一种浮结型肖特基势垒二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种浮结型肖特基势垒二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结层4，位于所述外延层2上层的两侧；绝缘型多晶硅层5，位于所述浮结层4上层；沟槽6，位于所述绝缘型多晶硅层5上层；肖特基接触阴极7，位于所述衬底层1下层；肖特基接触阳极8，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层5和所述沟槽6。本实用新型专利技术提出的二极管，通过改善浮结型肖特基势垒二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。

A floating junction Schottky barrier diode

【技术实现步骤摘要】
一种浮结型肖特基势垒二极管
本技术属于微电子制造
，具体涉及一种浮结型肖特基势垒二极管。
技术介绍
SiC肖特基势垒二极管作为一种宽禁带半导体器件首先在电力电子
替代Si器件。SiC肖特基势垒二极管在电力电子领域最大的优势在于其优异的反向恢复特性。目前，商品化的SiC肖特基势垒二极管已经广泛应用在高频开关电源、功率因数校正及电机驱动等领域。与当前最好的功率MOSFET结合使用时，开关频率可以达到400kHz，并有望实现高于1MHz。许多公司在其IGBT变频或逆变装置中使用SiC肖特基势垒二极管取代Si快恢复二极管，其总体效益远远超过SiC与Si器件之间的价格差异而造成的成本增加。与Si肖特基势垒二极管相比，SiC肖特基势垒二极管具有漏电流低、开关速度快等优点，在功率应用方面具有很大的潜力。然而，在击穿电压与导通电阻之间仍存在相互制约的矛盾，即不能同时满足高击穿电压和低导通电阻。同时，普通的浮结结构肖特基势垒二极管的工艺制作过程中，外延层需要生长两次，工艺难度和成本较高。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浮结型肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：/n衬底层(1)；/n外延层(2)，位于所述衬底层(1)上层；/n浮结层(4)，位于所述外延层(2)上层的两侧；/n绝缘型多晶硅层(5)，位于所述浮结层(4)上层；/n沟槽(6)，位于所述绝缘型多晶硅层(5)上层；/n肖特基接触阴极(7)，位于所述衬底层(1)下层；/n肖特基接触阳极(8)，覆盖所述外延层(2)、所述绝缘型多晶硅层(5)和所述沟槽(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种浮结型肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：
衬底层(1)；
外延层(2)，位于所述衬底层(1)上层；
浮结层(4)，位于所述外延层(2)上层的两侧；
绝缘型多晶硅层(5)，位于所述浮结层(4)上层；
沟槽(6)，位于所述绝缘型多晶硅层(5)上层；
肖特基接触阴极(7)，位于所述衬底层(1)下层；
肖特基接触阳极(8)，覆盖所述外延层(2)、所述绝缘型多晶硅层(5)和所述沟槽(6)。


2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述外延层(2)材料为N-离子掺杂的4H-SiC，厚度为5μm～15μm。


3.根据权利要求1所述的二极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋庆文，张玉明，汤晓燕，袁昊，吴勇，何艳静，韩超，梁家铖，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：新型
国别省市：安徽;34