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本实用新型公开了一种浅沟槽高压GPP芯片，所述芯片包括N‑衬底层，所述N‑衬底层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述N‑衬底层的上表面形成有P‑隔离环，所述P‑隔离环内的N‑衬底层的上表面形成有P阳极层，所...
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