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本发明公开了一种高电导率Mo金属薄膜结构及其制备方法和应用，其制备方法包括，在Mo金属膜表面生长保护层，随后进行高温退火处理；保护层为等离子体增强化学气相沉积法生长的100‑300nmSiO...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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