【技术实现步骤摘要】
一种高电导率Mo金属薄膜结构及其制备方法和应用
本专利技术属于薄膜材料
，涉及微机电系统加热用薄膜材料的制备，具体涉及一种高电导率Mo金属薄膜结构及其制备方法和应用。
技术介绍
Mo作为一种电阻率低、机械强度大的高熔点金属，具有高的热稳定性、优异的电学性能等特点，可用作CIGS薄膜太阳能电池的背接触层，Mo/Si系统用于集成电路互连线、欧姆接触和肖特基势垒，同时Mo/Si多层膜作为同步辐射软X射线的反射镜材料，其具有很好的热稳定性和界面平整度，Mo加热材料在国外也有少量报道，综上可知，Mo金属薄膜的调控及研究逐渐得到人们的广泛重视。作为背接触层的Mo薄膜质量直接影响CIGS吸收层薄膜材料的表面形貌和电池使用寿命等。背接触层材料应具有较高的光反射率、较低的电阻率，并能够抵抗吸收层CIGS薄膜沉积过程中的高腐蚀性气氛，这就要求背接触层材料具有较高的纯度，且与基底结合要好。而金属硅化物的形成及性质与难熔金属的性质紧密相关，因此人们对薄膜电阻率做出广泛研究。由于Mo与氧的吸附与作用，即便在高真空的溅射系统中，其...
【技术保护点】
1.一种高电导率Mo金属薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括，在Mo金属膜表面生长保护层，随后进行高温退火处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种高电导率Mo金属薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括，在Mo金属膜表面生长保护层，随后进行高温退火处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述保护层为SiO2层或SiNx层，优选为SiO2层；
和/或，所述保护层的厚度为50-500nm。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述保护层为等离子体增强化学气相沉积法生长的SiO2层；
优选地，所述SiO2层的厚度为100-300nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述高温退火处理的退火温度和退火时间分别为800-1100℃和45-90min；
优选地，所述高温退火处理在1750-2400Pa的氩气保护气氛下进行。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述Mo金属膜的制备采用磁控溅射法，具体包括：将衬底置于高真空度...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛圣成，栗晓辰，韩晓东，马东锋，王梦龙，张泽，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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