【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在压印光刻工艺中配置光学层相关申请的交叉引用本申请要求2017年10月20日提交的序列号为62/574,826的美国临时申请的提交日的权益。序列号为62/574,826的美国申请的全部内容在此通过引用并入本文中。
本专利技术涉及在压印光刻(imprintlithography)工艺中配置光学层，更具体地说，涉及在基板上形成抗反射特征以调节通过基板的光透射。
技术介绍
纳米制造(例如，纳米压印光刻)是具有100纳米或更小数量级的特征的极小结构的制造。其中纳米制造已产生重大影响的一种应用是集成电路的加工。半导体加工工业不断努力提高产量，同时增加在基板的每单位面积上形成于基板上的电路的数量。为此，纳米制造对于实现半导体加工工业中的期望结果变得越来越重要。纳米制造提供了更大的工艺控制能力，同时允许形成于基板上的结构的最小特征尺寸的持续减小。已采用纳米制造的其它发展领域包括生物技术、光学技术、机械系统等。在一些示例中，纳米制造包括制造被组装而形成光学器件的基板上的结构。
技术实现思路
本专利技术涉及...
【技术保护点】
1.一种配置光学层的压印光刻方法，所述压印光刻方法包括：/n选择要施加到基板上以改变所述基板的有效折射率的纳米层的一个或多个参数；以及/n在所述基板上压印所述纳米层以改变所述基板的有效折射率，使得能够透射通过所述基板的相对光量改变选定的量。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171020 US 62/574,8261.一种配置光学层的压印光刻方法，所述压印光刻方法包括：
选择要施加到基板上以改变所述基板的有效折射率的纳米层的一个或多个参数；以及
在所述基板上压印所述纳米层以改变所述基板的有效折射率，使得能够透射通过所述基板的相对光量改变选定的量。
2.根据权利要求1所述的压印光刻方法，其中所述相对光量是第一相对光量，并且其中在所述基板上压印所述纳米层以改变所述基板的有效折射率包括改变从所述基板的表面反射的第二相对光量。
3.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括选择所述纳米层的形状、尺寸和材料配方中的一者或多者。
4.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括在所述基板上压印平坦纳米印记。
5.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括在所述基板上压印特征化纳米印记。
6.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括在所述基板上压印一个或多个抗反射(AR)特征。
7.根据权利要求6所述的压印光刻方法，其中所述一个或多个AR特征具有在约10nm至约300nm的范围内的高度。
8.根据权利要求7所述的压印光刻方法，其中所述一个或多个AR特征具有在约10nm至约150nm的范围内的宽度。
9.根据权利要求7所述的压印光刻方法，进一步包括以在约20nm至约200nm的范围内的间距分布所述一个或多个AR特征。
10.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括在所述基板上形成柱。
11.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括在所述基板上形成孔。
12.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括在所述基板上形成连续光栅和不连续光栅中的一者或全部两者。
13.根据权利要求1所述的压印光刻方法，进一步包括：
在所述基板的第一侧上形成功能图案；以及
沿着所述基板的所述第一侧和与所述基板的所述第一侧相反的所述基板的第二侧中的一者或全部两者压印所述纳米层。
14.根据权利要求13所述的压印光刻方法，进一步包括沿着相对于所述功能图案的特定方向形成所述纳米层的AR特征的阵列。
15.根据权利要求14所述的压印光刻方法，进一步包括在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·辛格，M·N·米勒，F·Y·徐，S·杨，
申请(专利权)人：奇跃公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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