本实用新型专利技术公开一种超高分辨率微显示屏,包括:驱动背板,所述的驱动背板上设置有多个金属垫,所述的驱动背板中形成有电路结构,多个所述的金属垫与所述电路结构形成电连接;多个LED单元,多个所述LED单元位于所述的驱动背板上,且与所述的金属垫形成电连接;多个隔离柱,设置在所述的驱动背板上,且所述的隔离柱在多个所述的LED单元之间形成分隔;多个所述的隔离柱之间的区域被填充有导电焊料,所述的LED单元至少部分嵌入在所述的导电焊料之中。本实用新型专利技术的微显示屏的LED单元嵌入在导电焊料之中,具有较高的焊接粘结力,可提高显示屏的可靠性和稳定性。
Ultra high resolution micro display
【技术实现步骤摘要】
一种超高分辨率微显示屏
本技术属于微显示
,特别涉及一种Micro-LED显示屏。
技术介绍
随着VR/AR(虚拟现实/增强现实)产业的迅速发展使得适用于VR/AR的显示芯片迎来了一个高速增长期。有鉴于VR/AR系统目前多以头戴式设备实现,因此适合于这些设备的显示必须是微显示芯片,一般对角线尺寸在1英寸以内,大多是在0.6-0.7英寸。目前的微显示芯片包括了LCOS、Micro-OLED以及Micro-LED三种,然而在面对AR应用时,LCOS和Micro-OLED芯片的亮度还难以达到实际需求,因此适用于AR系统的显示芯片将主要以Micro-LED微显示芯片为主。Micro-LED即LED微缩技术,是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上,形成超小间距LED,将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级,以达到超高像素、超高解析率,理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。现有技术中Micro-LED微显示的实现方法包括了巨量转移和倒装焊两种技术路线,然而目前巨量转移和倒装焊的良率都非常的低,还无法满足Micro-LED微显示芯片的量产需求。此外,目前的Micro-LED微显示大多采用Si晶元衬底上制备的AM驱动电路,成本也相对居高不下。CN107799545A公开了一种微显示半导体装置,其需要采用精确地方法将矩阵基板与LED外延基材对位压合,该工艺对于对位精度要求高,因对位导致的像素缺陷较多。CN108997425A公开了另一种技术路线,即通过逐层沉积的方法,直接将LED功能材料层逐层制作在硅基驱动电路背板上,然后通过蚀刻LED功能材料层,并在蚀刻区填充隔离材料形成多个独立的芯片结构,然而显示屏容易存在焊接不良等缺陷。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术的目的是提供一种分辨率高、LED单元结合力强的微显示屏。为了实现上述技术的目的,本技术采用如下技术方案:一种超高分辨率微显示屏,包括:驱动背板,所述的驱动背板上设置有多个金属垫,所述的驱动背板中形成有电路结构,多个所述的金属垫与所述电路结构形成电连接;多个LED单元,多个所述LED单元位于所述的驱动背板上,且与所述的金属垫形成电连接;多个隔离柱,设置在所述的驱动背板上,且所述的隔离柱在多个所述的LED单元之间形成分隔;多个所述的隔离柱之间的区域被填充有导电焊料,所述的LED单元至少部分嵌入在所述的导电焊料之中。上述技术方案中,优选的,所述的LED单元具有P型半导体层、发光层、N型半导体层,且所述的N型半导体层的高度低于所述的隔离柱的高度。更进一步优选的,所述的LED单元的外周侧以及所述的隔离柱的顶部被绝缘层覆盖,所述的N型半导体被一透明导电层覆盖。上述技术方案中,更进一步优选的,所述的LED单元的最长边的长度小于等于相邻的两个所述的隔离柱之间的距离。上述技术方案中,更进一步优选的,所述的LED单元的N型半导体层的横截面积小于所述的发光层的横截面积小于所述的P型半导体层的横截面积。上述技术方案中,更进一步优选的,所述的导电焊料包括设置在所述的金属垫上的第一焊料和生长在所述的LED单元底部的第二焊料。上述技术方案中,更进一步优选的,所述的第一焊料和第二焊料均为金属焊料,且所述的第一焊料、第二焊料与所述的金属垫形成共晶体。上述技术方案中,更进一步优选的,所述的第一焊料为Sn或In或Ag。上述技术方案中,更进一步优选的,所述的隔离柱的材料为高硬度金属材料。本技术与现有技术相比获得如下有益效果:本技术的微显示屏,其LED单元嵌入在导电焊料之中,因此可形成对LED单元稳定的包裹,提高焊接的粘结力,增加产品的稳定性和可靠性。附图说明附图1为本技术的制造工艺的流程图;附图2-附图13是本技术实施例的微显示屏的制造工艺中所形成的器件的部分结构示意图;附图14为本技术的微显示屏的部分结构图;其中:10、驱动背板;11、金属垫;12、Mark区;13、隔离区;20、隔离柱;31、第一焊料;32、第二焊料;4、LED单元;40、LED发光结构;41、N型半导体层;42、发光层;43、P型半导体层;44、衬底;45、LED外延片;51、第一绝缘层;52、第二绝缘层;60、透明导电层。具体实施方式为详细说明技术的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。在下面的描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节以提供对技术的各种示例性实施例或实施方式的详细说明。然而,各种示例性实施例也可以在没有这些具体细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实施。此外,各种示例性实施例可以不同,但不必是排他的。例如,在不脱离技术构思的情况下,可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的具体形状、构造和特性。除非另有说明,否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实现技术构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此,除非另有说明,否则在不脱离技术构思的情况下,不同实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。在附图中,为了清楚性和/或描述性的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实施时,可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如,可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外,同样的附图标记表示同样的元件。当诸如层的元件被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。为此,术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件,但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。为了描述性目的,可以在此使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语,由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外,设备可以被另外定位(例如,旋转90度或者在其它方位处),如此,相应地解本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种超高分辨率微显示屏,包括:/n驱动背板,所述的驱动背板上设置有多个金属垫,所述的驱动背板中形成有电路结构,多个所述的金属垫与所述电路结构形成电连接;/n多个LED单元,多个所述LED单元位于所述的驱动背板上,且与所述的金属垫形成电连接;/n多个隔离柱,设置在所述的驱动背板上,且所述的隔离柱在多个所述的LED单元之间形成分隔;其特征在于:多个所述的隔离柱之间的区域被填充有导电焊料,所述的LED单元至少部分嵌入在所述的导电焊料之中。/n
【技术特征摘要】
1.一种超高分辨率微显示屏,包括:
驱动背板,所述的驱动背板上设置有多个金属垫,所述的驱动背板中形成有电路结构,多个所述的金属垫与所述电路结构形成电连接;
多个LED单元,多个所述LED单元位于所述的驱动背板上,且与所述的金属垫形成电连接;
多个隔离柱,设置在所述的驱动背板上,且所述的隔离柱在多个所述的LED单元之间形成分隔;其特征在于:多个所述的隔离柱之间的区域被填充有导电焊料,所述的LED单元至少部分嵌入在所述的导电焊料之中。
2.根据权利要求1所述的一种超高分辨率微显示屏,其特征在于:所述的LED单元具有P型半导体层、发光层、N型半导体层,且所述的N型半导体层的高度低于所述的隔离柱的高度。
3.根据权利要求2所述的一种超高分辨率微显示屏,其特征在于:所述的LED单元的外周侧以及所述的隔离柱的顶部被绝缘层覆盖,所述的N型半导体被一透明导电层覆盖。
4.根据权利要求2所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱涛,
申请(专利权)人:苏州市奥视微科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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