芯片封装组件制造技术

本申请提供一种芯片封装组件，其封装效率更高并且具有较好的散热性能。所述芯片封装组件包括：基板；芯片，嵌埋在所述基板上的开孔内；金属层，制作于所述基板的第一表面，用于对所述芯片进行散热；至少一个布线层，制作于所述基板的第二表面。

Chip package

【技术实现步骤摘要】
芯片封装组件
本申请实施例涉及芯片
，并且更具体地，涉及一种芯片封装组件。
技术介绍
传统的芯片封装过程需要先由基板厂商按要求设计、制造基板，然后基板送到封装厂作为封装材料的一部分进行封装。这给芯片的封装带来了成本和周期的增加。并且，对于高密度集成的芯片，在运行时所产生的热量会大幅增加，若不及时排除，将会导致芯片封装组件过热而威胁芯片寿命。
技术实现思路
本申请实施例提供一种芯片封装组件，其封装效率更高并且具有较好的散热性能。第一方面，提供了一种芯片封装组件，包括：基板；芯片，嵌埋在所述基板上的开孔内；金属层，制作于所述基板的第一表面，用于对所述芯片进行散热；至少一个布线层，制作于所述基板的第二表面。在一种可能的实现方式中，所述芯片的厚度大于所述基板的厚度，所述基板的第一表面上制作有填充材料层，且所述填充材料层的表面的高度与所述芯片的表面的高度相同。在一种可能的实现方式中，所述填充材料层为ABF材料层。在一种可能的实现方式中，所述芯片封装组件还包括：PID层，位于所述基板的第二表面与所述至少一个布线层之间。在一种可能的实现方式中，所述PID层上具有至少一个开窗，所述至少一个开窗用于连通所述芯片与所述至少一个布线层，所述至少一个开窗基于光束扫描形成。在一种可能的实现方式中，所述芯片封装组件还包括：PI层，位于所述基板的第二表面与所述至少一个布线层之间。在一种可能的实现方式中，所述PI层上具有至少一个开窗，所述至少一个开窗用于连通所述芯片与所述至少一个布线层，所述至少一个开窗基于光照掩膜版形成。在一种可能的实现方式中，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有间隔层，所述间隔层中设置有至少一个通孔，所述第二金属层覆盖所述间隔层且填充所述至少一个通孔。在一种可能的实现方式中，所述至少一个通孔位于所述间隔层中位于所述芯片上方的部分。在一种可能的实现方式中，所述芯片封装组件为算力芯片，具有相同结构的多个所述算力芯片设置于同一电路板上。基于上述技术方案，该芯片封装组件中的芯片嵌埋在基板的开孔内，并且芯片表面制作有用于进行散热的金属层，因此，该芯片封装组件的封装效率更高，并且能够通过表面金属层实现散热，尤其适用于高密度集成的芯片。附图说明图1是本申请实施例的芯片封装组件的示意性框图。图2是基于图1所示的芯片封装组件的一种可能的实现方式的示意图。图3是芯片表面和基板表面的高度的示意图。图4是芯片封装组件中PID层和PI层的示意图。图5是芯片封装组件中的用于散热的金属层的示意图。图6是芯片封装组件中的用于散热的金属层的示意图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行描述。传统的芯片封装过程需要先由基板厂商按要求设计、制造基板，然后基板送到封装厂作为封装材料的一部分，从而与芯片一起进行封装。对于高密度集成的芯片，这种方式大大增加了封装周期和成本。应理解，本申请实施例中所述的高密度集成的芯片，是指集成有大量电子元器件的芯片。由于该芯片上分布有大量电子元器件，在工作时会产生较大的热量，因此，在对这类芯片进行封装时，需要考虑芯片散热问题。为此，本申请实施例提出了一种芯片封装组件，其封装过程更为高效，并且解决了芯片的散热问题，尤其适用于高密度集成的芯片。图1是本申请实施例的芯片封装组件100的示意性框图。如图1所示，该芯片封装组件100包括：基板110；芯片120，嵌埋在基板110上的开孔内；金属层130，制作于基板110的第一表面，用于对芯片120进行散热；至少一个布线层140，制作于基板110的第二表面。该实施例中，基板上设置有开孔，芯片嵌埋至该开孔内。在基板和芯片的一侧制作有金属层，该金属层覆盖芯片和基板的表面。该金属层与芯片表面接触，芯片产生的热量可以直接传导至该金属层，从而实现散热。在基板和芯片的另一侧制作有至少一个布线层，该至少一个布线层包括一个或多个金属层，这些金属层具有特殊的线路结构，用来实现相应的电气功能。