天线封装及其制造方法技术

一种天线封装包含经图案化天线结构和囊封物。所述经图案化天线结构包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面。所述囊封物安置在所述经图案化天线结构的所述第一表面上。所述经图案化天线结构的所述第三表面包含由所述囊封物覆盖的第一部分以及从所述囊封物暴露的第二部分。

Antenna package and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
天线封装及其制造方法
本专利技术大体上涉及天线封装，且更确切地说，涉及包含经图案化天线结构的天线封装及其制造方法。
技术介绍
芯片天线已变得广泛地用作用于IC封装的天线结构。目前，在制造芯片天线中，通常利用电镀或溅镀操作以在衬底、介电材料或模制化合物上形成天线图案。然而，为了获得具有用于各种应用的足够厚度的天线图案，电镀或溅镀操作就时间或成本而言可能并不是高效的。
技术实现思路
在一个方面中，根据一些实施例，天线封装包含经图案化天线结构和囊封物。经图案化天线结构包含第一表面、与第一表面相对的第二表面，以及在第一表面与第二表面之间延伸的第三表面。囊封物安置在经图案化天线结构的第一表面上。经图案化天线结构的第三表面包含由囊封物覆盖的第一部分以及从囊封物暴露的第二部分。在另一方面中，根据一些实施例，半导体封装包含衬底、半导体管芯和天线封装。半导体管芯安置在衬底上并且电连接到衬底。天线封装安置在衬底上并且电连接到衬底。天线封装包含囊封物和经图案化天线结构。经图案化天线结构安置在囊封物上。天线封装的经图案化天线结构包含在天线封装的囊封物与半导体管芯之间延伸的金属延伸部分。在又一方面中，根据一些实施方案，制造天线封装的方法包含：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的金属板；在金属板的第一表面上形成第一经图案化凹部；在金属板的第一表面上并且进入到第一经图案化凹部中形成囊封物；以及在金属板的第二表面上形成第二经图案化凹部并且连接到第一经图案化凹部以界定第一天线图案。第一天线图案在远离金属板的第二表面的方向上伸出到囊封物中。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本专利技术的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且附图中所描绘特征的尺寸可能出于论述的清楚起见而任意增大或减小。图1A说明根据本专利技术的一些实施例的天线封装的截面图。图1B说明根据本专利技术的一些实施例的天线封装的截面图。图1C说明根据本专利技术的一些实施例的天线封装的截面图。图2A说明根据本专利技术的一些实施例的天线封装的截面图。图2B说明根据本专利技术的一些实施例的天线封装的截面图。图2C说明根据本专利技术的一些实施例的天线封装的透视图。图3A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装的截面图。图3B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装的俯视图。图4A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装的截面图。图4B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装的俯视图。图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G和图5H是根据本专利技术的一些实施例在各个阶段制造的天线封装的截面图。图6A、图6B、图6C、图6D、图6E和图6F是根据本专利技术的一些实施例在各个阶段制造的天线封装的截面图。图7A、图7B、图7C、图7D和图7E是根据本专利技术的一些实施例在各个阶段制造的半导体封装的截面图。图8A、图8B、图8C、图8D和图8E是根据本专利技术的一些实施例在各个阶段制造的半导体封装的截面图。贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本专利技术。具体实施方式根据关于制造天线封装的本专利技术的一些实施例，通过在形成有天线图案的引线框或金属结构上形成模制化合物，可以很好地控制从模制化合物暴露的天线图案的厚度以改进信号传输，并且天线封装的制造可以是更高效的且具有成本效益的。图1A说明根据本专利技术的一些实施例的天线封装1a的截面图。天线封装1a包含经图案化天线结构10、囊封物20、导电层30、屏蔽层40、电触点50以及导电元件60和70。经图案化天线结构10包含表面101、与表面101相对的表面102以及在表面101与表面102之间延伸的表面103。在一些实施例中，表面103包含部分1031和连接到部分1031的部分1032。在一些实施例中，表面103的部分1031和部分1032不共面。举例来说，部分1031和部分1032界定小于180度的角度。经图案化天线结构10可以包含金属板、可以是金属板，或者可以由金属板制成。经图案化天线结构10可以包含引线框、可以是引线框，或者可以由引线框制成。经图案化天线结构10可包含例如，铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、锡(Sn)、金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)或不锈钢，或混合物、合金，或其其它组合。导电元件60和70安置在经图案化天线结构10的表面101上。导电元件60和/或导电元件70可以包含Al、Cu、Cr、Sn、Au、Ag、Ni或不锈钢，或混合物、合金，或其其它组合。在一些实施例中，导电元件60可以是导电线并且可具有接触经图案化天线结构10的凸块部分61。在一些实施例中，导电元件70可具有销或柱结构。电触点50安置在导电元件60和70上。电触点50通过导电元件60和70电连接到经图案化天线结构10。电触点50可以包含焊料。电触点50可将用于经图案化天线结构10的电气连接提供到外部装置。囊封物20安置在经图案化天线结构10的表面101上。囊封物20覆盖经图案化天线结构10的表面101、导电元件60和70以及电触点50的一部分。在一些实施例中，囊封物20覆盖经图案化天线结构10的表面103的部分1031并且暴露经图案化天线结构10的表面103的部分1032。囊封物20可以包含具有填充物的环氧树脂、模制化合物(例如，环氧模制化合物或其它模制化合物)、聚酰亚胺、酚类化合物或材料、具有分散在其中的硅酮的材料，或其组合。经图案化天线结构10的表面103界定空间15。囊封物20的部分通过空间15暴露。举例来说，囊封物20的底部表面的部分从空间15中暴露。囊封物20被安置到空间15的部分中。在一些实施例中，空间15的宽度W与经图案化天线结构10的厚度T的比率小于1。在天线封装1a的制造期间比率配置可促进一些图案化操作，例如，蚀刻操作。在天线封装1a的制造期间比率配置可减少经图案化天线结构10的变形。空间15包含部分151和部分152。部分151由经图案化天线结构10的表面103的部分1031界定。部分152由经图案化天线结构10的表面103的部分1032界定。部分151和部分152可具有逐渐变窄的形状。空间15的部分151在从经图案化天线结构10的表面102到经图案化天线结构10的方向上逐渐变窄。空间15的部分152在从经图案化天线结构10的表面101到经图案化天线结构10的方向上逐渐变窄。在一些实施例中，空间15的部分151的深度D1小于空间15的部分152的深度D2。在一些实施例中，空间15的部分151的深度D1与经图案化天线结构10的厚度T的比率大于0且小于约0.5。深度配置可增加从囊封物20暴露的经图案化天线结构10的部分(或深度)。深度配置可增加天线封装的辐射(例如，在横向方向上的辐射)效率。在图1A中，经图案化天线结构10包含延伸部分17。延伸部分17可以包含天线图案。延伸部分17上的天线图案可用于调节本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线封装，其包括：/n经图案化天线结构，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面；以及/n囊封物，其安置在所述经图案化天线结构的所述第一表面上，其中所述经图案化天线结构的所述第三表面包括由所述囊封物覆盖的第一部分以及从所述囊封物暴露的第二部分。/n

