【技术实现步骤摘要】
包括非易失性存储器器件的存储设备及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月16日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0141638的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开涉及存储数据的设备，并且更具体地涉及包括非易失性存储器器件的存储设备及其操作方法。
技术介绍
诸如固态驱动器(SSD)或通用闪速存储器(UFS)之类的存储设备包括非易失性存储器器件。由于非易失性存储器器件在掉电时保持存储在其中的数据，因此非易失性存储器器件可以用于长时间存储数据。这样的存储设备可以用作各种电子设备(例如，计算机、智能电话和智能平板等)中的主存储设备。为了在非易失性存储器器件上执行各种操作，存储设备通常将从主机提供的逻辑地址转换为非易失性存储器器件中可用的物理地址。可以使用映射表来执行将逻辑地址转换为物理地址的操作。然而，可能发生这种情况：在非易失性存储器器件中更新映射表之前，可能由于意外情况(例如，突然掉电(SPO))而从存储设备中包括的易失性存储器(例如，缓冲器存储器)中擦除...
【技术保护点】
1.一种存储设备，包括：/n非易失性存储器器件，包括存储器区域，所述存储器区域包括与第一物理地址相对应的第一页和与第二物理地址相对应的第二页；以及/n存储器控制器；/n其中，在基于与第一逻辑地址相对应的第一写入命令在所述第一页处写入第一数据之后，所述存储器控制器被配置为：基于与第二逻辑地址相对应的第二写入命令在所述第二页处写入第二数据，并且产生与所述第一数据相对应的第一校验数据和与所述第二数据相对应的第二校验数据，/n其中，所述存储器控制器还被配置为基于所述第二校验数据恢复所述第一物理地址和所述第二物理地址以及所述第一逻辑地址和所述第二逻辑地址。/n
【技术特征摘要】
20181116 KR 10-2018-01416381.一种存储设备，包括：
非易失性存储器器件，包括存储器区域，所述存储器区域包括与第一物理地址相对应的第一页和与第二物理地址相对应的第二页；以及
存储器控制器；
其中，在基于与第一逻辑地址相对应的第一写入命令在所述第一页处写入第一数据之后，所述存储器控制器被配置为：基于与第二逻辑地址相对应的第二写入命令在所述第二页处写入第二数据，并且产生与所述第一数据相对应的第一校验数据和与所述第二数据相对应的第二校验数据，
其中，所述存储器控制器还被配置为基于所述第二校验数据恢复所述第一物理地址和所述第二物理地址以及所述第一逻辑地址和所述第二逻辑地址。
2.根据权利要求1的存储设备，其中，所述第二校验数据包括：
序列数据，具有基于所述第一逻辑地址和所述第二逻辑地址之间的连续性的值。
3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，当所述第二物理地址是所述第一物理地址之后的物理地址，且所述第二逻辑地址是所述第一逻辑地址之后的逻辑地址时，所述序列数据被生成为具有顺序标识值。
4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，当在所述第一写入命令之前接收的第三写入命令与在所述第一逻辑地址之前的第三逻辑地址相对应时，所述第一校验数据被生成为包括具有顺序标识值的顺序数据；并且当所述第三写入命令不与所述第三逻辑地址相对应时，所述第一校验数据被生成为包括具有非顺序标识值的顺序数据。
5.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述第二校验数据包括偏移数据，所述偏移数据具有基于参考逻辑地址和第二逻辑地址之间的差异的值。
6.根据权利要求5所述的存储设备，其中，基于所述偏移数据的值确定要通过所述第二校验数据恢复的地址。
7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为基于所述第二写入命令将所述第一校验数据与所述第二数据一起写入到所述第二页处。
8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为将所述第一校验数据和所述第二校验数据分别写入到所述存储器区域的不同页处；以及
其中，在基于所述第二校验数据恢复所述第一物理地址和所述第二物理地址以及所述第一逻辑地址和所述第二逻辑地址之后，所述存储器控制器还被配置为在从所述存储器区域读取所述第二校验数据之后跳过读取所述第一校验数据。
9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为将所述第一校验数据和所述第二校验数据分别写入到所述存储器区域的不同页处；以及
其中，在基于所述第二校验数据恢复包括所述第一物理地址和所述第二物理地址以及所述第一逻辑地址和所述第二逻辑地址在内的映射之后，所述存储器控制器还被配置为从所述存储器区域的写入数据的多个有效页中读取与最后的逻辑地址相对应的最后的页，然后读取存储所述第一校验数据的页。
10.根据权利要求9所述的存储设备，其中，所述...
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