一种双向半导体放电管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离区；金属层；具有第一导电类型的多个阴极区；设置于有效阳极区与隔离区之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，通过在有效阳极区域隔离区之间设置掺杂浓度大于衬底层的掺杂浓度的重掺杂区，使得双向半导体放电管在满足击穿电压时依然具有低电容的能力，解决了TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。

A bidirectional semiconductor discharge tube

【技术实现步骤摘要】
一种双向半导体放电管
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种双向半导体放电管。
技术介绍
TSS(ThyristorSurgeSuppressor，电压开关型瞬态抑制二极管)也称为半导体放电管，或者固体放电管等，由于TSS可以吸收电压冲击、电压浪涌，在信号电路的防雷保护中发挥着重要的作用，其工作原理与气体放电管类似，当TSS两端的过电压超过TSS的击穿电压时，TSS将过电压钳位至比击穿电压更低的接近0V的电位上，之后TSS持续这种短路状态，直到流过TSS的过电流降到临界值以下后，TSS恢复开路状态。作为一种重要元器件，TSS不仅可以吸收闪电、电源通断所产生的感应电压，还可以吸收由于高压线路与信号线路之间的意外接触或者错误操作所造成的过电压。然而，现有TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种双向半导体放电管，旨在解决现有TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。本技术提供的一种双向半导体放电管，包括：具有第一导电类型的衬底层，以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双向半导体放电管，其特征在于，包括：/n具有第一导电类型的衬底层，以及分别设于所述衬底层第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一器件层和第二器件层，所述第一器件层和所述第二器件层的结构呈对称设置；其中，所述第一器件层包括：/n设置于所述衬底层表面，且具有第二导电类型的扩散层；/n设置于所述衬底层表面，与所述衬底层接触，用于将所述扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离区；/n设置于所述有效阳极区表面的金属层；/n设置于所述有效阳极区与所述金属层之间，且具有第一导电类型的多个阴极区；/n设置于所述有效阳极区与所述隔离区之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂浓度大于所述衬底层的掺...

【技术特征摘要】
1.一种双向半导体放电管，其特征在于，包括：
具有第一导电类型的衬底层，以及分别设于所述衬底层第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一器件层和第二器件层，所述第一器件层和所述第二器件层的结构呈对称设置；其中，所述第一器件层包括：
设置于所述衬底层表面，且具有第二导电类型的扩散层；
设置于所述衬底层表面，与所述衬底层接触，用于将所述扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离区；
设置于所述有效阳极区表面的金属层；
设置于所述有效阳极区与所述金属层之间，且具有第一导电类型的多个阴极区；
设置于所述有效阳极区与所述隔离区之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂浓度大于所述衬底层的掺杂浓度。


2.如权利要求1所述的双向半导体放电管，其特征在于，所述第一导电类型为N...

【专利技术属性】
技术研发人员：张潘德，赖首雄，蓝浩涛，
申请(专利权)人：深圳市德芯半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44