一种光刻胶清除装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例涉及半导体技术领域，公开了一种光刻胶清除装置，包括：用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，超声波发射器设置于清洗槽内。本实用新型专利技术实施方式中提供的光刻胶清除装置，有效清除半导体器件表面的光刻胶、且能够避免损伤半导体器件或造成半导体器件的电性损失。

A photoresist removal device

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶清除装置
本技术实施例涉及半导体
，特别涉及一种光刻胶清除装置。
技术介绍
在半导体器件的制作工艺中，对半导体器件进行离子注入后，往往需要清除半导体器件表面的光刻胶。现有的清除半导体器件表面光刻胶的装置在清洗半导体器件表面的光刻胶时，直接利用等离子体轰击光刻胶，之后使用光刻胶清洗溶剂清洗半导体器件表面的光刻胶；或者使用HDIS(高剂量离子注入光刻胶去除)法通过温度处理灰化半导体器件表面的光刻胶。然而，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：由于在对半导体器件进行离子注入后，光刻胶表面转换形成类金刚石或石墨分子结构的表皮“壳”，该表皮“壳”包裹的光刻胶内部存在挥发性溶剂及N2，因此在利用等离子体轰击光刻胶时容易爆裂，从而损伤半导体器件；而利用温度处理灰化半导体器件表面的光刻胶时，容易使得半导体器件表面氧化物的增加而造成半导体器件的电性损失。
技术实现思路
本技术实施方式的目的在于提供一种光刻胶清除装置，有效清除半导体器件表面的光刻胶、且能够避免损伤半导体器件或造成半导体器件的电性损失。为解决上述技术问题，本技术的实施方式提供了一种光刻胶清除装置，包括：用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，超声波发射器设置于清洗槽内。本技术实施方式相对于现有技术而言，提供了一种光刻胶清除装置，清洗槽内容置有光刻胶清洗溶剂，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件表面的光刻胶，且清洗槽内还设置有用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，利用本实施方式中的光刻胶清除装置清除待清洗半导体器件表面的光刻胶时，在光刻胶清洗溶剂中先利用超声波震碎待清洗半导体器件表面光刻胶的表皮“壳”，再由光刻胶清洗溶剂溶解掉表皮“壳”破裂后的光刻胶，可有效清除半导体器件表面的光刻胶；且由于光刻胶清洗溶剂可以有效缓冲部分光刻胶爆裂时的力度，从而避免对待清洗半导体器件表面造成损伤；且由于整个清洗过程均是在光刻胶清洗溶剂中进行的，可有效隔绝空气中的氧气不会造成半导体器件表面氧化物的增加，避免半导体器件的电性损失。另外，还包括：开设于清洗槽上的排水孔、以及用于过滤光刻胶清洗溶剂的过滤器；排水孔通过管道连接过滤器。该方案中过滤器可过滤掉经排水孔排出的光刻胶清洗溶剂中的光刻胶表皮“壳”颗粒，极大地降低了光刻胶清洗溶剂中的颗粒物污染，有利于光刻胶清洗溶剂的重复使用。另外，还包括：开设于清洗槽上的注水孔、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂引入注水孔的泵；过滤器通过管道连接泵，泵通过管道连接至注水孔。该方案中过滤器通过管道连接泵，泵通过管道连接至注水孔，泵可直接将过滤器过滤后的光刻胶清洗溶剂引入注水孔，注入清洗槽内，实现光刻胶清洗溶剂的循环使用。另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于过滤器和泵之间。该方案中由于加热状态下光刻胶清洗溶剂与光刻胶的反应速度更快，因此设置有加热器的光刻胶清除装置能够有效提升待清洗半导体器件的清洗效率。另外，还包括：储水槽；储水槽设置于过滤器与泵之间。该方案中储水槽设置于过滤器与泵之间，从而方便存储过滤后的光刻胶清洗溶剂。另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于储水槽底部。另外，还包括：排水阀，排水阀设置于排水孔与管道连接部分；控制器，控制器连接排水阀和泵，用于控制排水阀和泵打开和/或关闭。该方案中由控制器控制排水阀和泵的开关状态，从而实现光刻胶清洗溶剂的自动循环控制。另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于清洗槽底部。另外，超声波发射器设置于清洗槽的底壁上。另外，超声波发射器为多个。