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本实用新型公开了一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器。所述光电探测器包括由下至上的衬底、底层石墨烯层、InGaN纳米柱阵列和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层，还包括位于纳米柱阵列一侧的第一Au金属层电极，以及位于纳米...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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