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本发明公开了一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法,所述石墨舟镀膜工艺方法,包括:将晶硅太阳能电池硅片在通高纯氮气时置于第一预设温度环境中,关闭炉门,抽真空;炉管内达到真空要求后,升温至第二预设温度后检测炉管密闭性;向炉...该专利属于中节能太阳能科技(镇江)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中节能太阳能科技(镇江)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种解决石墨舟镀膜工艺中膜厚异常的方法及石墨舟镀膜工艺方法,所述石墨舟镀膜工艺方法,包括:将晶硅太阳能电池硅片在通高纯氮气时置于第一预设温度环境中,关闭炉门,抽真空;炉管内达到真空要求后,升温至第二预设温度后检测炉管密闭性;向炉...