用于对芯片120进行散热的金属层130可以通过背面金属化(BacksideMetallizing，BSM)工艺形成，因此，金属层130也称为BSM层。并且，该BSM层上方还可以焊接散热器，从而进一步改善导热性能。可以看出，由于芯片嵌埋在基板中，芯片与基板合为一体，可以作为一个整体进行后续加工，方便制作用于对芯片进行散热的金属层。该金属层覆盖芯片和基板的表面，相比于通过绝缘材料覆盖芯片表面，该金属层具有更高的导热效率，并可以通过焊锡将散热器焊接到该金属层上，从而实现对芯片更为高效的散热。应理解，基板上的开孔可以是开通孔，但本申请实施例并不限于此，也可以采用开盲孔的方式替换开通孔的方式。以下均以该开孔是通孔为例进行描述。本申请实施例对芯片120和基板110的厚度不做限定。例如，芯片120的厚度可以与基板110的厚度相同，也可以大于基板110的厚度。其中，可选地，芯片120的厚度大于基板110的厚度时，基板110的第一表面上制作有填充材料层150，且填充材料层150的高度与芯片120的表面的高度相同。例如图2所示，基板110上设置有开孔，芯片120嵌埋至基板110的开孔中。芯片120的厚度大于基板110的厚度，因此芯片120的上表面高出基板110的上表面。这时，可以通过填充材料150，将芯片120固定在基板110的开孔内。填充材料150用来填充芯片120与开孔之间的间隙。并且，例如图3所示，填充材料150还可以覆盖基板110的上表面，以使基板110的上表面与芯片120的上表面对齐。由于基板110上表面的填充材料层150的高度与芯片120的高度相同，可以使芯片与基板表面更加平整，从而方便后续的金属层130的制作，避免制作过程中金属层130发生翘曲。这时，用于散热的金属层130可以直接覆盖芯片120的表面以及该填充材料150的表面。从图2中可以看出，金属层130与芯片120贴合，而于基板110的上表面之间填充有填充材料150。在具体实现时，例如可以将芯片120首先与特殊膜层粘连在一起，并通过该膜层，从基板的下侧将芯片120放入基板110的开孔内。接着在基板110的上表面的上方放置压板。由于芯片120的上表面高于基板110的上表面，因此，在基板110的上表面的上方放置压板后，芯片120的表面会与该压板贴合，而基板110的上表面与该压板之间存在间隙。注入填充材料150，使用填充材料150填充芯片120与开孔之间的间隙，以及基板110的上表面与该压板之间的间隙。在对填充材料150进行固化后，就能够将芯片120固定在该开孔内。之后，再将该膜层去除。该膜层例如可以是感光材料膜层，比如UV膜等。该膜层具有粘性，因此，也可以现将该膜层粘连在基板110的下表面，并使其覆盖基板110上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装组件，其特征在于，包括：/n基板；/n芯片，嵌埋在所述基板上的开孔内；/n金属层，制作于所述基板的第一表面，用于对所述芯片进行散热；/n至少一个布线层，制作于所述基板的第二表面。/n

【技术特征摘要】
20181123 CN PCT/CN2018/1172601.一种芯片封装组件，其特征在于，包括：
基板；
芯片，嵌埋在所述基板上的开孔内；
金属层，制作于所述基板的第一表面，用于对所述芯片进行散热；
至少一个布线层，制作于所述基板的第二表面。


2.根据权利要求1所述的芯片封装组件，其特征在于，所述芯片的厚度大于所述基板的厚度，所述基板的第一表面上制作有填充材料层，且所述填充材料层的表面的高度与所述芯片的表面的高度相同。


3.根据权利要求2所述的芯片封装组件，其特征在于，所述填充材料层为味之素复合膜ABF材料层。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片封装组件，其特征在于，所述芯片封装组件还包括：
可光成像介质PID层，位于所述基板的第二表面与所述至少一个布线层之间。


5.根据权利要求4所述的芯片封装组件，其特征在于，所述PID层上具有至少一个开窗，所述至少一个开窗用于连通所述芯片与所述至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵源，周涛，郭函，曹流圣，
申请(专利权)人：北京比特大陆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11