银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法技术

技术编号:24197163 阅读:37 留言:0更新日期:2020-05-20 11:25
本发明专利技术提供银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法,上述银薄膜蚀刻液组合物,其包含:(A)硝酸;(B‑1)烷基磺酸;(B‑2)烷基磺酸以外的有机酸;(C)金属、金属盐和硫酸中的一种以上;(D)硫酸盐;和(E)水。本发明专利技术提供显著改善残渣(例如,银残渣和/或透明导电膜残渣等)及银再吸附问题的效果。

Silver film etching solution composition, etching method and metal pattern forming method

【技术实现步骤摘要】
银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法
本专利技术涉及银薄膜蚀刻液组合物、利用上述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法及金属图案的形成方法。
技术介绍
随着真正步入信息化时代,处理及显示大量的信息的显示器领域发展迅速,针对于此大量的平板显示器得到开发并受到关注。作为这样的平板显示装置的例子,可以举出液晶显示装置(Liquidcrystaldisplaydevice:LCD)、等离子体显示装置(PlasmaDisplayPaneldevice:PDP)、场发射显示装置(FieldEmissionDisplaydevice:FED)、电致发光显示装置(ElectroluminescenceDisplaydevice:ELD)、有机发光显示器(OrganicLightEmittingDiodes:OLED)等,这样的平板显示装置不仅应用于电视或录像机等家电领域,还以多种多样的用途应用于笔记本之类的电脑和手机等中。由于这些平板显示装置的薄型化、轻量化以及低耗电化等优异的性能,实际情况是,其正在快速替代以往使用的布劳恩管(阴极射线管(Catho本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银薄膜蚀刻液组合物,其包含:(A)硝酸;(B-1)烷基磺酸;(B-2)烷基磺酸以外的有机酸;(C)金属、金属盐和硫酸中的一种以上;(D)硫酸盐;和(E)水。/n

【技术特征摘要】
20181112 KR 10-2018-0138517;20181112 KR 10-2018-011.一种银薄膜蚀刻液组合物,其包含:(A)硝酸;(B-1)烷基磺酸;(B-2)烷基磺酸以外的有机酸;(C)金属、金属盐和硫酸中的一种以上;(D)硫酸盐;和(E)水。


2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,相对于组合物总重量,包含:
(A)硝酸7~15重量%;
(B-1)烷基磺酸3~8重量%;
(B-2)烷基磺酸以外的有机酸25~50重量%;
(C)金属、金属盐和硫酸中的一种以上0.01~3重量%;
(D)硫酸盐5~25重量%;和
(E)余量的水。


3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述(B-1)烷基磺酸为甲磺酸。


4.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述(B-2)烷基磺酸以外的有机酸包含选自由乙酸、柠檬酸、丙二酸、丁酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸组成的组中的一种以上。


5.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物,其特征在于,所述(C)金属、金属盐和硫酸中的一种以上包含选自由含有Fe和Cu的金属;Fe、Cu、I...

【专利技术属性】
技术研发人员:金炼卓金镇成南基龙刘仁浩
申请(专利权)人:东友精细化工有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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