浅沟槽高压GPP芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种浅沟槽高压GPP芯片，所述芯片包括N‑衬底层，所述N‑衬底层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述N‑衬底层的上表面形成有P‑隔离环，所述P‑隔离环内的N‑衬底层的上表面形成有P阳极层，所述P阳极层的上表面形成有P+阳极层，所述P‑隔离环不与所述P阳极层以及P+阳极层接触，所述P‑隔离环的上表面形成有钝化沟槽，所述钝化沟槽内形成有钝化层，所述钝化层的内侧与所述P阳极层以及P+阳极层接触，所述P+阳极层的上表面形成有阳极金属层。所述GPP芯片中沟槽深度较浅，在制备的过程中可有效的减少Wafer翘曲，降低芯片内部应力，减少碎片，提高产出率。

Shallow groove high voltage GPP chip

【技术实现步骤摘要】
浅沟槽高压GPP芯片
本技术涉及二极管
，尤其涉及一种浅沟槽高压GPP芯片。
技术介绍
目前，对于中小电流，击穿电压低于1600伏的硅功率二极管，市场上最常用的切割图形为正方形，其次是正六边形；市场价格较高且性能要求及可靠性高的产品，则设计为圆形图形。近年来，对于市场上使用一种可靠性较高的玻璃钝化(GPP)硅二极管的呼声越来越高，并得到电子行业内人士的普遍认可。这种GPP芯片是在硅扩散片金属化之前使用光刻胶掩膜及刻蚀V型槽或机械式划V型槽的台面。但是目前高压GPP芯片制造过程中，芯片内部应力大、翘曲、易碎片。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是如何提供一种芯片内部应力小、碎片少、产出率高的浅沟槽高压GPP芯片。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种浅沟槽高压GPP芯片，其特征在于：包括N-衬底层，所述N-衬底层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述N-衬底层的上表面形成有P-隔离环，所述P-隔离环内的N-衬底层的上表面形成有P阳极层，所述P阳极层的上表面形成有P+阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浅沟槽高压GPP芯片，其特征在于：包括N-衬底层(1)，所述N-衬底层(1)的下表面形成有N+衬底层(2)，所述N+衬底层(2)的下表面形成有阴极金属层(11)，所述N-衬底层(1)的上表面形成有P-隔离环(3)，所述P-隔离环(3)内的N-衬底层(1)的上表面形成有P阳极层(4)，所述P阳极层(4)的上表面形成有P+阳极层(5)，所述P-隔离环(3)不与所述P阳极层(4)以及P+阳极层(5)接触，所述P-隔离环(3)的上表面形成有钝化沟槽(6)，所述钝化沟槽(6)内形成有钝化层(7)，所述钝化层(7)的内侧与所述P阳极层(4)以及P+阳极层(5)接触，所述P+阳极层(5)的上表面形成...

【技术特征摘要】
20190313 CN 20192031671411.一种浅沟槽高压GPP芯片，其特征在于：包括N-衬底层(1)，所述N-衬底层(1)的下表面形成有N+衬底层(2)，所述N+衬底层(2)的下表面形成有阴极金属层(11)，所述N-衬底层(1)的上表面形成有P-隔离环(3)，所述P-隔离环(3)内的N-衬底层(1)的上表面形成有P阳极层(4)，所述P阳极层(4)的上表面形成有P+阳极层(5)，所述P-隔离环(3)不与所述P阳极层(4)以及P+阳极层(5)接触，...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘蔡军，王成森，张超，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32