一种单晶硅生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种单晶硅生长装置，包括炉体，所述炉体内的相对侧壁上均固定有上固定块和下固定块，所述炉体内的底部固定有炉底护盘，所述炉底护盘的上端固定有石墨碳毡，且石墨碳毡位于下固定块的下端，所述上固定块的下端固定有上保温罩，所述下固定块的上端固定有下保温罩，所述上保温罩和下保温罩之间共同固定有中保温罩。本实用新型专利技术通过L型夹持板、坩埚托盘和连接块之间的配合，实现了能对不同大小的坩埚进行夹持的功能，提高了坩埚加热时的稳定性，保证了单晶硅的生长速度和质量，节约了时间，适用范围广，操作简单，大大减少了晶体的缺陷。

A single crystal silicon growth device

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅生长装置
本技术涉及单晶硅
，尤其涉及一种单晶硅生长装置。
技术介绍
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。由于硅材料的易获得性、太阳能级高纯硅生产方法较为成熟，硅晶体类（单晶硅、多晶硅）太阳能电池作为一类重要的清洁能源，已经被广泛地使用。进入21世纪，这类电池的使用量巨幅增长。目前，在利用单晶硅生长装置获得硅时，需要利用坩埚对多晶硅原料进行加热，但是，现有的单晶硅生长装置大部分都是固定的，在使用不同大小的坩埚时，无法对其进行稳定夹持固定，从而影响单晶硅的生长速度和质量，而且现有的单晶硅生长方法较为繁琐，操作复杂，为此，我们提出了一种单晶硅生长装置来解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种单晶硅生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅生长装置，包括炉体（3），其特征在于：所述炉体（3）内的相对侧壁上均固定有上固定块（2）和下固定块（14），所述炉体（3）内的底部固定有炉底护盘（9），所述炉底护盘（9）的上端固定有石墨碳毡（13），且石墨碳毡（13）位于下固定块（14）的下端，所述上固定块（2）的下端固定有上保温罩（20），所述下固定块（14）的上端固定有下保温罩（7），所述上保温罩（20）和下保温罩（7）之间共同固定有中保温罩（4），两个上固定块（2）的相对一侧均固定有导流筒（1），所述炉体（3）、石墨碳毡（13）和炉底护盘（9）的中部共同贯穿并固定有托杆护套（17），所述托杆护套（17）内贯穿设有托杆（10...

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅生长装置，包括炉体（3），其特征在于：所述炉体（3）内的相对侧壁上均固定有上固定块（2）和下固定块（14），所述炉体（3）内的底部固定有炉底护盘（9），所述炉底护盘（9）的上端固定有石墨碳毡（13），且石墨碳毡（13）位于下固定块（14）的下端，所述上固定块（2）的下端固定有上保温罩（20），所述下固定块（14）的上端固定有下保温罩（7），所述上保温罩（20）和下保温罩（7）之间共同固定有中保温罩（4），两个上固定块（2）的相对一侧均固定有导流筒（1），所述炉体（3）、石墨碳毡（13）和炉底护盘（9）的中部共同贯穿并固定有托杆护套（17），所述托杆护套（17）内贯穿设有托杆（10），所述托杆（10）的上端设有支撑装置，所述支撑装置上设有石墨坩埚（18），所述石墨坩埚（18）内放置有石英坩埚（19），所述石英坩埚（19）的上端延伸至石墨坩埚（18）的上端，两个导流筒（1）的下端均延伸至石英坩埚（19）内，所述炉体（3）内设有加热装置，所述加热装置和石英坩埚（19）相对应。


2.根据权利要求1所述的一种单晶硅生长装置，其特征在于：所述支撑装置包括固定在托杆（10）上端的支撑块（27），所述支撑块（27）的上端固定有坩埚托盘（8），所述坩埚托盘（8）的其中两侧均固定有连接块（16），所述坩埚托盘（8）的另外两侧和两个连接块（16）的一侧均设有插槽（6），所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志辉，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14