第四侧边相交;
且在所述第一侧边的延伸方向上,所述第三侧边、第四侧边在所述第一电极的正投影分别与所述第一电极中与其邻近的边沿具有预设距离;
在所述第三侧边的延伸方向上,所述第一侧边、第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述开口中与其邻近的边沿具有预设距离。


2.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于,所述开口为矩形,所述矩形包括相对且平行设置的所述第三侧边和所述第四侧边。


3.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于,
所述第三侧边包括位于同一直线的第一子侧边和第二子侧边,所述第四侧边包括位于同一直线的第三子侧边和第四子侧边;
其中,所述第一侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第一子侧边、第三子侧边相交,所述第二侧边在所述第二电极的正投影分别与所述第二子侧边、第四子侧边相交;
所述开口还包括:连接于所述第一子侧边和第二子侧边之间的第五侧边,以及连接于所述第三子侧边和第四子侧边之间的第六侧边;
其中,在所述第二侧边延伸方向上,所述第五侧边与所述第六侧边之间的距离大于第二侧边与所述第三侧边之间的距离。


4.根据权利要求3所述的电容结构,其特征在于,所述第五侧边、第六侧边为曲线和/或折线。


5.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于,
所述开口包括独立设置的第一开口和第二开口,所述第三侧边包括位于同一直线的第一子侧边和第二子侧边,所述第四侧边包括位于同一直线的第三子侧边和第四子侧边;

【专利技术属性】
技术研发人员:曹席磊王本莲徐映嵩马倩袁长龙
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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