一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法技术

本发明专利技术提供一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，包括以下过程：提供一具有晶体缺陷异常物的铝焊盘；采用至少一个SC1组合清洗工艺清洗所述铝焊盘表面，直至所述晶体缺陷异常物松动；配合物理清洗所述铝焊盘表面以去除所述晶体缺陷异常物。本发明专利技术方法中SC1组合清洗工艺中所采用的SC1为FAB常见清洗液，清洗设备常见，配方公开，配制方便。在没有特定设备情况下也可以进行晶体缺陷的去除。另外采用该SC1组合清洗工艺不仅可以有效去除焊盘缺陷对减少报废，提升良率，节约返工成本，而且对聚酰亚胺和钝化层也无损伤还能够有效改善铝PAD表面平整度。

A method to remove crystal defects of integrated circuit aluminum pad

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法。
技术介绍
铝以其低廉成本、低电阻率及与硅工艺的高度兼容性，长久以来被广泛用作集成电路后段(BEOL)互连材料。但是，铝作为表面金属层时(TopMetallayer)，在半导体工艺中对铝表面的钝化层进行刻蚀(PassivationEtch)打开PAD窗口后，铝PAD暴露在空气中易与环境中的水汽、F发生电化学反应形成氟氧化物等晶体缺陷(crystaldefect)，晶体缺陷是损伤性缺陷，其在OM(目检)情况下体现为焊盘的突起，SEM(电子显微镜下)下体现为一团异常物，这种晶体缺陷会引起封装键合失效或造成键合可靠性问题，按照半导体晶圆外观检验标准，只要存在晶体缺陷的晶圆都不允许出货，只能报废，这会造成严重的经济损失。针对铝PAD较厚的集成电路产品，目前业界的晶体缺陷去除方法为使用Non_HFDSP(DiluteSulfuricPeroxide稀释的硫酸混合双氧水和水)清洗剂连同晶体缺陷“扎根”深度的PAD表层铝同时扒除本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于，包括以下过程：/n提供一具有晶体缺陷异常物的铝焊盘；/n采用至少一个SC1组合清洗工艺清洗所述铝焊盘表面，直至所述晶体缺陷异常物松动；/n物理清洗所述铝焊盘表面以去除所述晶体缺陷异常物。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于，包括以下过程：
提供一具有晶体缺陷异常物的铝焊盘；
采用至少一个SC1组合清洗工艺清洗所述铝焊盘表面，直至所述晶体缺陷异常物松动；
物理清洗所述铝焊盘表面以去除所述晶体缺陷异常物。


2.根据权利要求1所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：所述SC1组合清洗工艺包括使用SC1组合清洗液对所述铝焊盘表面进行冲洗的过程。


3.根据权利要求2所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：所述SC1组合清洗液的冲洗方向与所述铝焊盘表面的夹角为10°～90°。


4.根据权利要求2所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：所述SC1组合清洗液对所述铝焊盘表面进行冲洗的时长为3～30s。


5.根据权利要求2所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：所述SC1组合清洗工艺还包括在所述使用SC1组合清洗液对所述铝焊盘表面进行冲洗的过程前，采用臭氧和去离子水混合冲洗所述铝焊盘表面的过程。


6.根据权利要求5所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：进行1～6次所述SC1组合清洗工艺以使所述晶体缺陷异常物松动。


7.根据权利要求5所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：在首个SC1组合清洗工艺中，使所述臭氧和去离子水沿所述铝焊盘表面喷洒冲洗用于形成一氧化层。


8.根据权利要求7所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：所述臭氧和去离子水以20～1000ppm的配比浓度沿所述铝焊盘表面喷洒冲洗用于形成所述氧化层。


9.根据权利要求7所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：所述臭氧和去离子水沿所述铝焊盘表面喷洒的时长是2～30s。


10.根据权利要求7所述的集成电路铝焊盘晶体缺陷的去除方法，其特征在于：在首个S...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋亮东，王洪敏，高峰，张锐，张宏权，胡小龙，程卓，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42