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本实用新型属于半导体器件技术领域,提供了一种双向半导体放电管,所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层,第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置,其中,第一器件层包括:具有第二导电类型的扩散层;用于将扩散层...该专利属于深圳市德芯半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市德芯半导体技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型属于半导体器件技术领域,提供了一种双向半导体放电管,所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层,第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置,其中,第一器件层包括:具有第二导电类型的扩散层;用于将扩散层...