一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素制造技术

本实用新型专利技术公开了一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，包括：用于感测光信号的光电二极管、用于暂时存储光电二极管中产生电荷的电荷存储单元、辅助电荷存储单元和浮置扩散区；所述电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从电荷存储单元往浮置扩散区转移的第二传输晶体管，所述光电二极管和电荷存储单元之间设置有用于控制电荷从光电二极管往电荷存储单元转移的第三传输晶体管。本实用新型专利技术通过增加设计辅助电荷存储单元，使得该辅助电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量同电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量相当，通过该方式，可有效提高传感器的全局快门效率。

A back illuminated CCD double sampling global shutter image sensor pixel

【技术实现步骤摘要】
一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素
本技术涉及图像成像技术，尤其涉及一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素。
技术介绍
图像传感器在消费、工业、汽车等领域有广泛应用。全局快门(GS)图像传感器的所有像素在成像时同时开始和结束感光，可以获得高清晰度、低畸变的图像，一般应用于对移动物体拍摄。提高图像传感器的成像质量可以通过提高像素的感光能力和降低像素的读出噪声来实现。一种提高像素感光能力的方式是使用背照式(BSI)技术，即使入射光从芯片的背面照射进芯片的感光区域。一种降低像素的读出噪声的方式是使用电荷域相关双采样技术，即在像素内的电荷存储单元中暂时存储感光区域中产生的光生电荷，通过像素和像素外的相关双采样(CDS)电路协同工作，利用电荷的完全转移来消除像素的复位噪声。对于全局快门(GS)图像传感器而言，全局快门效率(GSE)衡量一段时间里感光区域中产生的电荷的数量同电荷存储单元由于自身感光性而产生的电荷的数量的比例。同时使用上述背照式技术和电荷域相关双采样技术，会导致传感器的全局快门效率过低：即使进行了某种光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，其特征在于，包括：/n用于感测光信号的光电二极管、用于暂时存储光电二极管中产生电荷的电荷存储单元、用于同步电荷存储单元中存储的电荷的数量的改变量的辅助电荷存储单元以及浮置扩散区；/n所述光电二极管与电荷存储单元的一端连接，辅助电荷存储单元与电荷存储单元的另一端连接；所述浮置扩散区与辅助电荷存储单元连接；/n所述辅助电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从辅助电荷存储单元往浮置扩散区转移的第一传输晶体管、所述电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从电荷存储单元往浮置扩散区转移的第二传输晶体管，所述光电二极管和电荷存储单元之间设...

【技术特征摘要】
1.一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，其特征在于，包括：
用于感测光信号的光电二极管、用于暂时存储光电二极管中产生电荷的电荷存储单元、用于同步电荷存储单元中存储的电荷的数量的改变量的辅助电荷存储单元以及浮置扩散区；
所述光电二极管与电荷存储单元的一端连接，辅助电荷存储单元与电荷存储单元的另一端连接；所述浮置扩散区与辅助电荷存储单元连接；
所述辅助电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从辅助电荷存储单元往浮置扩散区转移的第一传输晶体管、所述电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从电荷存储单元往浮置扩散区转移的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宪岭，葛光，
申请(专利权)人：上海砺芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31