一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法，属于半导体领域。包括如下步骤：在覆盖有功能层的衬底上涂覆SU8系列光刻胶，所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面；对涂覆有SU8系列光刻胶的样品进行曝光前烘烤工艺；将烘烤后的样品置于激光直写机样品台，并设定曝光条件，对SU8系列光刻胶进行多次曝光；对多次曝光后的SU8系列光刻胶进行显影。本发明专利技术工艺步骤简单，缩短了科研开发的周期，节约了开发成本，且安全可靠。

A method of exposure of i-line SU8 photoresist by H-line laser direct writer

【技术实现步骤摘要】
一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法
本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法。
技术介绍
MEMS传感器涉及电子、机械、物理学、生物学等诸多学科和技术，具有广阔的前景，因此近些年来发展一直较为迅速。随着MEMS传感器的发展，对MEMS工艺提出的要求也越来越高。MEMS（微机电系统）工艺是在半导体工艺基础上发展起来的，但又存在其不兼容之处。典型MEMS工艺流程为：清洗、旋涂、前烘、光刻、显影、坚膜、离子束刻蚀/沉积、去胶。其中尤以光刻工艺最为关键。光刻机按曝光方式常分为两类：曝光机和激光直写机。曝光机常用于工业化生产，而科研院校以激光直写机的使用居多。激光直写机以其对应的光源分为三类：365nm的i线直写机、405nm的h线直写机、436nm的g线直写机。三种直写机各有优缺点，大部分机构只含有其中一种，而h线、g线直写机能量低于i线直写机，因此部分i线光刻胶的光刻工艺在只配备有h线、g线直写机的实验室将无法完成。光刻胶的种类繁多，SU8光刻胶是一款被广本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法，其特征在于包括如下步骤：/n在覆盖有功能层的衬底上涂覆SU8系列光刻胶，所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面；/n对涂覆有SU8系列光刻胶的样品进行曝光前烘烤工艺；/n将烘烤后的样品置于激光直写机样品台，并设定曝光条件，对SU8系列光刻胶进行多次曝光；/n对多次曝光后的SU8系列光刻胶进行显影。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法，其特征在于包括如下步骤：
在覆盖有功能层的衬底上涂覆SU8系列光刻胶，所述光刻胶完整覆盖整个功能层表面；
对涂覆有SU8系列光刻胶的样品进行曝光前烘烤工艺；
将烘烤后的样品置于激光直写机样品台，并设定曝光条件，对SU8系列光刻胶进行多次曝光；
对多次曝光后的SU8系列光刻胶进行显影。


2.如权利要求1所述的一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法，其特征在于：所述曝光次数为25-35次。

【专利技术属性】
技术研发人员：谭稀，史鑫，强进，高晓平，卢启海，王向谦，宋玉哲，韩根亮，
申请(专利权)人：甘肃省科学院传感技术研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62