【技术实现步骤摘要】
一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法
本专利技术涉及太阳能电池制备
，具体涉及一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法。
技术介绍
目前晶硅电池生产管式PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子增强化学气相沉积)镀膜工段镀膜时电池片载体为石墨舟，镀膜时在石墨舟表面会沉积氮化硅，随着使用次数的增加，沉积的氮化硅越来越多，使用新饱和石墨舟给硅片镀膜时，石墨舟表面已沉积了较薄的氮化硅，镀膜时电场强度低，镀膜速度慢，导致硅片表面镀的膜薄，硅片颜色偏红，不符合产品质量标准。石墨舟使用达到一定次数后，石墨舟表面沉积的氮化硅较厚，镀膜时电场强度高，镀膜速度快尤其硅片与石墨舟叶接触处更易使硅片沉积较厚氮化硅，导致硅片镀的膜较厚，硅片颜色偏白不符合质量标准。在镀膜过程中，氮化硅镀膜厚度是否异常很难及时察觉，造成产品大量返工，增加生产成本，降低经济效益。
技术实现思路
专利技术目的：为了克服现有技术的不足，本专利技术提供...
【技术保护点】
1.一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/nS1获取所述石墨舟镀膜工艺中炉管密闭性正常后的各个石墨舟的舟号和对应的当前使用次数，并将获得的石墨舟相关数据存储到PECVD机台服务器中；/nS2所述PECVD机台服务器读取相关数据后，根据各个石墨舟的当前使用次数选择对应执行氮化硅的沉积时间，若所述石墨舟的当前使用次数小于最小阈值a，则所述氮化硅的沉积时间为第一时间T
【技术特征摘要】
1.一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
S1获取所述石墨舟镀膜工艺中炉管密闭性正常后的各个石墨舟的舟号和对应的当前使用次数，并将获得的石墨舟相关数据存储到PECVD机台服务器中；
S2所述PECVD机台服务器读取相关数据后，根据各个石墨舟的当前使用次数选择对应执行氮化硅的沉积时间，若所述石墨舟的当前使用次数小于最小阈值a，则所述氮化硅的沉积时间为第一时间T1，否则：
若所述石墨舟的当前使用次数大于最大阈值b，则氮化硅的沉积时间为第三时间T3，否则：
若所述石墨舟的当前使用次数置于最小阈值a和最大阈值b之间，则氮化硅的成沉积时间为第二时间T2，且T1＞T2＞T3，a＜b。
2.根据权利要求1所述的解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法，其特征在于，最小阈值a∈[5,10]，最大阈值b∈[55,70]，550s≥T1＞T2＞T3≥400s。
3.一种石墨舟镀膜工艺方法，其特征在于，包括：
将晶硅太阳能电池硅片在通高纯氮气时置于第一预设温度环境中，关闭炉门，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜敬良，庄艳，金礼发，黄国平，李菁楠，
申请(专利权)人：中节能太阳能科技镇江有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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