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本实用新型公开了一种单晶硅生长装置，包括炉体，所述炉体内的相对侧壁上均固定有上固定块和下固定块，所述炉体内的底部固定有炉底护盘，所述炉底护盘的上端固定有石墨碳毡，且石墨碳毡位于下固定块的下端，所述上固定块的下端固定有上保温罩，所述下固定块的...
该专利属于大同新成新材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大同新成新材料股份有限公司授权不得商用。

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