一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置和掺杂方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置和掺杂方法，能够实现掺杂离子的定向迁移，相对于现有技术，上述阳离子掺杂装置利用通电电流在金属氧化物与液体(或凝胶体)，即电解质层与金属氧化物薄膜的固‑液界面处形成磁场，掺杂离子在该固‑液界面处进行热平衡交换时，由于两侧能量势垒差的不同，导致离子从金属氧化物到液体(或凝胶体)会被加速，而从液体(或凝胶体)到金属氧化物则会被减速，导致在磁场作用下掺杂离子在金属氧化物和液体(或凝胶体)中走不同半径的半圆弧运动，从而引起掺杂离子在金属氧化物表面处形成宏观的移动量，实现掺杂离子的定向迁移。

A cation doping device and method for metal oxide film

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置和掺杂方法
本专利技术属于金属氧化物薄膜
，具体涉及一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置和掺杂方法。
技术介绍
阳离子的掺入和脱出金属氧化物薄膜技术，被广泛应用于储能器件的充电和放电，以及电致变色器件等方面。现有技术中，阳离子只能在外加电场的驱动下，垂直注入到金属氧化物薄膜层内。虽然进入薄膜层内的离子靠浓度差扩散的方式可以均匀填满整个薄膜区域，但无法进一步控制离子在金属氧化物薄膜中的浓度分布以及控制掺杂区域。若能实现注入金属氧化物体内的阳离子，还能进行可控的横向迁移运动，并且移动后的离子在撤去外场后还能稳定存在于预设定的区域内，将会引发一系列技术上的变革，如锂电池将可扁平化(同一层薄膜间的充放电)、电致变色窗户不再是整体变色，可实现局部可控变色，掺杂的浓度分布可控、空间分辨率更高等，甚至能实现阳离子在固态材料中的三维可控运动。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置和掺杂方法，能够实现掺杂离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置，其特征在于，包括/n基底层，以及设置于所述基底层表面的导电层，所述导电层的两侧设置有电极层，所述导电层的表面设置有金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜表面设置有电解质层；/n所述导电层包括相互分离的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层之间设置有目标掺杂区域覆盖层。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置，其特征在于，包括
基底层，以及设置于所述基底层表面的导电层，所述导电层的两侧设置有电极层，所述导电层的表面设置有金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜表面设置有电解质层；
所述导电层包括相互分离的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层之间设置有目标掺杂区域覆盖层。


2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置，其特征在于，所述基底层包括玻璃。


3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置，其特征在于，所述导电层包括ITO薄膜、AZO薄膜和FTO薄膜。


4.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置，其特征在于，所述金属氧化物薄膜为三氧化钨薄膜、氧化钼薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二铌薄膜和钴酸锂薄膜中的一种。


5.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜的阳离子掺杂装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欣月，李智信，凌洁，朱清滢，唐秀凤，王忆，
申请(专利权)人：五邑大学，
类型：发明
国别省市：广东;44