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1是根据本技术第一实施方式的光刻胶清除装置的结构示意图；图2是根据本技术第二实施方式的光刻胶清除装置的结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。本技术的第一实施方式涉及一种光刻胶清除装置，本实施方式的核心在于包括：用于容置光刻胶清洗溶剂11的清洗槽12，其中，光刻胶清洗溶剂11用于清洗待清洗半导体器件10；用于向待清洗半导体器件10发射超声波的超声波发射器13，超声波发射器13设置于清洗槽12内。利用本实施方式中的光刻胶清除装置清除待清洗半导体器件10表面的光刻胶时，在光刻胶清洗溶剂11中先利用超声波震碎待清洗半导体器件10表面光刻胶的表皮“壳”，再由光刻胶清洗溶剂11溶解掉表皮“壳”破裂后的光刻胶，可有效清除待清洗半导体器件10表面的光刻胶；且由于光刻胶清洗溶剂11可以有效缓冲部分光刻胶爆裂时的力度，从而避免对待清洗半导体器件10表面造成损伤；且由于整个清洗过程均是在光刻胶清洗溶剂11中进行的，可有效隔绝空气中的氧气不会造成待清洗半导体器件10表面氧化物的增加，避免待清洗半导体器件10的电性损失。下面结合光刻胶清除装置的使用方法对本实施方式的光刻胶清除装置的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。本实施方式中的超声波发射器13设置于清洗槽12的底壁上。具体地说，在使用时，可利用与光刻胶清除装置配合使用的夹具，将待清洗半导体器件10夹持后，竖直放置于清洗槽12内，以便于超声波发射器13发射的超声波震碎待清洗半导体器件10表面的光刻胶表皮“壳”。且本实施方式中可将清洗槽12设置的足够大，以同时容纳多个待清洗半导体器件10进行清洗，从而提高光刻胶清除装置的清洗效率。为提高待清洗半导体器件10的清洗效率，超声波发射器13可以设置多个，多个超声波发射器13均匀分布于清洗槽12的底壁上。可实现地，超声波发射器13也可设置于清洗槽12的侧壁上，在使用时，可利用与光刻胶清除装置配合使用的夹具，将待清洗半导体器件10夹持后，水平放置于清洗槽12内，以便于超声波发射器13发射的超声波震碎待清洗半导体器件10表面的光刻胶表皮“壳”。为提高待清洗半导体器件10的清洗效率，超声波发射器13可以设置多个，多个超声波发射器13可分别设置于清洗槽12的至少两个侧壁上。进一步地，本实施方式中光刻胶清除装置还包括：开设于清洗槽12上的排水孔111、以及用于过滤光刻胶清洗溶剂11的过滤器14；排水孔111通过管道连接过滤器14。具体地说，本实施方式中可在清洗槽12的底壁或侧壁的底部开设排水孔111本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶清除装置，其特征在于，包括：/n用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，所述光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；/n用于向所述待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，所述超声波发射器设置于所述清洗槽内。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶清除装置，其特征在于，包括：
用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，所述光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；
用于向所述待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，所述超声波发射器设置于所述清洗槽内。


2.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的排水孔、以及用于所述过滤光刻胶清洗溶剂的过滤器；所述排水孔通过管道连接所述过滤器。


3.根据权利要求2所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的注水孔、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂引入所述注水孔的泵；所述过滤器通过管道连接所述泵，所述泵通过管道连接至所述注水孔。


4.根据权利要求3所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述过滤器和所述泵之间。


5.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴从军，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34