一种LED显示芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种LED显示芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层，所述透明电极层上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。本实用新型专利技术还公开了一种LED显示芯片的制作方法。本实用新型专利技术提供的LED显示芯片可以实现超小间距的显示，从而为芯片小型化的实现提供了基础。

A LED display chip

【技术实现步骤摘要】
一种LED显示芯片
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种LED显示芯片。
技术介绍
传统LED芯片都是单一的单元，如图1所示，只能作为一个单一的发光体进行控制，这样当多个单元在一起时由于相邻单元之间还需要间距，因此在应用时占据的空间会非常大，不利于芯片小型化的发展趋势。
技术实现思路
本技术提供了一种LED显示芯片及LED显示芯片的制作方法，解决相关技术中存在的芯片均为单一单元的问题。作为本技术的第一个方面，提供一种LED显示芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层，所述透明电极层上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。进一步地，所述焊盘电极层包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接，所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连接。进一步地，所述第三焊盘电极穿过通孔与所述第一导电类型氮化镓层连接，其中所述通孔贯穿所述量子阱层和第二导电类型氮化镓层。进一步地，所述焊盘电极层与所述透明电极层之间设置有绝缘层，所述通孔的侧壁上均设置有绝缘层。进一步地，所述LED显示芯片包括N型LED显示芯片和P型LED显示芯片，当所述LED显示芯片为N型LED显示芯片时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；当所述LED显示芯片为P型LED显示芯片时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。进一步地，所述衬底包括蓝宝石衬底。作为本技术的另一个方面，提供一种LED显示芯片的制作方法，其中，包括：提供衬底；在所述衬底上依次生长第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；对所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀以暴露所述第一导电类型氮化镓层；在所述第二导电类型氮化镓层上制作透明电极层；在所述透明电极层上制作绝缘层；在所述绝缘层上制作焊盘电极层，且所述焊盘电极层与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。进一步地，所述对所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀以暴露所述第一导电类型氮化镓层，包括：在所述第二导电类型氮化镓层上涂覆光刻胶；根据掩膜图形对所述光刻胶进行光照；对光照后的所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀，暴露出所述第一导电类型氮化镓层。进一步地，所述在所述绝缘层上制作焊盘电极层，且所述焊盘电极层与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接，包括：根据光刻胶掩膜技术制作焊盘电极图形；在所述绝缘层上通过电子束蒸发设备以及所述焊盘电极图形制作焊盘电极，其中，所述焊盘电极包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极；所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接，所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连接。进一步地，所述焊盘电极包括依次设置在所述绝缘层上的Cr、Al、Ti、Pt、Ni和Au。通过上述LED显示芯片，在焊盘电极层设置多个焊盘电极，且焊盘电极层分别与第一吊带你类型氮化镓层和透明电极层连接，在同一个LED显示芯片上设置多个焊盘电极，且多个焊盘电极分别可以单独控制，这种LED显示芯片可以实现超小间距的显示，从而为芯片小型化的实现提供了基础。附图说明附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：图1为现有技术的LED芯片的结构示意图。图2为本技术提供的LED显示芯片的剖视图。图3为本技术提供的LED显示芯片的俯视图。图4为本技术提供的LED显示芯片的制作过程中刻蚀后暴露N-GaN的俯视图。图5为本技术提供的LED显示芯片的制作过程中透明电极层对绝缘层腐蚀后的俯视图。图6为本技术提供的通过BOE溶液对绝缘层进行通孔腐蚀后的俯视图。图7为本技术提供的LED显示芯片的制作过程中焊盘电极制作后的俯视图。图8为本技术提供的LED显示芯片的焊盘面示意图。图9为本技术提供的LED显示芯片的出光面示意图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。为了使本领域技术人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。在本实施例中提供了一种LED显示芯片，图1和图2是根据本技术实施例的剖视图和俯视图，如图2和图3所示，包括：衬底1，所述衬底1上依次设置第一导电类型氮化镓层2、量子阱层3和第二导电类型氮化镓层4，所述第二导电类型氮化镓层4上设置透明电极层5，所述透明电极层5上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层2和所述透明电极层5连接。通过上述LED显示芯片，在焊盘电极层设置多个焊盘电极，且焊盘电极层分别与第一吊带你类型氮化镓层和透明电极层连接，在同一个LED显示芯片上设置多个焊盘电极，且多个焊盘电极分别可以单独控制，这种LED显示芯片可以实现超小间距的显示，从而为芯片小型化的实现提供了基础。具体地，如图2和图3所示，所述焊盘电极层包括第一焊盘电极7、第二焊盘电极8和第三焊盘电极9，所述第一焊盘电极7和所述第二焊盘电极8均与所述透明电极层5连接，所述第三焊盘电极9与所述第一导电类型氮化镓层2连接。具体地，所述第三焊盘电极9穿过通孔10与所述第一导电类型氮化镓层2连接，其中所述通孔10贯穿所述量子阱层3和第二导电类型氮化镓层4。具体地，所述焊盘电极层与所述透明电极层5之间设置有绝缘层6，所述通孔10的侧壁上均设置有绝缘层6。具体地，所述LED显示芯片包括N型LED显示芯片和P型LED显示芯片，当所述LED显示芯片为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED显示芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层，所述透明电极层上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED显示芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层，所述透明电极层上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。


2.根据权利要求1所述的LED显示芯片，其特征在于，所述焊盘电极层包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接，所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连接。


3.根据权利要求2所述的LED显示芯片，其特征在于，所述第三焊盘电极穿过通孔与所述第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：华利生，周逢春，张斌斌，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32