【技术实现步骤摘要】
封装模块本申请要求于2018年11月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0143301号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种多个电子组件和半导体芯片嵌在单个封装件中的封装模块。
技术介绍
为了应对对智能电话的纤薄化、多功能化和实现高性能的市场需求，半导体芯片和半导体封装件需要为轻量、纤薄且短缩的，同时具有精细的电路宽度、高密度等。为此，半导体封装件的制造技术正在迅速发展。例如，已经根据这样的市场需求开发了芯片级封装(CSP)，并且正在开发半导体封装相关的技术，诸如层叠封装(POP)、贯穿孔(TSV)、扇出型晶圆级封装(FO-WLP)等。其中，FO-WLP技术在按照原样使用现有的半导体工艺的同时具有增大半导体芯片与基板之间的连接的集成密度以及改善热特性和电特性的优点。另一方面，半导体芯片的I/O数量已大大增大以应对智能电话的多功能化和高性能，并且正在开发可安装大量半导体芯片和/或无源组件以在一个封装件中执行多种功能的技术。然而，由于FO-WLP...
【技术保护点】
1.一种封装模块，所述封装模块包括：/n芯结构，包括虚设构件、设置在所述虚设构件周围的一个或更多个电子组件以及覆盖所述虚设构件和所述一个或更多个电子组件中的每个的至少一部分的绝缘材料，所述芯结构包括穿过所述虚设构件和所述绝缘材料的第一贯穿孔；/n半导体芯片，设置在所述第一贯穿孔中，并且具有有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，在所述有效表面上设置有连接垫；/n包封剂，覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分，所述包封剂设置在所述第一贯穿孔的至少一部分中；以及/n连接结构，设置在所述芯结构和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述一个或更多个电子组件和...
【技术特征摘要】
20181120 KR 10-2018-01433011.一种封装模块，所述封装模块包括：
芯结构，包括虚设构件、设置在所述虚设构件周围的一个或更多个电子组件以及覆盖所述虚设构件和所述一个或更多个电子组件中的每个的至少一部分的绝缘材料，所述芯结构包括穿过所述虚设构件和所述绝缘材料的第一贯穿孔；
半导体芯片，设置在所述第一贯穿孔中，并且具有有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，在所述有效表面上设置有连接垫；
包封剂，覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分，所述包封剂设置在所述第一贯穿孔的至少一部分中；以及
连接结构，设置在所述芯结构和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述一个或更多个电子组件和所述连接垫的重新分布层。
2.根据权利要求1所述的封装模块，其中，所述虚设构件分别与所述一个或更多个电子组件和所述连接垫电绝缘。
3.根据权利要求1所述的封装模块，其中，所述虚设构件的内侧表面包括所述第一贯穿孔的内侧表面的一部分，
其中，所述虚设构件的所述内侧表面连续地围绕所述半导体芯片的侧表面。
4.根据权利要求1所述的封装模块，其中，所述虚设构件的面向所述连接结构的一个表面与所述一个或更多个电子组件的面向所述连接结构的一个表面共面。
5.根据权利要求1所述的封装模块，其中，所述芯结构还包括具有第二贯穿孔的框架；并且
所述虚设构件和所述一个或更多个电子组件在所述第二贯穿孔中并排地布置，并且所述绝缘材料覆盖所述框架的至少一部分并设置在所述第二贯穿孔的至少一部分中。
6.根据权利要求5所述的封装模块，其中，所述第一贯穿孔位于所述第二贯穿孔内侧。
7.根据权利要求6所述的封装模块，其中，所述芯结构还包括：第一金属层，设置在所述第二贯穿孔的内侧表面上；以及第二金属层，设置在所述第一贯穿孔的内侧表面上。
8.根据权利要求7所述的封装模块，其中，所述第一金属层和所述第二金属层分别延伸到所述框架的至少一个表面和所述绝缘材料的至少一个表面上，
其中，背侧金属层设置在所述包封剂的与所述包封剂的其上设置有所述连接结构的表面相对的表面上，并且
其中，所述背侧金属层通过贯穿所述包封剂和所述绝缘材料的第一金属过孔连接到所述第一金属层，并且通过贯穿所述包封剂的第二金属过孔连接到所述第二金属层。
9.根据权利要求8所述的封装模块，其中，所述第一金属过孔在堆叠方向上的厚度比所述第二金属过孔在所述堆叠方向上的厚度大。
10.根据权利要求5所述的封装模块，其中，所述框架还包括彼此电连接的多个导体图案层，并且
其中，所述多个导体图...
【专利技术属性】
技术研发人员：李在杰，朴振嫙，明俊佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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