【技术实现步骤摘要】
一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器
本技术涉及紫外探测器的
，特别涉及一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器。
技术介绍
光电探测技术因具有良好的高光敏度、非视线通讯、低窃听率等优点，在军事和民用的各个领域有广泛用途。在近红外或可见光波段主要用于近红外遥感、工业自动控制、可见光通信等；在紫外波段主要用于导弹制导、紫外分析、明火探测和太阳照度检测等方面。第三代宽带隙半导体材料(包含GaN、AlN、InN以及三、四元化合物)，因其具有禁带宽度大、电子迁移速率快、热稳定性好和抗辐射能力强等特性使其十分适合于制作频率高、功率大、集成度高和抗辐射的电子器件，在发光二极管、光电探测器件和太阳电池等许多领域得到广泛应用。InGaN材料具有宽禁带、直接带隙，其能够通过调节合金的组分，实现禁带宽度从0.7eV到3.4eV的连续可调谐，相当于截止波长为365nm到1770nm，这个特性使它能探测近红外、可见光至紫外波段的信号，且无需滤光系统和做成浅结。而InGaN一维纳米柱材料由于其独特的纳米结构诱导的...
【技术保护点】
1.一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，包括由下至上的衬底（1）、底层石墨烯层（2）、InGaN纳米柱阵列（4）和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层（5），还包括位于纳米柱阵列（4）一侧的第一Au金属层电极（6），以及位于纳米柱阵列（4）另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO
【技术特征摘要】
1.一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，包括由下至上的衬底（1）、底层石墨烯层（2）、InGaN纳米柱阵列（4）和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层（5），还包括位于纳米柱阵列（4）一侧的第一Au金属层电极（6），以及位于纳米柱阵列（4）另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO2绝缘层（3），且第一Au金属层电极（6）和SiO2绝缘层（3）均位于底层石墨烯层（2）上方，第二Au金属层电极（7）与SiO2绝缘层（3）通过顶层石墨烯层（5）隔开。
2.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述衬底（1）为蓝宝石、Si或La0.3Sr1.7AlTaO6。
3.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，所述衬底（1）的厚度为420~430μm。
4.根据权利要求1所述的GSG型可调谐光电...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，郑昱林，王文樑，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44
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