蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术涉及蚀刻液组合物，提供一种在蚀刻上部金属膜的工序中能够使对下部金属膜的损伤达到最小的蚀刻液组合物。根据本发明专利技术的蚀刻液组合物，在上部膜的蚀刻工序中能够抑制下部膜的损伤，使金属析出物的生成最少，防止发生偏态(skew)，提高工序效率。

Etching solution composition

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组合物
本专利技术涉及一种蚀刻液组合物(ETCHINGCOMPOSITION)，其选择性蚀刻上部金属膜，且使工序中金属析出物的生成达到最小。
技术介绍
半导体装置及TFT-LCD、OLED等微型电路是经过如下所述的一系列光刻工序而完成：在形成于基板上的铝、铝合金、铜、铜合金等的导电性金属膜或氧化硅膜、氮化硅膜等的绝缘膜上均匀涂布光刻胶(Photoresist)后，再通过图案化的掩模进行光照后，通过显影来在光刻胶上形成所需图案，并通过干法或湿法蚀刻将图案转印到位于光刻胶下部的金属膜或绝缘膜后，通过剥离工序去除不需要的光刻胶。一方面，随着显示器领域的开发，关于与薄膜晶体管连接的栅极线等的延长，存在布线电阻增加的问题。将通常使用到的铝、钼、铬等金属或金属合金作为布线使用时，难以解决由电阻增加引起的问题。因此，一直以来，为使电阻最小化，持续增加对试图使用含银(Ag)的膜、布线等的努力及适用于此的蚀刻液的研究。在含银(Ag)的膜中使用通常的蚀刻液时，会发生残留或再吸附，且由于蚀刻液粘度上升，会发生难以蚀刻纳米尺寸的图案的问题。另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻液组合物，/n包含：/n硝酸，/n有机酸，/n含硫化合物，及/n含铜化合物；/n所述有机酸不包含硫及铜原子；/n所述含硫化合物包含化学式1的化合物、硫酸盐或其组合，/n化学式1：/n

【技术特征摘要】
20181123 KR 10-2018-01462001.一种蚀刻液组合物，
包含：
硝酸，
有机酸，
含硫化合物，及
含铜化合物；
所述有机酸不包含硫及铜原子；
所述含硫化合物包含化学式1的化合物、硫酸盐或其组合，
化学式1：



化学式1中，
X为H、Na、K或铵，所述铵是取代或非取代的，
Y为H或OH，
R选自取代或非取代的C1～20的烷基。


2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述含硫化合物包含化学式1的化合物及硫酸盐。


3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述化学式1的化合物包含选自由甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、苯酚磺酸、羟甲基磺酸、羟乙基磺酸、羟丙基磺酸及其各盐中的一个以上。


4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述硫酸盐包含选自由硫酸氢铵、硫酸铵、硫酸氢钠、硫酸氢钾、硫酸钠、硫酸钾、过硫酸钾、过硫酸钠及过硫酸铵所构成的组中的一个以上。


5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述有机酸包含羧基。


6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述有机酸包含选自由柠檬酸、丁烷四羧酸、乙酸、丁酸、甲酸、乙醇酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、乳酸、己酸、辛酸、苯乙酸、苯甲酸、苯单羧酸、硝基苯甲酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷熙天，金益俊，李熙雄，陈闰泰，金希泰，金世训，
申请(专利权)人：易安爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR