【技术实现步骤摘要】
一种非制冷红外图像传感器及其校正方法
本专利技术涉及一种读出电路。具体的,涉及一种片上自动校正的读出电路、包括该片上自动校正的读出电路的图像传感器及其校正方法。
技术介绍
非制冷红外焦平面探测器芯片主要由MEMS微测辐射热计阵列、读出电路及真空封装三部分构成。探测器工作时,MEMS微测辐射热计阵列将辐射能量转换为热敏电阻阻值变化,进而被读出电路放大并依次读出到片外,实现了对目标辐射的阵列级成像。对于微测辐射热计而言,目标辐射是有效信号,而工艺偏差引起的阻值非均匀性、环境温度波动及热敏电阻温度系数的非均匀性引起的温漂噪声、还有工艺失效引起的像素电阻损坏,都属于无效的信号,会导致输出原始图像上下饱和或引入固定模式噪声,因此需要被校正、补偿或剔除。对于非制冷红外探测器,最常用的校正方法为基于均匀面源黑体的标定校正。标定校正的目的是提取探测器的非均匀性参数及盲像素位置,从而在数字图像处理端进行校正和补偿处理。例如,挡片校正就是一种基于温度近似均匀的挡片成像的失调标定校正方法。探测器面对挡片成像的输出中,包含了失调的非均匀性信息,基于该信息可以对失调非均匀性进行校正。失调非均匀性校正可以有效提升成像质量,操作如果在数字图像处理域进行,会消耗一定的逻辑运算单元及存储单元代价。而且对于原始非均匀性较大、温漂较严重的探测器,就需要更高精度的复杂算法进行校正补偿,增加了成像系统的开发难度,增加了数字图像处理端的硬件成本及功耗开销。另一方面,针对非均匀性引起原始输出信号易饱和的探测器,通常采用片上粗校正的方法,在芯片内完 ...
【技术保护点】
1.一种非制冷红外图像传感器,其特征在于,包括:/n行选逻辑,所述行选逻辑用于产生行选信号RSEL
【技术特征摘要】
1.一种非制冷红外图像传感器,其特征在于,包括:
行选逻辑,所述行选逻辑用于产生行选信号RSELi;
像素电路,所述像素电路中的每个像素单元包含一个校正码存储单元RAMi,j和一个像素电阻Rsi,j,所述像素电路中的每个像素单元还包括一个行选开关,所述行选开关基于行选信号RSELi对像素电路进行逐行选通;
校正码读写模块,用于像素内存储单元的行级并行位线读写,并产生校正码;
失调校正DAC,用于基于校正码和阵列外产生的模拟偏压Vbias,产生调节列读出前端失调的模拟偏压Vb;
差分电流产生电路,其一端输入模拟偏压Vb,另一端连接像素阵列的行选开关;
跨阻放大,用于基于差分电流产生电路产生的差分电流Idiff,产生电压输出Vagc;
动态比较器,用于基于电压输出Vagc和阈值信号Vth,产生信号CMP;
k-bit逐次逼近逻辑,用于基于信号CMP,确定待写入的校正码值,并反馈给所述行级校正码读写模块;
积分器,所述积分器基于电压输出Vagc,产生电压Vint;
列ADC,所述ADC基于电压Vint,产生模数转换码值ADBUS。
2.如权利要求1所述的非制冷红外图像传感器,其特征在于,所述行选电路每行包括行选产生逻辑、第一与门和第二与门,其中:
行选产生逻辑用于产生第i行的行选信号RSELi;
第一与门的输入为RSELi和全局写使能信号WE,输出为第i行的写使能信号WEi,第二与门的输入为RSELi和全局读使能信号RE,输出为第i行的读使能信号REi。
3.如权利要求1所述的非制冷红外图像传感器,其特征在于,所述校正码读写模块的一端通过kbit位线BL[k:1]与像素电路中的校正码存储器RAMi,j相连接,另一端输出kbit宽的MEM[k:1]信号与二选一选择器的第一输入端连接,二选一选择器模块的第二输入端与逐次逼近模块的输出端连接,二选一选择器的输出端与失调校正DAC连接,二选一选择器通过信号”NUC提取帧”进行控制选择输出第一或第二输入端的信号。
4.一种非制冷红外图像传感器,其特征在于,包括:
行选逻辑,所述行选逻辑用于产生行选信号RSELi;
像素电路,所述像素电路中的每个像素单元包含一个校正码存储单元RAMi,j和一个像素电阻Rsi,j,所述像素电路中的每个像素单元还包括一个行选开关,所述行选开关基于行选信号RSELi对像素电路进行逐行选通;
校正码读模块,用于基于RD和REi信号,读取第i行的像素内校正码存储单元RAMi,j内存储的校正码值;
移位暂存,用于基于TSF信号,暂时存储校正码读模块中读到的校正码数据,且通过kbit的DCd[k:1]线连接校正码写模块;
校正码写模块,用于基于WR和WEi信号,将移位暂存模块内暂存的校正码数据写入第i行的像素内校正码存储单元;
失调校正DAC,用于基于校正码和阵列外产生的模拟偏压Vbias,产生调节列读出前端失调的模拟偏压Vb;
差分电流产生电路,其一端输入模拟偏压Vb,另一端连接像素阵列的行选开关;
跨阻放大,用于基于差分电流产生电路产生的差分电流Idiff,产生电压输出Vagc;
积分器,所述积分器基于电压输出Vagc,产生电压Vint;
列ADC,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘大河,施薛优,陈光毅,李克之,
申请(专利权)人:北京安酷智芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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