【技术特征摘要】
20181120 US 16/197,3521.一种天线封装，其包括：
经图案化天线结构，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面；以及
囊封物，其安置在所述经图案化天线结构的所述第一表面上，其中所述经图案化天线结构的所述第三表面包括由所述囊封物覆盖的第一部分以及从所述囊封物暴露的第二部分。


2.根据权利要求1所述的天线封装，其中所述经图案化天线结构是金属板。


3.根据权利要求1所述的天线封装，其中所述经图案化天线结构的所述第三表面界定暴露所述囊封物的空间。


4.根据权利要求3所述的天线封装，其中所述空间的宽度与所述经图案化天线结构的厚度的比率小于1。


5.根据权利要求3所述的天线封装，其中所述空间包括由所述经图案化天线结构的所述第三表面的所述第一部分界定的第一部分以及由所述经图案化天线结构的所述第三表面的所述第二部分界定的第二部分。


6.根据权利要求5所述的天线封装，其中所述空间的所述第一部分的深度与所述经图案化天线结构的厚度的比率大于0且小于0.5。


7.根据权利要求1所述的天线封装，其进一步包括在所述囊封物上的电触点，以及在所述囊封物内并且电连接所述电触点和所述经图案化天线结构的导电元件。


8.根据权利要求1所述的天线封装，其中所述经图案化天线结构包括沿所述囊封物的侧壁延伸的延伸部分。


9.根据权利要求8所述的天线封装，其中所述经图案化天线结构的所述延伸部分朝向所述囊封物倾斜。


10.根据权利要求8所述的天线封装，其中所述经图案化天线结构的所述延伸部分包括天线图案。


11.一种半导体封装，其包括：
衬底；
半导体管芯，其在所述衬底上并且电连接到所述衬底；以及
天线封装，其安置在所述衬底上并且电连接到所述衬底，所述天线封装包括：
囊封物；以及<...

【专利技术属性】
技术研发人员：何政霖，李志成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71