【技术实现步骤摘要】
采用异质结材料的磁性随机存储器
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种采用异质结材料的磁性随机存储器。
技术介绍
存储器广泛应用于计算机、网络存储、物联网、国家安全等重要领域，是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在计算机的运算过程中，输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都会保存在存储器里，是现代信息技术器件的核心部件之一。随着现代信息技术的发展，人们对存储器提出了更高的要求，希望存储器体积更小，存储量更大，读写更快，数据存储更加稳定，功耗更小。在过去的十年中，利用电流来操纵磁化引起了很多研究关注。但是传统的磁性随机存储器，使用单一的磁性材料，利用巨磁阻效应等读取信息，利用电流写入信息，还是存在能耗高，稳定性差等缺点。多铁性材料或为存储器研究提供了电场调控磁性的新途径。多铁性材料(multiferroics)是指包含两种及两种以上铁的性能的材料，这些性能包括铁电性(反铁电性)，铁磁性(反铁磁性、亚铁磁性)和铁弹性。是一种集电与磁性能于一身的多功能材料。多铁性材料中存在大量的原子或离子，...
【技术保护点】
1.一种采用异质结材料的磁性随机存储器，其特征在于：包括衬底、以及若干呈阵列分布于衬底上的存储单元，各所述存储单元从上至下依次包括顶部金属层、自由层、氧化层、固定层及钉扎层，/n其中，所述顶部金属层和钉扎层均采用PtMn材料，自由层和固定层均为磁性并采用La
【技术特征摘要】
1.一种采用异质结材料的磁性随机存储器，其特征在于：包括衬底、以及若干呈阵列分布于衬底上的存储单元，各所述存储单元从上至下依次包括顶部金属层、自由层、氧化层、固定层及钉扎层，
其中，所述顶部金属层和钉扎层均采用PtMn材料，自由层和固定层均为磁性并采用La0.7Sr0.3MnO3/BiFeO3异质结材料，氧化层采用MgO材料。
2.根据权利要求1所述的采用异质结材料的磁性随机存储器，其特征在于：所述固定层和钉扎层还设有Pt薄膜层。
3.根据权利要求1所述的采用异质结材料的磁性随机存储器，其特征在于：所述顶部金属层和钉扎层的厚度均为19-22nm。
4.根据权利要求1所述的采用异质结材料的磁性随机存储器，其特征在于：所述自由层和固定层的厚度均为44-48nm。
5.根据权利要求1所述的采...
【专利技术属性】
技术研发人员：丰媛媛，王伟，魏凤华，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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